Оптические элементы, отличающиеся по материалу: .изготовленные из кристаллов, например каменной соли, из полупроводников – G02B 1/02

Группа изобретений относится к производству монокристалла алюмотербиевого граната, который может быть использован в качестве фарадеевского вращателя для оптических изоляторов. В монокристалле алюмотербиевого граната часть алюминия, по меньшей мере, заменена на скандий, и часть, по меньшей мере, одного из алюминия или тербия заменена, по меньшей мере, одним компонентом, выбранным из группы, состоящей из тулия, иттербия и иттрия, при этом монокристалл граната представлен общей формулой

Изобретение относится к технологии получения поликристаллических оптических материалов и может быть использовано при получении оптической керамики на основе оксидов, а также материалов на основе алюмомагниевой шпинели. Исходное сырье в виде брикета из порошка алюмомагниевой шпинели стехиометрического состава, легированного 1 вес.% фтористого лития, спекают в вакууме при температурах 1100-1500°C. Загружают в форму полученный брикет с диаметром, равным диаметру формы, и производят его уплотнение при температуре 1550-1600°C в течение 5-30 минут при давлении 350-500 кг/см², выдерживают 30-55 минут и охлаждают. Техническим результатом изобретения является получение поликристаллического оптического материала из алюмомагниевой шпинели, прозрачного в области 25000-2000 см^-1, особенно в ИК области спектра. 1 пр., 1 табл.

Дифрагирующая излучение пленка имеет поверхность наблюдения и включает упорядоченный периодический массив частиц, включенных в материал матрицы. Массив частиц обладает кристаллической структурой, которая имеет (i) множество первых плоскостей кристалла из упомянутых частиц, которые дифрагируют инфракрасное излучение, где упомянутые первые плоскости кристалла параллельны упомянутой плоскости наблюдения; и (ii) множество вторых плоскостей кристалла из упомянутых частиц, которые дифрагируют видимое излучение. При вращении пленки вокруг оси, перпендикулярной поверхности наблюдения, и при постоянном угле наблюдения упомянутой пленки видимое излучение с одной и той же длиной волны отражается от вторых плоскостей кристалла с интервалами, равными приблизительно 60°. Технический результат - создание пленки для подтверждения подлинности или идентификации объекта. 3 н. и 20 з.п. ф-лы, 5 ил., 5 пр.

Монокристаллы предназначены для ИК-техники и для изготовления из них методом экструзии одно- и многомодовых ИК-световодов для спектрального диапазона от 2 до 50 мкм, при этом формируется нанокристаллическая структура ИК-световодов с размером зерна от 30 до 100 нм, определяющая их функциональные свойства. Монокристалл изготовлен на основе бромида серебра и твердого раствора бромида и йодида одновалентного таллия (TlBr_0.46I_0.54 ) при следующем соотношении компонентов в мас.%: бромид серебра - 99,5-65,0; твердый раствор TlBr_0.46I_0.54 -0,5-35,0. Технический результат - воспроизводимость и прогнозируемость свойств, отсутствие эффекта спайности, устойчивость к радиационному, ультрафиолетовому, видимому и ИК-излучению.

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов германия в форме диска из расплава и может быть использовано для изготовления объективов в устройствах регистрации инфракрасного излучения. Монокристаллы германия выращивают в кристаллографическом направлении [111] после выдержки при температуре плавления в течении 1-2 часов, при температурном градиенте у фронта кристаллизации в пределах (10,0÷18,0) К/см, обеспечивающем плотность дислокации на уровне (2·10⁵-5·10⁵) на см ². Изобретение позволяет получать монокристаллы германия со значительным увеличением площади приема сигнала за счет направленного введения в выращиваемый кристалл заданной концентрации дислокации и их превращения из стандартных дефектов кристалла в активно действующие элементы устройств инфракрасной оптики. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области получения материалов прозрачных в инфракрасной области спектра, а именно кристаллов галогенидов серебра, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов прозрачных в области длин волн от 0,4 до 15 мкм, а также для изготовления волоконных световодов среднего ИК диапазона. Способ включает загрузку исходных индивидуальных солей хлорида и бромида серебра в контейнер из термостойкого стекла, их сплавление до заданного состава твердого раствора, выращивание монокристалла в галогенирующей атмосфере путем перемещения контейнера в температурном градиенте, охлаждение выращенного кристалла до комнатной температуры и извлечение кристалла из контейнера, затем монокристалл нагревают со скоростью 50-60°С в час до температуры 250-270°С, выдерживают при данной температуре 1-2 часа, охлаждают со скоростью 20-25°С в час до температуры 100-150°С, затем охлаждают со скоростью 30-40°С в час до комнатной температуры. Технический результат изобретения заключается в снижении внутренних напряжений в кристаллической заготовке, улучшении оптической однородности и снижении оптических потерь на длине волны 10,6 мкм. 2 пр.

Плоская линза из лейкосапфира изготовлена из пластически деформированной заготовки, в которой ось симметрии плоской линзы совпадает с высотой конуса оптических осей пластически деформированной заготовки. Входящая и выходящая поверхности являются плоскостями, перпендикулярными оси симметрии. Способ получения плоской линзы включает изготовление вогнуто-выпуклой заготовки путем пластической деформации изгиба плоскопараллельной пластинки из Z-среза кристалла. Линзу формируют с помощью удаления с заготовки избыточного слоя материала как плоскопараллельную пластинку, перпендикулярную оси симметрии заготовки, совмещенной с осью конуса оптических осей, заданной толщины. Входящая поверхность плоской линзы расположена на расстоянии х< от вершины заготовки, где - толщина заготовки. Технический результат - создание плоской собирательной линзы из лейкосапфира для необыкновенных лучей (для параллельного пучка света, направленного перпендикулярно входящей поверхности), прозрачной в области 25000-2000 см ^-1. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии опто- и микроэлектроники и может быть использовано для получения опалоподобных структур. Способ получения фотонно-кристаллических структур на основе металлооксидных материалов включает заполнение темплата, состоящего из монодисперсных микросфер полистирола, растворами металлсодержащих прекурсоров, и последующий отжиг структуры на воздухе при температуре 450-550°С в течение 8-10 часов. В качестве прекурсоров, из которых формируется структура, используют насыщенные спиртовые растворы дихлорида олова SnCl₂·2H₂O или нитрата цинка Zn(NO₃)₂·2H₂O. Изобретение позволяет получать фотонно-кристаллические структуры на основе SnO₂ и ZnO с фотонной стоп-зоной в видимой и ближней ИК-области спектра и пористостью не менее 85%. 5 ил.

Способ может быть использован при создании датчиков температуры для оптоэлектронных систем. Способ включает внедрение материала с изменяемыми посредством внешней температуры свойствами в структуру опала, полученную путем вытравливания коллоидных частиц, формирующих кристаллическую решетку фотонного кристалла с внедренным опалом, внедрение которого проводят методом инфильтрации прекурсора оксида опала. Начальная структура для фотонного кристалла образована частицами полистирола методом осаждения на плоскую подложку. Инфильтрацию прекурсора оксида опала в начальную структуру опала проводят при давлении от 1,2 до 1,5 раз выше атмосферного и температуре от 60 до 80°С. В качестве внедряемого материала используют мезоморфное вещество, представляющее собой холестерический жидкий кристалл, внедрение которого проводят пропиткой при температуре, большей температуры перехода жидкого кристалла в изотропное состояние (от 70°С), и при давлении от 150 до 200 кПа, с окончательной операцией нанесения на поверхность фотонного кристалла слоя металла толщиной от 150 до 300 нм методом магнетронного распыления со скоростью от 20 до 40 нм/мин для улучшения стабильности структуры в случае нагрева. Технический результат - получение нанокомпозиционных фотонных кристаллов на основе опала с фотонной запрещенной зоной, управляемой посредством изменения температуры окружающей среды. 1 ил.

Изобретение относится к области получения оптических сред, включая среды с избирательным пропусканием, с высокой лучевой прочностью. Способ осуществляют путем гидролиза коллоидной суспензии из тетраэфира ортокремневой кислоты в органическом растворителе - этаноле в присутствии катализатора - аммиака, в котором тетраэфир ортокремневой кислоты предварительно прогревают в интервале температур 350-420 К в течение 150-240 минут при соотношении последнего и аммиака 25%-ной концентрации в интервале от 2:1 до 1,2:1. Технический результат изобретения заключается в повышение лучевой прочности оптической среды в области 120-600 ГВт/см. 2 ил.

Изобретение относится к монокристаллам для видимого и инфракрасного (ИК) диапазонов спектра и может быть использовано для изготовления методом экструзии одно- и многомодовых ИК-световодов для спектрального диапазона от 2 до 45 мкм. Оптический монокристалл изготовлен на основе твердого раствора бромид серебра - иодид одновалентного таллия при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: бромид серебра 99,5-90; иодид серебра 0,5-10,0. Технический результат - создание монокристалла, прозрачного в спектральном диапазоне от 0,35 до 45,0 мкм, расширение диапазона прозрачности монокристалла, увеличение твердость и устойчивость к видимому, ультрафиолетовому, ИК и радиационному излучениям и повышение показателя преломления.

Изобретение относится к технологии получения сверхпрочного монокристалла алмаза, выращенного с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы. Способ включает размещение кристаллического зародыша алмаза в теплопоглощающем держателе, сделанном из вещества, обладающего высокой точкой плавления и высокой теплопроводностью, чтобы минимизировать температурные градиенты в направлении от края до края поверхности роста алмаза, управление температурой поверхности роста алмаза так, чтобы температура растущих кристаллов алмаза находилась в диапазоне примерно 1050-1200°С, выращивание монокристалла алмаза с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы на поверхности роста алмаза в камере осаждения, в которой атмосфера характеризуется соотношением азота к метану примерно 4% N₂/CH ₄, и проведение отжига монокристалла алмаза таким образом, что отожженный монокристалл алмаза имеет прочность, по меньшей мере, примерно 30 МПа м^1/2. 3 н. и 23 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.

Способ включает изготовление вогнуто-выпуклых заготовок путем пластической деформации изгиба плоскопараллельных пластинок из Z-среза кристаллов Аl₂O₃ пуансоном, поверхность которого является поверхностью вращения с профилем, описываемым уравнением параболы у^c= х+b, где с=0,7369n+1,0110, [2.85; 4.26] b [-1.93; -0.55] в зависимости от n - показателя преломления, ₀ - толщины линзы вдоль оси симметрии и R - радиуса полусферической поверхности. Далее входящую поверхность линзы формируют удалением с заготовки слоя материала как полусферическую, радиусом R, до заданной толщины ₀, обеспечивающей после преломления прохождение лучей вдоль оптических осей. Оптическую ось линзы ориентируют по оси симметрии заготовки. Технический результат - получение полусферических линз из лейкосапфира для параллельного пучка света без двулучепреломления, прозрачных в области 25000-2000 см^-1. 1 табл.

Изобретение относится к технологии получения новых композиционных материалов, которые могут быть использованы в квантовой оптоэлектронике и телекоммуникационной индустрии. Способ включает нагрев фотонных кристаллов из оксида кремния с модифицирующим агентом - кристаллофосфором йодидом цезия в вакууме при температуре не менее 800°С в течение не менее 15 час. Йодид цезия может быть активирован различными примесями (Na, Tl, In, СО₃ и др.), обеспечивающими более яркую, по сравнению с чистым CsJ, радиолюминесценцию на разных длинах волн видимого спектра. Использование в качестве наполнителя йодида цезия, являющегося сцинтиллятором, обеспечивает хорошую смачиваемость микросфер оксида кремния его расплавом под действием капиллярных сил без приложения внешнего давления, позволяя получать оптически инвертированный композит с примерно таким же оптическим контрастом (отношением коэффициентов преломления сред, заполняющих микросферы и поры между ними), как и у исходного оксида кремния. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического алмазного материала и может быть использовано в оптике для изготовления оптических и лазерных окон, оптических рефлекторов и рефракторов, дифракционных решеток и эталонов. Алмазный материал получают методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) в присутствии контролируемого низкого уровня азота, что позволяет контролировать развитие кристаллических дефектов и таким образом получить алмазный материал, обладающий основными характеристиками, необходимыми для использования в оптике. 6 н. и 69 з.п. ф-лы, 8 табл., 9 ил.

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов из кристаллов полупроводников и может быть использовано в инфракрасной технике. Линзы изготавливают из селенида цинка созданием в монокристаллах селенида цинка плотности дислокации 5×10⁵ см^-2 и последующим разделением монокристаллов по плоскости спайности путем разрыва в направлении, находящемся под углом 89-91 градус к плоскости спайности. Технический результат - изготовление наноразмерных линз из селенида цинка. 3 ил.

Способ может использоваться для получения линз сложной конфигурации из лейкосапфира и других одноосных кристаллов для оптических систем современных оптических и оптоэлектронных приборов, работающих в видимой и инфракрасной областях спектра. Способ включает изготовление вогнуто-выпуклых заготовок путем пластической деформации изгиба плоскопараллельных пластинок из Z-среза кристаллов Al ₂О₃ пуансоном в виде сферического сегмента. Оптическую ось линзы ориентируют по оси симметрии заготовки. Входящую поверхность линзы формируют с помощью методов удаления с заготовки избыточного слоя материала как асферическую поверхность, которая обеспечивает после преломления прохождение параллельного пучка лучей вдоль оптических осей. Уравнение осевого сечения асферической поверхности в полярной системе координат имеет следующий вид r=(R(n-1))/((n(1+tg² )^1/2-1)cos ), где r и - параметры полярной системы координат, n - показатель преломления обыкновенного луча, R - радиус поверхности пуансона. Технический результат - получение вогнуто-выпуклых линз для параллельного пучка света без двулучепреломления, прозрачных в области 25000-2000 см^-1. 1 табл.

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике. Способ состоит в абразивной полировке кристаллов AgCl с водным раствором тиосульфата натрия, завершающейся промывкой обрабатываемого изделия в 30-40% растворе 2-метил-2-аминопропана (СН₃) ₃CNH₃ в этаноле C ₂H₅OH, и последующей сухой финишной полировке. Способ обеспечивает высокоточную полировку изделий из кристаллов хлорида серебра и высокое качество полированных поверхностей.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Preparation of bulk oriented samples silver bromide and silver chloride single crystals. «Kristall und Technik», 10(3), 1975, 259-262, STN БД СА, AN 82:132176, abstract. РЕГЕЛЬ В.Р. и др. Выявление выходов дислокаций на поверхность кристалла методом травления. Обзор. «Кристаллография», т.4, вып.6, с.941.

Способ относится к технологии изготовления линз из лейкосапфира и других одноосных кристаллов для оптических систем, работающих в видимой и инфракрасной областях спектра. Способ включает изготовление вогнуто-выпуклых заготовок путем пластической деформации изгиба плоскопараллельных пластинок из Z-среза кристаллов Al ₂O₃. Пластическую деформацию изгиба проводят пуансоном в виде сферического сегмента. После чего входящую поверхность линзы формируют с помощью методов удаления с заготовки избыточного слоя материала как асферическую поверхность, уравнение осевого сечения которой имеет следующий вид: у=5,395 10 ^-5x³+0.008x² +0.012х-0.023, a оптическую ось линзы ориентируют вдоль оси симметрии заготовки. Технический результат - получение выпукло-вогнутых линз с минимальным двулучепреломлением для сходящегося пучка лучей, прозрачных в области 25000-2000 см-¹ . 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к оптическим материалам, конкретно к монокристаллам для видимого и инфракрасного (ИК) диапазона спектра, которые применяются для получения ИК-световодов, используемых в лазерной технике, ИК-волоконной и нелинейной оптике, низкотемпературной ИК-пирометрии, ИК-спектроскопии. Монокристалл на основе твердого раствора AgCl-AgBr содержит дополнительно две изовалентные примеси, т.е. примеси одинаковой валентности, одна из которых является катионной - одновалентный таллий, а другая анионной - йод. Монокристалл содержит иодид серебра - 0,5-1,5 мас.% и иодид одновалентного таллия - 1,0-3,0 мас.% при содержании хлорида серебра 18,0-22,0 мас.% и бромида серебра 77,5-76,5 мас.%. В результате наличия Agl и TLI оптический монокристалл имеет улучшенные физико-химические свойства: расширяется диапазон прозрачности, повышается твердость и лучевая прочность, при этом повышается устойчивость к видимому, ультрафиолетовому, инфракрасному и радиационному излучениям.