Устройства для определения электрических свойств, устройства для определения местоположения электрических повреждений, устройства для электрических испытаний, характеризующихся объектом, подлежащим испытанию, не предусмотренным в других подклассах: ..испытание цифровых схем – G01R 31/317

Изобретение относится к измерительной технике. Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества КМОП цифровых интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Выбранный в качестве источника тепла логический элемент микросхемы нагревают проходящим греющим током через p-n-переход, образованный сильнолегированной p+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и n-подложкой p-МОП транзисторов, электрически соединенной с выводом питания микросхемы в первом случае, или через p-n-переход, образованный сильнолегированной n+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП транзисторов, электрически соединенным с общим выводом питания микросхемы во втором случае. Напряжение температурочувствительного параметра измеряют на p-n-переходе другого логического элемента при протекании прямого измерительного тока и p-n-переход образован сильнолегированной n+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП транзисторов, электрически соединенным с общим выводом питания микросхемы в первом случае, или сильнолегированной p+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и n-подложкой p-МОП транзисторов, электрически соединенной с выводом питания микросхемы во втором случае. Выводы питания микросхемы при измерении соединяют между собой. Изменение электрической греющей мощности определяют как произведение проходящего греющего тока через p-n-переход на падение напряжения на нем. Тепловое сопротивлении определяют как отношение изменения напряжения температурочувствительного параметра к изменению электрической греющей мощности и известному температурному коэффициенту напряжения температурочувствительного параметра. Изобретение обеспечивает уменьшение погрешности измерения. 4 ил.

Изобретение относится к контролю качества микросхем на основе ТТЛ и ТТЛШ логических элементов (ЛЭ). Сущность: микросхему нагревают ступенчатым изменением тока нагрузки по закону, аппроксимируемому гармонической функцией. Генератором импульсов, кольцевым регистром, схемами И, электронными коммутаторами, переменными сопротивлениями формируют ступенчатое изменение тока нагрузки ЛЭ. Аппроксимирование осуществляют с помощью двухканального осциллографа, генератора гармонических сигналов изменением переменных резисторов. Токосъемные резисторы, первый коммутатор, вольтметр предназначены для определения греющей мощности, высокоомный резистор, усилитель, детектор, селективный вольтметр - для измерения температурочувствительного параметра в течение времени действия стробирующих импульсов. Технический результат: уменьшение погрешности. 2 ил.

Изобретение относится к контролю качества цифровых интегральных микросхем на основе ТТЛ и ТТЛШ логических элементов (ЛЭ). Сущность: микросхему разогревают током нагрузки при переключении логического состояния одного ЛЭ. Определяют греющую мощность. На выбранном ЛЭ, используемом в качестве датчика температуры, устанавливают на выходе напряжение логической единицы. Изменение напряжения логической единицы происходит за счет наличия тепловой связи и за счет нежелательной электрической составляющей. Выделяют переменную составляющую изменения напряжения логической единицы датчика температуры, детектируют положительное и отрицательное напряжение, инвертируют отрицательное напряжение, суммируют с положительным. Полученный сигнал зависит от тепловой связи. Измеряют амплитуду полученного периодического сигнала и селективным вольтметром измеряют первую гармонику. Определяют максимальное изменение напряжения логической единицы ЛЭ, используемого в качестве датчика температуры и определяют тепловое сопротивление по известной формуле. Технический результат: исключение влияния электрической составляющей на результат определения теплового сопротивления. 2 ил.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для обнаружения и указания места потенциально неисправного устройства, входящего в состав цифрового блока. Техническим результатом является обнаружение и указание места потенциально неисправного устройства в диагностируемом цифровом блоке. Для достижения поставленной цели поочередно на каждом устройстве, входящем в состав диагностируемого блока, амплитуду питающего напряжения ступенчато уменьшают от номинального значения Е_ном до порогового E_пopi с шагом Е _п, при этом при каждом шаге уменьшения амплитуды питающего напряжения устройства на входы диагностируемого цифрового блока подают псевдослучайные многоразрядные кодовые наборы, состоящие из логических нулей и единиц, с равной вероятностью появления логического нуля или логической единицы в каждом разряде, регистрируют полученные логические уровни на выходах диагностируемого цифрового блока и сравнивают их с эталонными уровнями, при появлении частоты сбоя F_c фиксируют величину напряжения E_пopi (порог функционирования) для каждого устройства и вычисляют его область работоспособности по напряжению питания E _pi. Дефектное (потенциально неисправное) устройство определяют по наименьшему значению области работоспособности Е _pi, которое выбирают по результатам сравнения областей работоспособности всех устройств, входящих в состав диагностируемого цифрового блока. 1 ил.