Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности, материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты, устройства, специально приспособленные для этих целей: ....полиамидами или полиимидами – G03F 7/037
Раздел G ФИЗИКА
G03 Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
G03F Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей
G03F 7/00 Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей
G03F 7/037 ....полиамидами или полиимидами
Патенты в данной категории
СУХОЙ ПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ
Описывается сухой пленочный фоторезист, который используется для получения защитных селективных покрытий прецизионных печатных плат и гибридных интегральных схем. Сухой пленочный фоторезист водно-щелочного проявления содержит карбоксилсодержащий полимер, полярный олигомер - метакрилированную эпоксидную смолу на основе 4,4"-диокси-(2,2-дифенилпропана) с молекулярной массой 540-600 у.е., сшивающий олигомер, ингибитор, фотоинициирующую смесь бензофенона и 4,4"-бис-(диметиламино)-бензофенона, причем в качестве карбоксилсодержащего полимера он содержит ненасыщенную полиамидокислоту общей формулы I, при n=8-15, с молекулярной массой 5,9-10,7 тыс. у.е. Предложенный сухой пленочный фоторезист хорошо проявляется 1-3%-ными водными растворами слабых щелочей, например карбонатов щелочных металлов. Защитные покрытия на основе предлагаемого сухого пленочного фоторезиста обладают более высокой термостойкостью и повышенной разрешающей способностью, что позволяет его использовать для получения защитных селективных покрытий прецизионных печатных плат и гибридных интегральных схем. 2 табл.  
|
2190871 патент выдан: опубликован: 10.10.2002 |
|
СУХОЙ ПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ
Описывается сухой пленочный фоторезист, который используется для получения защитных селективных покрытий печатных кабелей и гибких печатных плат. Сухой пленочный фоторезист водно-щелочного проявления содержит карбоксилсодержащий полимер, полярный олигомер - метакрилированную эпоксидную смолу на основе 4,4"-диокси-(2,2-дифенилпропана) с молекулярной массой 540-600 у. е. , сшивающий олигомер, ингибитор, фотоинициирующую смесь бензофенона и 4,4"-бис-(диметиламино)-бензофенона, причем в качестве карбоксилсодержащего полимера он содержит ненасыщенную полиамидокислоту общей формулы I, при n= 12-35, с молекулярной массой 6,5-18,3 тыс. у.е. Предложенный сухой пленочный фоторезист хорошо проявляется 1-3%-ными водными растворами слабых щелочей, например, карбонатов щелочных металлов. Защитные покрытия на основе предлагаемого сухого пленочного фоторезиста обладают повышенной термостойкостью и гибкостью в термоотвержденном состоянии, которые позволяют его использовать для получения ответственных изделий печатного монтажа. 2 табл.   где R"=-O-; -CH2-. |
2190870 патент выдан: опубликован: 10.10.2002 |
|
СУХОЙ ПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ
Описывается сухой пленочный фоторезист, который используется для получения защитных рельефов с повышенной термостойкостью при изготовлении микросхем и плат печатного монтажа. Сухой пленочный фоторезист водно-щелочного проявления содержит карбоксилсодержащий полимер, полярный олигомер - метакрилированную эпоксидную смолу на основе 4,4"-диокси-(2,2-дифенилпропана) с мол. м. 540-600 у. е. , сшивающий олигомер, ингибитор, фотоинициирующую смесь бензофенона и 4,4"-бис-(диметиламино)-бензофенона, причем в качестве карбоксилсодержащего полимера он содержит ненасыщенную полиамидокислоту общей формулы I, при n= 10-25, с мол. м. (6,4-15,6) 103 у. е. Предложенный сухой пленочный фоторезист хорошо проявляется 1-3%-ными водными растворами слабых щелочей, например карбонатов щелочных металлов. Защитные покрытия на основе предлагаемого сухого пленочного фоторезиста обладают повышенной термостойкостью, которая позволяет использовать его для получения ответственных изделий микроэлектроники. 2 табл.  
|
2190869 патент выдан: опубликован: 10.10.2002 |
|