Устройства для определения электрических свойств, устройства для определения местоположения электрических повреждений, устройства для электрических испытаний, характеризующихся объектом, подлежащим испытанию, не предусмотренным в других подклассах: .испытание электронных схем, например с помощью прибора для каскадной проверки прохождения сигнала – G01R 31/28

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам испытаний интегральных схем (ИС) на коррозионную стойкость. Сущность: перед испытанием ИС проводят проверку внешнего вида, электрических параметров и проверку герметичности, нагревают до температуры плюс 125°С со скоростью не более 100°С/мин, выдерживают при этой температуре 1 ч, резко охлаждают до минус 55°С со скоростью не более 100°С/мин, выдерживают при данной температуре 0,5 ч, плавно нагревают до плюс 2°С в течение 1 ч. и выдерживают в течение 0,5 ч. Проводят не менее 16 непрерывно следующих друг за другом циклов по 3 ч каждый. Технический результат: повышение объективности оценки наличия влаги внутри корпуса ИС. 1 ил.

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для измерения температуры активной области светоизлучающих диодов. Заявлен cпособ измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов (СИД), при котором инжекционный ток подают в виде последовательности импульсов нарастающей длительности с периодом между импульсами, достаточными для остывания активной области и не менее времени считывания сигнала с выхода фотоприемной линейки. Далее на СИД подают постоянный инжекционный ток и измеряют спектр излучения в заданные моменты времени в течение цикла измерения вплоть до полного разогрева СИД. В устройстве для реализации способа последовательно соединены генератор инжекционного тока, светоизлучающий диод, электрооптический затвор, монохроматор и приемно-преобразовательный блок, включающий в качестве фотоприемного устройства многоэлементную фотоприемную линейку, первый и второй генераторы импульсов, АЦП и микроконтроллер. Управляющие выходы микроконтроллера соединены с входом генератора инжекционного тока и с входом первого генератора импульсов, выход которого соединен с управляющими входами электрооптического затвора и второго генератора импульсов, выходы которого соединены с управляющими входами фотоприемного устройства и АЦП. Технический результат - повышение точности определения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества сверхбольших интегральных схем (СБИС) - микропроцессоров и микроконтроллеров - и оценки их температурных запасов. В контролируемую СБИС, установленную на теплоотводе и подключенную к источнику питания, загружают специальный «разогревающий» тест и программу управления и включают в режим периодического нагрева путем переключения контролируемой СБИС из режима выполнения специального теста в режим паузы с частотой и скважностью 2. На частоте модуляции выделяют и измеряют амплитуду первой гармоники тока, потребляемого контролируемой СБИС, амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра с известным отрицательным температурным коэффициентом K_T , например, напряженияна встроенном в ядро СБИС р-n переходе или напряжениялогической единицы на одном из нагруженных резистивной нагрузкой выводов СБИС, логическое состояние которого не изменяется при переключении СБИС из одного режима в другой, и сдвиг фазы ( ) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой СБИС, и первой гармоникой температурочувствительного параметра. Модуль теплового импеданса контролируемой СБИС на частоте определяют по формуле:

,

где U_пит - напряжение питания контролируемой БИС, а фазу _T( ) теплового импеданса контролируемой СБИС определяют как уменьшенную на 180° разность фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой СБИС. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться для исследования измерительных характеристик и контроля точности работы измерительного устройства многоточечных измерительных систем с входной коммутацией датчиков. Предлагается способ контроля работоспособности многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков, заключающийся в том, что к входу коммутатора датчиков подключают формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, соответствующий типу подключаемых датчиков, и измеряют сигналы этого формирователя, по измеренным сигналам формирователя и их известным физическим значениям вычисляют функцию преобразования системы, затем к коммутатору датчиков подсоединяют соответствующий типу подключаемых датчиков второй формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, физические значения сигналов которого заранее известны, измеряют сигналы этого формирователя, по результатам этих измерений и вычисленной функции преобразования системы вычисляют значения сигналов второго формирователя ступеней имитатора и определяют разности с известными их значениями, по величине этих разностей оценивают степень работоспособности системы. Применение изобретения позволит упростить способ контроля, повысить надежность контроля работоспособности измерительного устройства для обеспечения измерения сигналов датчиков с заданной точностью и сократить время подготовки к проведению измерений многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков. 1 ил.

Изобретение предназначено для использования на выходном и входном контроле качества цифровых КМОП интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Сущность: на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных переключающих греющих импульсов частотой F_гр, модулированных последовательностью прямоугольных видеоимпульсов с постоянным периодом следования Т_сл, длительность _р которых изменяется по гармоническому закону с частотой _М. На частоте модуляции _М выделяют и измеряют амплитуду первой гармоники тока, потребляемого контролируемой микросхемой, амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра - выходного напряжения логической единицы того логического элемента, состояние которого не изменяется, и сдвиг фазы ( _М) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра. По измеренным величинам определяют модуль и фазу теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте _М. Технический результат: повышение точности измерения. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц различных энергий космического пространства. Техническим результатом является снижение стоимости и продолжительности испытаний на радиационную стойкость, а также повышение достоверности результатов испытаний. В способе испытаний полупроводниковых БИС технологии КМОП/КНД на стойкость к эффектам единичных сбоев от воздействия тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) космического пространства путем облучения ограниченной выборки БИС импульсным ионизирующим излучением облучение производят гамма-нейтронным излучением импульсного ядерного реактора (ИЯР) со средней энергией 1,0-3,0 МэВ или импульсным рентгеновским излучением электрофизических установок (ЭФУ) с эквивалентной дозой, вызывающей равную с ТЗЧ генерацию радиационно-индуцированного заряда в чувствительном объеме БИС, и для определения стойкости к воздействию ТЗЧ с величиной порогового значения линейных потерь энергии LET_TH в диапазоне от единиц до сотни МэВ·см ²/мг используют значение коэффициента относительной эффективности RDEF (Relative Dose Enhancement Factor) воздействия полной поглощенной дозы рентгеновского или гамма-излучения по отношению к величине LET_TH с использованием представленного соотношения. 6 з.п. ф-лы, 6 ил., 8 табл.

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии (ПЭМП). Сущность изобретения: способ регулирования сопротивления твердотельных приборов на основе ПЭМП позволяет регулировать сопротивление металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, электрическим сигналом во всем интервале физически возможных значений сопротивления как в сторону уменьшения сопротивления, так и в сторону увеличения сопротивления с сохранением выставленного состояния энергонезависимо с повышенной стойкостью к внешним воздействиям. Техническим результатом изобретения является возможность регулирования сопротивления металлической перемычки прибора до заданной величины во всем интервале физически возможных значений. Техническим результатом резистивной матрицы памяти на основе полярнозависимого электромассопереноса в кремнии является возможность в каждой ячейке резистивной матрицы памяти осуществлять многократную запись, стирание и энергонезависимое хранение информации в смешанной системе счисления. 2 н. и 1 з.п. ф-лы.

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества КМОП цифровых интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Техническим результатом является повышение чувствительности и точности измерения теплового импеданса КМОП цифровых интегральных микросхем. При этом на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных переключающих импульсов, модулированных по периодическому закону, с частотой и скважностью 2. На частоте модуляции выделяют и измеряют амплитуду первой гармоники тока, потребляемого контролируемой микросхемой, амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра того логического элемента, состояние которого не изменяется, и сдвиг фазы ( ) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра, измеряют модуль теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте по формуле:

, где K_T - известный отрицательный температурный коэффициент температурочувствительного параметра, U_num - напряжение питания контролируемой микросхемы. 2 ил.

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в контрольно-поверочной аппаратуре, для измерения технических параметров аварийных радиомаяков и радиобуев. Техническим результатом является повышение быстродействия и надежности работы устройства, точности измерения, а также повышение удобства эксплуатации за счет обеспечения возможности визуального просмотра измеряемых параметров. Устройство состоит из последовательно соединенных между собой сменного аттенюатора, приемника-переносчика частоты, аналого-цифрового преобразователя, блока обработки параметров радиомаяка/радиобуя, средства отображения и вывода информации, источника стабильной частоты. Приемник-переносчик частоты, аналогово-цифровой преобразователь, блок математической обработки, источник стабильной частоты и плата питания конструктивно собраны в одном корпусе, а плата питания соединена со всеми узлами устройства. Устройство для измерения технических параметров аварийных радиомаяков/радиобуев имеет два режима: рабочий: тестовый. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД ("кремний на диэлектрике") структурах, по радиационной стойкости. Технический результат: не требуется облучение каждой микросхемы источниками радиационного излучения снижение времени и трудозатрат. Сущность: производят облучение статистически значимой выборки микросхем выбранного типа до требуемой дозы с периодическим измерением статического тока потребления. Для каждой микросхемы из выборки предварительно на пластинах измеряют сопротивление тестового резистора "р-карман", расположенного на дорожке реза кристалла. Определяют норму на сопротивление тестового резистора "р-карман" путем сопоставления максимальных значений статического тока потребления при наборе дозы и значений сопротивления тестового резистора "р-карман" с учетом требуемой нормы на статический ток потребления для выбранного типа микросхем. Разбраковку последующих партий микросхем проводят по критерию сопротивления тестового резистора "р-карман", измеренного для каждой микросхемы на пластинах. 2 ил.

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для диагностики функционирования микросхем оперативной памяти во всех отраслях микроэлектроники и радиотехники. Техническим результатом является осуществление полного функционального контроля микросхем большой емкости, возможность проверки нескольких ОЗУ одновременно, сокращение времени испытаний, а также удешевление самой конструкции и снижение энергопотребления. Система содержит микроконтроллер с встроенной flash памятью и с двумя аналогово-цифровыми преобразователями (АЦП), преобразователь интерфейса USB в UART, генератор на 100 МГц, датчик температуры микроконтроллера, источники питания на 1,7 Вольт, 2,5 Вольт, 3,3 Вольт, 5,0 Вольт, блок выбора источника питания, блок измерения тока потребления, блок проверки контактирования выводов тестируемых микросхем ОЗУ, преобразователь уровня напряжения управляющих входов тестируемых микросхем ОЗУ, преобразователь уровня напряжения шины адреса тестируемых микросхем ОЗУ, персональный компьютер (ПК), блок питания, драйвер, компаратор, нагрузку для каждой из n линий шины данных тестируемых микросхем ОЗУ, m цифровых датчиков температуры микросхем ОЗУ, закрепленных на корпусе тестируемых микросхем ОЗУ. 3 ил.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Технический результат: сокращение времени диагностирования. Сущность: в процессе эксплуатации цифровых блоков набирается статистика по возникающим дефектам. На основе собранных данных определяются частоты появления всех возможных дефектов для каждой группы идентичных цифровых блоков. Перед очередным диагностированием цифрового блока, используя его принципиальную схему и теорию булевых функций, создают аналитическую эталонную копию блока. В процессе диагностирования цифрового блока под управлением программы поочередно моделируют дефект, выбранный из множества возможных, при этом очередность выбора дефекта определяется частотой его появления, начиная с наибольшей. Для каждого промоделированного дефекта формируют псевдослучайные многоразрядные кодовые наборы. Подают их одновременно на входы диагностируемого цифрового блока и его аналитической эталонной копии, на выходах которых регистрируют отклики и сравнивают. Если отклики совпали, то контроль прекращают, а по месту и характеру дефекта, промоделированного в аналитической эталонной копии, определяют место и характер дефекта в диагностируемом цифровом блоке. После чего уточняют статистические данные о частоте появления данного вида дефектов.

Изобретение относится к области электротехники и может использоваться в источниках питания для исключения в них коротких замыканий при «пробое» тиристоров и сохранения выходного напряжения. Способ включает в себя анализ информационного содержания сигнала датчика напряженности магнитного поля, размещенного на токоподводящих проводах, питающих первичную обмотку трансформатора, нагруженного на мостовой тиристорный выпрямитель. В качестве информационного параметра используется амплитуда спектральной составляющей сигнала датчика, кратной 2 ( - частота питающей выпрямитель сети), которая свидетельствует о появлении неисправности в схеме выпрямления, а величина ее амплитуды позволит конкретизировать техническую ситуацию («пробой» тиристора). С целью определения номера вышедшего из строя тиристора проводится сравнение по модулю средних значений положительного и отрицательного полупериодов выходного сигнала датчика напряженности магнитного поля тока, питающего трансформатор мостового выпрямителя. Затем для величины средневыпрямленного напряжения либо для исправности самого выпрямителя формируется управляющий сигнал в систему управления тиристорным выпрямителем для отключения тиристоров, имеющих непосредственную гальваническую связь с неисправным тиристором. Технический результат - повышение надежности работы устройства. 1 ил.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для отбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД (кремний на диэлектрике) структурах, по радиационной стойкости. Способ отбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД структурах, по стойкости к радиационному воздействию заключается в поэтапном облучении микросхем малой дозой, выборе статического тока потребления в качестве критериального параметра, определяющего радиационную стойкость микросхем, восстановлении исходных параметров микросхем путем их дополнительного облучения при заземленных выводах. Разбраковку осуществляют за один этап облучения при тестовой дозе, определяемой по результатам облучения определительной группы микросхем из производственной партии. Технический результат - уменьшение дозовой нагрузки на микросхему и сокращение времени проведения радиационной отбраковки за счет уменьшения дозы облучения, а также сокращение до одного этапов облучения с измерением параметров микросхемы. 1 ил.

Данное изобретение относится к способу и устройству для тестирования полупроводниковых пластин (5) с помощью зажимного приспособления (1) с регулируемой установкой температуры. При этом при реализации заявленного способа при помощи заявленного устройства обеспечиваются условия, при которых мощность нагрева намного превышает заданную тестовую мощность. Причем при тестировании регистрируют увеличение температуры текучей среды, которое отражает тестовую мощность. А мощность нагрева уменьшают во время теста при, по существу, постоянной мощности охлаждения, учитывая измеренное при тестировании увеличение температуры текучей среды. Заявленное изобретение направлено на создание способа и устройства для тестирования полупроводниковых пластин, которые обеспечивают возможность тренировки полупроводниковых пластин. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области вычислительной и контрольно-измерительной техники и может быть использовано для контроля программируемых логических интегральных схем, в частности, иностранного производства. Способ диагностического неразрушающего контроля программируемых логических интегральных схем иностранного производства (ПЛИС ИП) включает следующие этапы: измеряют потребления тока ПЛИС ИП в различных стационарных состояниях, по меньшей мере, два раза и сохраняют результаты измерений в двумерном массиве; вычисляют для каждой ПЛИС ИП разницу потреблений тока между соседними стационарными состояниями и с учетом знака сохраняют результаты вычислений в другом массиве; рассчитывают математические ожидания значений; рассчитывают среднеквадратические отклонения значений различий в потреблении тока; рассчитывают коэффициенты, характеризующие отклонение значений разницы потреблений тока от математического ожидания значений различий в потреблении тока, сравнивают значения рассчитанных коэффициентов со значениями коэффициентов для соответствующего объема выборки и по результатам сравнения определяют надежность микросхемы. Изобретение обеспечивает возможность определения надежности ПЛИС ИП, которая оценивается по изменению в потреблении тока при переключении из одного стационарного состояния в другое с учетом знака. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к имитаторам солнечного излучения на основе импульсных газоразрядных ламп для измерения световых вольтамперных характеристик и других фотоэлектрических параметров солнечных фотоэлементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения. Устройство содержит: осветительное устройство, включающее оптическую систему и лампу-вспышку; контрольный фотоэлемент, электронное измерительное устройство, включающее блок измерителей тока и напряжения, генератор пилообразного напряжения и устройство сбора и обработки информации; устройство питания лампы-вспышки, включающее регулируемый источник постоянного напряжения, блок поджига лампы-вспышки и формирователь импульса напряжения. При этом генератор пилообразного напряжения содержит первый, второй, третий конденсаторы; первое, второе, третье и четвертое сопротивления. Емкость третьего конденсатора определена из соотношения C₃=(10-20)·I·N· /U, а емкости первого и второго конденсаторов в 5-10 раз больше емкости третьего конденсатора. Формирователь импульса напряжения содержит зарядное сопротивление, RC-цепочку и LC-цепочку. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области электроизмерительной техники и может быть использовано при разработке оперативных методов и средств определения или неразрушающего контроля значений теплоэлектрофизических параметров и электрофизической диагностики проводящих или резистивных структур интегральных схем (ИС). Сущность: воздействуют на тестовый образец неполярной проводящей или резистивной структуры периодической последовательностью пар прямоугольных видеоимпульсов тока I_V1 и I_V2. При этом

|I_V1|=|I_V2|, _V1= _V2, Q_V1=Q_V2= _P/ _V1= _P/ _V2>2, где, _V1 и _V2 - длительности видеоимпульсов I_V1 и I_V2 соответственно, _P - период их следования, Q_V1 и Q _V2 - скважности видеоимпульсов I_V1 и I_V2 соответственно. Видеоимпульс I_V2 начинается сразу по окончании видеоимпульса I_V1 и имеет знак, противоположенный знаку видеоимпульса I_V1. Определяют значения теплоэлектрофизических параметров с использованием результатов измерения информативной компоненты напряжения постоянной составляющей сигнала-отклика, возникающей вследствие колебания температуры и сопротивления проводящей или резистивной пленки образца в течение периода

_P. Технический результат: повышение чувствительности и достоверности при существенном подавлении компонент сигнала-отклика, характерных для безынерционных неполярных двухполюсников. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки микросхем оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) по уровню бессбойной работы (УБР). Технический результат: возможность имитировать импульсное ионизирующее излучение (ИИИ), проводить разбраковку микросхем ОЗУ по параметру «уровень бессбойной работы» в процессе изготовления и определять реальный УБР и работоспособность RC-цепи в каждой ячейке и каждой конкретной микросхемы ОЗУ в целом к воздействию ИИИ. Сущность: определение сохранности записанной тестовой информации и разбраковка микросхем ОЗУ по стойкости к воздействию ИИИ происходит в процессе изготовления микросхем на всех изделиях изготавливаемой партии. При этом микросхемы облучают не менее двух раз импульсным излучением лазера, имитирующего воздействие гамма-излучения по требуемому уровню УБР с последующим определением сохранности предварительно записанной в микросхему информации. В качестве информационного кода используются коды «диагональ» и «инверсная диагональ». 1 ил.

Предложенное изобретение относится к технологическим устройствам того типа, которые используются в промышленных процессах, а именно к диагностике таких технологических устройств. Предложенное технологическое устройство для применения в системе управления промышленным процессом содержит электрическое соединение, выполненное с возможностью подключения к контуру управления процессом, выходную схему, выполненную с возможностью передачи данных по контуру управления процессом, датчик установившегося тока, выполненный с возможностью измерения потребления установившегося тока, поступающего к технологическому устройству, устройство сравнения, выполненное с возможностью сравнения измеренного установившегося тока с базовым значением установившегося тока, и диагностическую схему, выполненную с возможностью определения диагностического состояния технологического устройства на основе сравнения измеренного установившегося тока и базового значения установившегося тока, причем базовое значение установившегося тока изменяется в зависимости от режима работы технологического устройства или в зависимости от температуры. Указанное устройство реализует соответствующий способ диагностики. Благодаря описанному устройству становится возможным определить или спрогнозировать диагностическое состояние технологического измерительного преобразователя в зависимости от значения установившегося тока. 2 н. и 34 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем (ИС), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя. Технический результат: повышение точности диагностики и расширения функциональных возможностей контроля ИС. Сущность: устройство содержит генератор тестов, блок управления генератором тестов, источник питания ИС, плату сопряжения ИС, аналого-цифровой преобразователь (АЦП) и ЭВМ. Выход генератора тестов соединен с одним из входов ИС. Другой вход ИС подсоединен к источнику питания. Один из выходов ИС соединен с входом преобразователя ток-напряжение. Другой выход ИС соединен с входом платы сопряжения ИС. Выходы платы сопряжения и АЦП соединены с соответствующими входами ЭВМ, выход которой соединен с входом блока управления генератором тестов. 2 ил.

Изобретение относится к железнодорожной автоматике. Сущность: устройство содержит блок выходных трансформаторов, нагрузку, переносной персональный компьютер, цифровой запоминающий осциллограф, стабилизатор, модуль управления выбором кодовой комбинации и контроля состояния контактов диагностических реле, модуль управления питанием формирователя сигналов, модуль обработки и распределения команд, коммутационный модуль. Способ заключается в имитации перемычек выбора синхрогруппы и кода ФС-ЕН, получении и расшифровке фазоманипулированного сигнала, поступающего от ФС-ЕН, проверке правильности сформированной кодовой комбинации, моделировании неисправности перемычек выбора синхрогруппы и кода, подключении осциллографного модуля к соответствующему измерительному резистору в зависимости от вида требуемого измерения, управлении подачей электропитания на ФС-ЕН (норминальное, максимально и минимально допустимое напряжение питания), передаче полученных результатов в переносной персональный компьютер. Технический результат: повышение эффективности диагностики, автоматизация процесса. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к контролю интегральных схем (ИС) и может быть использовано для отбраковки ИС на этапе серийного производства, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Сущность: в камере холода устанавливается температура -20°С или -28°С, загружаются ИС, измеряется ток утечки каждой схемы. Температура снижается до -28°С или повышается до -20°С со скоростью не более 10°С при непрерывном измерении тока утечки. Если величина тока утечки резко не возрастает, то содержание в подкорпусном объеме ИС будет соответствовать требованиям общих технических условий, т.е. будет не более 0,05 объемного процента при нормальной температуре.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к устройствам для контроля радиоэлектронных объектов, и может быть использовано в системах автоматизированного контроля и диагностики радиоэлектронных объектов. Достигаемый технический результат - повышение быстродействия контроля радиоэлектронной аппаратуры. Устройство для контроля радиоэлектронных объектов содержит кнопку "Пуск" (1), блок формирователя стробирующих импульсов (2), счетчик (3), коммутатор (4), исследуемый блок (5), блок линий задержки (6), блок умножителя (7), блок (8) формирователя эталонных сигналов, интегратор (9), блок нормирования (10), схема сравнения (11), ключ (12), блок памяти (13), блок вывода информации (14), аналого-цифровой преобразователь (15), блок оперативной памяти результатов оценки (16), N схем сравнения (17 ₁-17_N), блоки памяти признаков отказа (18₁-18_N), регистры (19₁-19_N). 1 ил.

Предложенное изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для определения места и характера дефекта в неработоспособном цифровом блоке черескаскадным методом. Технический результат, достигаемый от реализации данного изобретения - возможность локализации дефекта. Способ определения места и характера дефекта в цифровом блоке заключается в том, что воздействуют на объект контроля тестовым сигналом, осуществляют регистрацию отклика объекта контроля и сравнивают с эталоном. При этом в аналитической эталонной копии диагностируемого цифрового блока поочередно моделируют дефект, выбранный из множества возможных, при этом для каждого промоделированного дефекта формируют в объеме, вычисляемом с помощью метода детерминированных направлений, псевдослучайные многоразрядные кодовые наборы, и одновременно их подают на входы диагностируемого цифрового блока и его аналитической эталонной копии, регистрируют отклики на их выходах и сравнивают, при появлении результата совпадения откликов определяют место и характер дефекта в диагностируемом цифровом блоке.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к серийному производству интегральных схем (ИС). Сущность: способ включает проведение электротермотренировки (ЭТТ) партий ИС, контроль электрических параметров ИС партии. При проценте забракования ИС не более 0,4% и из них не менее 90% по электрическим параметрам ЭТТ заменяется на термотренировку. Время термотренировки должно быть не менее времени ЭТТ. Температура воздействия при термотренировке повышается на величину T=P×R_Т, где Р - мощность рассеяния ИС при ЭТТ; R_T - тепловое сопротивление кристалл - среда. Технический результат: снижение трудоемкости и стоимости без снижения эффективности.

Изобретение относится к комплексам для испытаний электронных систем управления и контроля на сильные электромагнитные импульсы, а именно к комплексам, имитирующим вторичные воздействия разрядов молнии. Технический результат: устранение субъективного влияния оператора на проведение испытаний, облегчение процесса управления испытаниями и регистрации результатов, уменьшение затрат времени на проведение испытаний и повышение их достоверности. Сущность: комплекс снабжен регулируемым источником напряжения, блоком управления амплитудой и полярностью воздействий, персональной ЭВМ, генератором импульсов, генератором «короткой волны», генератором «колебательной волны», блоком управления последовательностью воздействий, коммутатором воздействий, электронным ключом, схемой управления периодичностью и количеством воздействий, коммутатором регистрации, устройством контактного ввода, индуктором, осциллографом и блоком управления коммутатором регистрации. 5 ил.

Аппаратно-программный комплекс имитации нестабильности напряжения питания постоянного тока предназначен для имитации нестабильности работы источников питания бортовых систем электроснабжения летательных аппаратов. Комплекс содержит регулируемый источник напряжения постоянного тока, блок имитации пульсаций напряжения питания, блок имитации импульсов напряжения от коммутации электротехнических устройств, блок имитации импульсов напряжения от коммутации электронной аппаратуры, выходы которых через комплексирующее устройство подключены к устройству нагрузки. Комплексирующее устройство выполнено на базе развязывающих трансформаторов. Устройство нагрузки, регулируемый источник напряжения постоянного тока и блоки имитации связаны через блок согласующих устройств с блоком автоматического управления, отображения и регистрации напряжения питания. 8 ил.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в бытовом потребителе электрической мощности. Техническим результатом является получение более детальной информации о потребителе электрической мощности и обеспечение доступности полученной информации для мастера по ремонту. Бытовой потребитель электрической мощности, имеющий электронное управление, и его система управления содержит электронный микроконтроллер, средства для определения и/или генерирования параметров, которые относятся к рабочему состоянию потребителя электрической мощности. В соответствии с настоящим изобретением указанная система управления запрограммирована для записи (в средствах постоянной памяти для считывания и ввода информации) информации первого типа, которая характеризует временную тенденцию указанных параметров состояния в течение заданного базового периода, причем последняя хранимая информация первого типа побуждает исключение самой старой информации, то есть операцию обратного сдвига хранимой информации первого типа; обеспечивает возможность указанной информации первого типа считываться извне потребителя электрической мощности. 24 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для контроля бытовых электроприборов. Техническим результатом является упрощение и ускорение текущего контроля устранения случайных отключений и ограничения потребления электрической энергии. В устройстве, системе и способе текущего контроля бытового электроприбора содержится устройство для осуществления текущего контроля, которое соединено между источником электрической энергии и электрической нагрузкой, причем устройство для осуществления текущего контроля содержит измерительные средства, предназначенные для определения величины электрической мощности или тока, потребляемой бытовым электроприбором, средства управления, которые запрограммированы для сравнения потребления измеренной электрической мощности или тока через указанные измерительные средства со справочными значениями электрической мощности или тока, которые хранятся в указанных средствах управления, для генерирования в зависимости от указанного сравнения информации, которая представляет состояние, имеющееся в настоящее время, или фазу работы потребителя электрической мощности, для обеспечения возможности указанной информации быть считываемой извне указанного устройства для осуществления текущего контроля. 4 н. и 26 з.п. ф-лы; 4 ил.