Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности, материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты, устройства, специально приспособленные для этих целей: ..хинондиазиды – G03F 7/022

Изобретение относится к фотолитографическим процессам по формированию на функциональной поверхности подложки с помощью фоторезистов рельефного покрытия заданной конфигурации для получения изображения рисунков при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике. Предлагается способ получения позитивного фоторезиста взаимодействием пленкообразующего в виде фенолоформальдегидных смол и светочувствительного компонента - продукта взаимодействия 1,2-нафтохинондиазид-(2)-4-сульфохлорида с 3-(2-этилгексилокси)пропиламином. Процесс ведут в смеси органических растворителей на основе сложных эфиров карбоновых кислот и ксилола в присутствии неионогенного поверхностно-активного вещества - фторалифатического эфира плотностью 1,1-1,17 г/см³ и альфа-метилстирола и/или п-аминофенола при массовом соотношении их в смеси 1:1. Полученный позитивный фоторезист обладает повышенной светочувствительностью и разрешающей способностью для экспонирующего излучения _max=365 нм. 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к способу получения термостойкого позитивного фоторезиста, который используется в качестве защитного покрытия и межслойной изоляции в многоуровневых электронных приборах и устройствах. Сущность способа получения позитивного термостойкого фоторезиста заключается в поликонденсации дихлорида изофталевой кислоты со смесью 3,3'-дигидрокси-4,4'-диаминодифенилметана и бис-(3-аминопропил)диметилсилоксана в амидном растворителе при соотношении аминных компонентов от 9:1 до 1:9 мол.%. Раствор светочувствительного компонента , -бис-нафтохинондиазидо-(1,2)-5-сульфоэфир-(4-гидроксифенил)пропана в амидном растворителе добавляют непосредственно в реакционную массу после завершения реакции поликонденсации. При этом для получения фоторезиста выбирают следующие соотношения компонентов, мас.%: реакционный раствор поли(о-гидроксиамида) - 80-90; , -бис-нафтохинондиазидо-(1,2)-5-сульфоэфир-(4-гидроксифенил)пропан - 1,5-6,5; амидный растворитель - остальное. Полученный термостойкий позитивный фоторезист надежно обеспечивает формирование высокоразрешенного, адгезионнопрочного, химически стойкого позитивного микрорельефа на смешанных, в том числе кремнийсодержащих, субстратах. 2 з.п. ф-лы.