Измерение рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного и космического излучений: ..с помощью полупроводниковых детекторов – G01T 1/24

Изобретение относится к области ядерной физики и может быть использовано для регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе малого диаметра со статическим (неоткачиваемым) вакуумом. Полупроводниковый детектор для регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе со статическим вакуумом содержит полупроводниковый регистрирующий элемент, размещенный в диэлектрическом корпусе, закрытый как со стороны потока заряженных частиц, так и с противоположной стороны слоями металла, электрически соединенными с токоотводами, при этом диэлектрический корпус выполнен из вакуум-плотного материала с газовой десорбционной способностью не более 5·10^-8 мбар·см^-2·с^-1, регистрирующий элемент выполнен в виде гетероструктуры, включающей подложку из карбида кремния типа n⁺6H-SiC, на которой выращен эпитаксиальный слой карбида кремния типа n-6H-SiC, снабженный с противоположной подложке стороны выпрямляющим слоем в виде барьера Шоттки. Технический результат - повышение радиационной стойкости полупроводникового детектора и эффективности регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц. 2 ил.

Изобретение относится к области ядерного приборостроения и может быть использовано при создании измерителей мощности дозы гамма-излучения ядерной энергетической установки, размещаемой на космическом аппарате. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для измерения мощности дозы гамма-излучения ядерной энергетической установки в условиях фоновой помехи от высокоэнергетичных заряженных частиц содержит металлический корпус-коллиматор, внутри которого помещены две параллельные кремниевые пластины, выходы которых подключены к схеме антисовпадений, при этом с целью расширения энергетического диапазона регистрируемых гамма-квантов до 10 МэВ между пластинами кремния установлен фильтр из вольфрамового сплава для поглощения вторичных электронов, возникающих при взаимодействии гамма-квантов с металлическим корпусом-коллиматором. Технический результат - расширение энергетического диапазона регистрируемых гамма-квантов до энергий, характерных для излучения ядерной энергетической установки. 1 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрических свойств кристаллов алмаза, предназначенных для изготовления детекторов ионизирующих излучений. Способ сортировки алмазов по электрофизическим свойствам включает предварительную поляризацию алмазов, последующее нагревание с постоянной скоростью и регистрацию токов термостимулированной деполяризации, предварительную поляризацию алмаза производят путем облучения рентгеновским излучением при температуре 70-90°С в электрическом поле, после облучения алмаз охлаждают в электрическом поле до комнатной температуры, после чего начинают нагревание и измерение токов термостимулированной деполяризации, годными признают алмазы, у которых величина пиков тока в максимумах при 130-170°С и 190-230°С меньше пороговой величины. Технический результат - повышение выхода годных приборов. 2 з.п. ф-лы.

Использование: для регистрации электромагнитного излучения, особенно рентгеновских лучей. Сущность изобретения заключается в том, что детектор рентгеновского излучения и цепь его пикселя позволяют покрывать широкий динамический диапазон с использованием автоматического выбора параметра чувствительности в каждом пикселе, таким образом обеспечивая улучшенное отношение сигнал-шум при всех уровнях воздействия. В настоящем изобретении описано несколько подходов для обеспечения автоматического выбора чувствительности в пикселях. Это обеспечивает накопление слабых сигналов в конденсаторе малой емкости или считывание при высоком значении чувствительности с соответствующим хорошим отношением сигнал-шум, тогда как накопление более сильных сигналов происходит в конденсаторах большей емкости или считывание происходит при более низком значении чувствительности, в результате чего не происходит потеря информации. Технический результат - увеличение гибкости динамического диапазона. 4 н. и 5 з.п. ф-лы, 20 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. МОП диодная ячейка монолитного детектора излучений содержит МОП транзистор, шину высокого положительного (отрицательного) напряжения питания и выходную шину, при этом для повышения качества детектирования, т.е. спектральной чувствительности и линейности усиления детектора, МОП транзистор является обедненным транзистором n(p) типа проводимости (т.е. имеет встроенный канал), при этом его подзатворная область подсоединена к общей шине питания, сток к выходной шине, а затвор соединен с анодом (катодом) диода и с первым выводом резистора, катод (анод) диода подсоединен к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, второй вывод резистора подсоединен к шине отрицательного (положительного) напряжения смещения. Также предложена конструкция (функционально интегрированная структура) МОП диодной ячейки монолитного детектора излучений. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области измерения излучения физических частиц с помощью полупроводниковых детекторов и может быть использовано при создании многоэлементных детекторов заряженных частиц на основе полупроводниковых кристаллов. Технический результат - повышение надежности детектора и его чувствительности. Сущность изобретения заключается в том, что в многоэлементном полупроводниковом детекторе для регистрации альфа-частиц в нейтронном генераторе со статическим вакуумом, включающем корпус детектора, пластину полупроводникового кристалла, размещенную перпендикулярно потоку альфа-частиц, регистрирующие элементы с электрическими контактами и токоотводами, размещенные на обеих сторонах пластины полупроводникового кристалла, при этом пластина полупроводникового кристалла выполнена с возможностью размещения на обеих ее сторонах всех регистрирующих элементов с электрическими контактами и токоотводами, закреплена по периметру на керамической плате, в центральной части которой выполнено отверстие для попадания альфа-частиц на регистрирующие элементы; керамическая плата закреплена на корпусе, в котором также выполнено отверстие для попадания альфа-частиц на регистрирующие элементы; регистрирующие элементы сделаны в виде полос, выполненных на пластине полупроводникового кристалла методом ионного легирования, а электрические контакты выполнены методом напыления металла на регистрирующие элементы; при этом полосы регистрирующих элементов на одной стороне пластины полупроводникового кристалла параллельны друг другу и перпендикулярны направлению полос регистрирующих элементов на другой стороне пластины полупроводникового кристалла. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к детекторным модулям, также относится к детекторным устройствам, кроме того, относится к способам детектирования электромагнитного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что детекторный модуль (301) для детектирования электромагнитного излучения (106), содержит материал (332), предназначенный для преобразования падающего электромагнитного излучения (106) в носители электрического заряда, накапливающий заряд электрод (331), предназначенный для накапливания преобразованных носителей электрического заряда, экранирующий электрод (334, 335), предназначенный для формирования емкости с накапливающим заряд электродом (331), и схему оценки (312-315), электрически соединенную с накапливающим заряд электродом (331) и предназначенную для оценки электромагнитного излучения (106), на основе накопленных носителей электрического заряда. Технический результат - повышение чувствительности детектора. 4 н. и 15 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к медицинским системам визуализации, в частности, находит применение в компьютерной томографии (СТ) и, более конкретно, для реконструкции энергетического спектра. Технический результат - улучшение реконструкции изображения. Система компьютерной томографии включает в себя рентгеновский источник (108), который вращается вокруг визуализируемой области (116) и направляет рентгеновское излучение через визуализируемую область (116). По меньшей мере, один детектор (112) с конечным разрешением по энергии детектирует направляемое рентгеновское излучение. По меньшей мере, один детектор (112) с конечным разрешением по энергии включает в себя множество субдетекторов (204). Каждый из множества субдетекторов (204) соотнесен с одним или несколькими различными энергетическими порогами. Каждый из энергетических порогов используется для отсчета числа падающих фотонов, исходя из соответствующего уровня энергии. Система (136) реконструкции восстанавливает отсчеты фотонов для создания одного или нескольких изображений объекта, находящегося в пределах визуализируемой области (116). 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технике регистрации ионизирующего излучения, в частности к детекторам рентгеновского излучения. Изобретение заключается в том, что для регистрации излучения используются Si и Ge детекторы рентгеновского излучения, расположенные непосредственно друг за другом. Ближним к источнику ионизирующего излучения является тонкий (порядка 0,5 мм) Si детектор, который выполняет роль основного детектора падающего излучения при энергиях излучения до 10 кэВ и роль детектора фотонов К фотопотерь Ge детектора при более высоких энергиях первичного излучения. Изобретение обеспечивает подавление пика К фотопотерь Ge детектора; сохранение высокой вероятности регистрации фотона в пике полного поглощения, характерной для Ge детектора для фотонов с энергиями выше 30 кэВ. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение может быть использовано при изготовлении детекторов для обнаружения рентгеновского излучения, компьютерно-томографических детекторов или детекторов портального электронного формирователя сигналов изображения. Флуоресцентный керамический материал Gd ₂O₂S:Pr с очень кратковременным послесвечением включает европий 1 миллионной массовой доли, исходя из Gd₂O ₂S, и церий от 0,1 миллионной массовой доли до 100 миллионных массовых долей, исходя из Gd₂ O₂S, при этом содержание церия превышает содержание европия при соотношении европия и церия от 1:10 до 1:150. Для получения флуоресцентного керамического материала используют зерна порошка размером от 1 до 20 мкм и проводят горячее прессование в одном направлении при температуре от 1000°С до 1400°С и/или давлении от 100 МПа до 300 МПа. Затем отжигают на воздухе при температуре от 700°С до 1200°С в течение 0,5-30 ч. Перед отжигом на воздухе можно провести отжиг в вакууме при температуре от 1000°С до 1400°С в течение 0,5-30 ч. Полученный материал характеризуется послесвечением, превышающим 0 м.д. в течение 0,5 с, но не более 80 м.д. в течение 0,5 с, и пропусканием от 10% до 70% при длине волны собственной эмиссии, равной примерно 515 нм, и толщине слоя 1,6 мм. 6 н. и 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения. P-I-N-диодный преобразователь нейтронного излучения - полупроводниковый прибор для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал содержит высокоомную подложку кремния n-типа проводимости и несколько инжектирующих электродов p-типа проводимости, при этом эмиттеры p-типа проводимости p-i-n-диодного преобразователя нейтронного излучения расположены в виде матрицы на лицевой стороне подложки, а значение длины базы варьируется глубиной травления кремния на обратной стороне подложки, в области между эмиттером и контактом к области n-типа проводимости. Предложенное изобретение позволяет обеспечить у реального изделия широкий диапазон рабочих доз облучения за счет интегрального исполнения кремниевых p-i-n-диодов в виде матрицы на единой подложке с изменяемой длиной области базы и размеров электродов. 5 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к устройствам формирования изображения для медицинских диагностических устройств с использованием излучения. Устройство содержит детектор с плоской панелью для выведения изображения, получаемого с помощью падающего излучения, держатель детектора и соединительный механизм, выполненный с возможностью осуществления соединения и отсоединения между держателем и детектором, причем соединительный механизм включает в себя механический соединительный узел и термический соединительный узел, который передает тепло между детектором с плоской панелью и держателем. Детектор может быть выполнен с возможностью управления таким образом, что максимальное количество изображений, получаемых посредством непрерывной рентгеносъемки, которую детектор с плоской панелью может осуществлять в состоянии отсоединения от держателя, меньше, чем максимальное количество изображений, получаемых посредством непрерывной рентгеносъемки, которую детектор с плоской панелью может осуществлять в состоянии, поддерживаемом держателем. Использование изобретения позволяет повысить качество изображения. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение может быть использовано в качестве медицинского диагностического устройства, устройства для неразрушающего контроля, устройства анализа с использованием излучения и т.п. Устройство обнаружения излучения согласно настоящему изобретению включает в себя: пикселы, включающие в себя переключающие элементы, расположенные на изолирующей подложке, и преобразовательные элементы, расположенные на переключающих элементах, для преобразования излучения в электрический сигнал, при этом переключающие элементы и преобразовательные элементы соединены друг с другом, пикселы образуют двумерную матрицу. Также устройство согласно изобретению содержит затворную разводку, обычно соединенную со множеством переключающих элементов, расположенных по направлению строк на изолирующей подложке; сигнальную разводку, обычно соединенную со множеством переключающих элементов, расположенных по направлению столбцов; и множество изолирующих пленок, расположенных между переключающими элементами и преобразовательными элементами, при этом, по меньшей мере, одна из затворной разводки и сигнальной разводки расположена так, что находится между множеством изолирующих пленок. Также предложены устройства формирования изображения излучения. Изобретение направлено на повышение чувствительности и снижение шумов путем уменьшения паразитной емкости между сигнальной разводкой и затворной разводкой. 4 н. и 10 з.п. ф-лы, 26 ил.

Изобретение относится к генераторам рентгеновского излучения, используемым для недеструктивной рентгенографии и диагностики. Многолучевой генератор рентгеновского излучения работает следующим образом: пучки (е) электронов, испускаемые из элементов (15) испускания электронов блока (12) формирования многолучевого пучка электронов, проходят через линзовый электрод (19). Результирующие пучки электронов ускоряются до конечного потенциального уровня участками части (13) мишени проходного типа анодного электрода (20). Многолучевые рентгеновские пучки (х), сформированные частью (13) мишени проходного типа, проходя через пластину (23) экранирования рентгеновских лучей и части (24) вывода рентгеновских лучей в вакуумной камере, выводятся из окна (27) вывода рентгеновских лучей части (25) стенки в атмосферу. Генератор рентгеновского излучения может формировать многолучевые рентгеновские пучки с хорошей управляемостью. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 1 табл., 15 ил.

Изобретение относится к твердотельным детекторам нейтронов. В твердотельный интегральный однокристальный детектор нейтронов, содержащий полупроводниковую подложку с омическим контактом к ее тыльной стороне и расположенные последовательно друг на друге на ее лицевой стороне следующие слои: изотипный подложке полупроводниковый слой, полупроводниковый высокоомный слой, полупроводниковый слой противоположного подложке типа проводимости и расположенный на последнем контактный слой, причем два последних слоя выполнены в виде гальванически не связанных областей, дополнительно вводят микроструктурированный слой из алмаза С*(В), легированный бором до вырождения, расположенный на упомянутом выше контактном слое, и второй контактный слой, расположенный на лицевой стороне упомянутого алмазного микроструктурированного слоя. Однокристальная интегральная конструкция позволяет провести в алмазной пленке, легированной бором до вырождения, преобразование потока нейтронов в поток -частиц и преобразование последних в поток вторичных электронов, а затем - уже в высокоомном приемно-преобразовательном слое Si p-i-n детекторной структуры - в неравновесные электронно-дырочные пары с последующим их считыванием в виде тока во внешнюю цепь. 3 ил.

Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений. В твердотельный детектор ионизирующих излучений, содержащий полупроводниковую подложку с омическим контактом к ее тыльной стороне, с расположенным на ее лицевой стороне изотипным подложке полупроводниковым слоем, с расположенным на этом слое полупроводниковым высокоомным слоем, с расположенным на высокоомном слое слоем противоположного подложке типа проводимости и расположенным на последнем контактным слоем, причем последние два слоя выполнены в виде гальванически не связанных областей, дополнительно вводят микроструктурированный слой из алмаза С*, слаболегированный акцепторами, расположенный на упомянутом выше контактном слое, и второй контактный слой, расположенный на лицевой стороне упомянутого алмазного микроструктурированного слоя. Технический результат - повышение чувствительности детектора. 3 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. Согласно изобретению предложена конструкция координатного детектора, в которой используются активные пиксели с функционально-интегрированными биполярной и МОП структурами. Это позволяет сохранить высокий коэффициент усиления ионизационного тока, вызываемого частицами при разном снижении шума, издаваемого поверхностными состояниями на границе раздела окисел-полупроводник, за счет оптимального управления потенциалом поверхности изолированным затвором. Таким образом изобретение обеспечивает повышение чувствительности координатных детекторов и увеличение соотношения сигнал/шум. 3 ил.

Изобретение относится к области рентгенографии, в частности к измерению остаточных и рабочих напряжений неразрушающим методом на крупногабаритных узлах и деталях из поликристаллических материалов, а также в труднодоступных местах. Технический результат - уменьшение габаритов координатного детектора рентгеновского (радиационного) излучения, повышение точности измерений. При проведении неразрушающего контроля рентгеновским методом кванты излучения, отражаясь от кристаллов металла или проходя через деталь, попадают на активную поверхность чувствительных элементов и преобразуются в электрические сигналы. Электрический сигнал подается на счетчик, подключенный к чувствительному элементу, который кодирует его и передает в блок обработки информации, а затем на дисплей или печатающее устройство в виде картинки или буквенно-цифровой информации. 1 ил.

Изобретение относится к ядерной физике, дозиметрии, биофизике, радиационной медицине, химии, экологии и может быть использовано для детектирования газов в разных отраслях промышленности. Техническим результатом являются расширенные функциональные возможности устройства при сохранении полной автоматизации измерений. Сущность предлагаемого изобретения состоит в создании устройства для одновременного автоматического измерения и анализа потоков, спектров, доз альфа-, бета-, гамма-излучения веществ, а также типов и концентраций галоидсодержащих газов в атмосфере за счет организации параллельной работы двух блоков детекторов при совмещении процессов автоматизации измерений и анализа результатов с их оперативной передачей. 1 ил.

Изобретения относятся к области ядерной физики и предназначены для использования при разработке и изготовлении различных систем измерения уровней радиации, дозиметров, индикаторов превышения фона. Технический результат - уменьшение времени измерения радиационного фона, снижение массогабаритных показателей устройств, предназначенных для измерения радиации, и уменьшение влияния хода жесткости на результат измерения. Способ измерения уровня радиации широкозонными полупроводниковыми детекторами включает регистрацию детектором квантов ионизирующего излучения, преобразование полученного от детектора сигнала и его предварительное усиление, последующее преобразование полученного сигнала в вычислительном устройстве. Выходной аналоговый сигнал детектора предварительно усиливают в преобразующем усилительном каскаде путем подачи сигнала с выхода полупроводникового детектора на вход зарядочувствительного предусилителя, выполненного в виде составного каскада из полевого и первого биполярного транзисторов, включенных по каскодной схеме с дифференциальными входами, полученный сигнал преобразуют в импульсное напряжение с формированием сигнала типа квази Гаусс в формирующем усилительном каскаде на биполярных транзисторах, пропуская сигнал через дифференцирующий и интегрирующий каскады, работающие в микротоковом режиме и выполненные в виде единой схемы. Устройство для измерения уровня радиации содержит полупроводниковый детектор, связанный с входом предварительного усилителя, и вычислительное устройство. Полупроводниковый детектор, выполненный на основе широкозонного полупроводникового материала, установлен в объеме компаунда, совмещенном с основной платой преобразующего каскада, при этом выход полупроводникового детектора соединен с входом зарядочувствительного предусилителя, состоящего из составного каскада полевого и первого биполярного транзистора, включенных по каскодной схеме с дифференциальными входами, к которому дифференциально подключен второй биполярный транзистор, а выход этого каскада соединен с входом формирующего усилительного каскада на биполярных транзисторах, включенных по схеме составного транзистора и частотно зависимой цепи обратной связи. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройству формирования изображений методом излучения. Техническим результатом является обеспечение быстрой рентгеносъемки без снижения качества изображения данных изображения, получаемого излучением, при проведении коррекции смещения. Указанный результат достигается за счет того, что память (105) хранит первые данных изображения для коррекции смещения, генерируемые путем выполнения чересстрочного сканирования шин возбуждения только нечетных строк в блоке (103) возбуждения. Память (106) хранит вторые данные изображения для коррекции смещения из второй группы элементов изображения, генерируемые путем проведения чересстрочного сканирования шин возбуждения только четных строк в блоке (103) возбуждения. Блок (108) обработки синтезирует первые данные изображения для коррекции смещения и вторые данные изображения для коррекции смещения, тем самым генерируя данные изображения для коррекции смещения для одной части кадра, а блок (109) арифметических операций проводит обработку данных изображения, получаемого излучением, хранящимися в памяти (107), путем использования синтезируемых и генерируемых данных изображения для коррекции смещения для одной части кадра, что позволяет провести коррекцию смещения данных изображения, получаемого излучением. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 14 ил.

В изобретении предлагается чувствительный прибор (ЧП) для обнаружения заряженных частиц и/или квантов электромагнитного излучения. Технический результат заключается в снижении емкости соединения и упрощении сборки при соединении датчика и усилителя (У). ЧП имеет чувствительное устройство (ЧУ) (12) и схему У (14); (M1, M4). ЧУ (12) подает сигнал на входной узел Vin У (14); (M1, M4), чтобы вызвать изменение уровня Vout на выходном узле У (14). Устройство отрицательной обратной связи (ОС) (T1); (M2) в ответ на изменение уровня на выходном узле изменяет воздействие ОС, чтобы повысить петлевое усиление указанной схемы У (14); (M1, M4). Токовое зеркало (Т2, Т3); (М3, М6) повторно устанавливает входной узел в состояние его начального уровня. В изобретении раскрыт ЧП для обнаружения одиночной частицы и интегрирующий ЧП. 5 н. и 20 з.п. ф-лы, 21 ил.

Изобретение относится к области электрорадиотехники, более конкретно к детектированию входного сигнала путем распределения входного сигнала на независимые компоненты сигнала, которые усиливают независимо. Детектирование входного сигнала содержит генерирование из входного сигнала множества пространственно разделенных элементарных зарядов, каждый из которых имеет соответствующее известное количество элементарных зарядов, причем количество пространственно разделенных компонентов, состоящих из элементарных зарядов, в этом множестве представляет собой известную монотонную функцию амплитуды указанного входного сигнала; и независимое усиление каждого из множества пакетов заряда сигнала, причем каждый пакет заряда сигнала имеет второе количество элементарных зарядов, которое кратно соответствующему известному количеству и коэффициенту усиления. 3 н. и 91 з.п. ф-лы, 26 ил.

Детектор ионизирующих излучений содержит подложку с контактом, граничащий с подложкой полуизолирующий арсенидгаллиевый слой и барьерный контакт. Также детектор содержит изолирующий слой Ga_1-xAl_xAs, имеющий общую границу с полуизолирующим арсенидгаллиевым слоем, нелегированный слой арсенида галлия, имеющий общую границу с изолирующим слоем Ga_1-хAl_xAs, область p-типа проводимости, выполненную в нелегированном арсенидгаллиевом и изолирующем GaAlAs слоях, вплоть до полуизолирующего арсенидгаллиевого слоя, и высокоомную область, окружающую барьерный контакт по периферии. Описанная выше конструкция детектора обеспечивает высокую пороговую чувствительность и низкий уровень шума, высокое энергетическое разрешение, позволяющее детектировать слабые ионизационные потоки. 1 ил.

Детектор ионизирующих излучений содержит арсенидгаллиевую подложку с контактом, граничащий с ней полуизолирующий арсенидгаллиевый слой и омический контакт. Кроме того, детектор содержит изолирующий слой Ga_1-xAl_xAs, имеющий общую границу с полуизолирующим арсенидгаллиевым слоем, нелегированный слой арсенида галлия, имеющий общую границу с изолирующим слоем Ga_1-xAl _xAs, легированный слой арсенида галлия n-типа проводимости, имеющий общую границу с нелегированным GaAs слоем с выполненными на нем дополнительными омическим и барьерным контактами. Все эти слои совместно с упомянутым выше омическим контактом образуют полевой транзистор, содержащий область p-типа проводимости, сформированную в легированном и нелегированном арсенидгаллиевых слоях и изолирующем GaAlAs слое, и высокоомную область, расположенную по периферии упомянутого транзистора. Детектор такой конструкции обладает высокой пороговой чувствительностью, низким уровнем шума и высоким энергетическим разрешением и обеспечивает возможность детектирования слабых ионизационных потоков. 1 ил.

Полупроводниковый координатный детектор ионизирующего излучения, включающий подложку n⁺-типа проводимости, эпитаксиально выращенный на ней активный слой n ^- или р^-, или n_i -типа проводимости, на поверхности которого сформированы полосковые сигнальные электроды р⁺-типа проводимости с омическими контактами, разделенными друг от друга канавками. Канавки вытравлены на глубину 20-50% от толщины активного слоя, а на дне канавок сформированы n⁺-слои толщиной не более 3% толщины активного слоя. Предложенная конструкция детектора позволяет увеличить эффективность полезной площади отдельных каналов детектора с малыми токами утечки между каналами при реализации детектора с предельно малыми размерами пространственного шага. 1 ил.

Детектирующее устройство может быть использовано для беспленочной регистрации радиационных изображений в дефектоскопии, медицинской рентгенографии и медицинской компьютерной томографии, в которых используются стандартные рентгеновские аппараты. Технический результат изобретения: повышение разрешающей способности, эффективности регистрации излучения, радиационной стойкости и надежности. Сущность: в устройстве в качестве детекторов использованы твердотельные микрополосковые ионизационные камеры с резистивной характеристикой, изготовленные на основе полуизолирующего полупроводникового материала из арсенида галлия. Для регистрации по времени в устройстве применена аналоговая микросхема, построенная по конвейерному циклу работы, в котором время регистрации изображения равно времени вывода информации из микросхемы. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к детекторам с высокой эффективностью регистрации светового излучения, в том числе видимой части спектра, и может быть использовано в ядерной и лазерной технике, а также в технической и медицинской томографии и т.п. Технический результат заключается в повышении эффективности регистрации света в широком диапазоне длин волн за счет увеличения чувствительности ячеек, в достижении высокого одноэлектронного разрешения и подавлении фактора избыточного шума. Сущность: кремниевый фотоэлектронный умножитель (вариант 1) содержит подложку р⁺⁺-типа проводимости с концентрацией легирующей примеси 10¹⁸÷10²⁰ см ^-3 и состоит из ячеек, каждая из которых включает в себя эпитаксиальный слой р-типа проводимости с градиентно изменяющейся концентрацией легирующей примеси 10¹⁸÷10 ¹⁴ см^-3, выращенной на подложке, слой р-типа проводимости с концентрацией легирующей примеси 10¹⁵ ÷10¹⁷ см^-3, слой n⁺-типа проводимости с концентрацией легирующей примеси 10¹⁸ ÷10²⁰ см^-3, в каждой ячейке на слое оксида кремния размещен поликремниевый резистор, соединяющий слой n⁺-типа проводимости с шиной питания, между ячейками расположены разделяющие элементы. Кремниевый фотоэлектронный умножитель (вариант 2) содержит подложку n-типа проводимости, на которую нанесен слой р⁺⁺-типа проводимости с концентрацией легирующей примеси 10¹⁸÷10²⁰ см ^-3 и состоит из ячеек, при этом структура ячеек такая же, как в варианте 1, в каждой ячейке на слое оксида кремния размещен поликремниевый резистор, между ячейками расположены разделяющие элементы. 3 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области дозиметрических приборов и может быть использовано для контроля радиационной обстановки на предприятиях при проведении работ, связанных с дезактивацией, и для индивидуального дозиметрического контроля. Сущность: устройство содержит источник контроля, один или более детекторов излучения, узел счета и индикации. Источник питания выполнен на пьезоэлементах, а полупроводниковые элементы узла счета и индикации помещены в защитную оболочку, например из свинца. Также в устройство введен прямопоказывающий дозиметр, связанный с источником питания на пьезоэлементах. Технический результат изобретения: повышение надежности, радиационной стойкости и обеспечение требования постоянной готовности. 2 ил.

Использование: в области ядерной медицины, радиационной диагностике, в атомной энергетике, астрономии, физике космических лучей и т.д. Технический результат изобретения: исключение «поляризационного эффекта» за счет использования улучшенной конфигурации электрода. Сущность: полупроводниковый элемент-детектор излучения с барьером Шоттки включает кристалл полупроводникового соединения, содержащего в качестве главных компонентов кадмий и теллур, средства для приложения напряжения к кристаллу полупроводникового соединения. Указанные средства приложения напряжения содержат соединение индия, кадмия и теллура In_xCd_yTe_z , сформированное на одной поверхности кристалла полупроводникового соединения. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.