Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности, материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты, устройства, специально приспособленные для этих целей: ..высокомолекулярные соединения, разлагающиеся под действием света, например позитивные электронные резисты – G03F 7/039

МПК Раздел G G03 G03F G03F 7/00 G03F 7/039

Раздел G ФИЗИКА

G03 Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография

G03F Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей

G03F 7/00 Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей

G03F 7/039 ..высокомолекулярные соединения, разлагающиеся под действием света, например позитивные электронные резисты

Патенты в данной категории

	ЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ К ОБЛУЧЕНИЮ КОМПОЗИЦИЯ, ИЗМЕНЯЮЩАЯ ПОКАЗАТЕЛЬ ПРЕЛОМЛЕНИЯ Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям, изменяющим показатель преломления, позволяющим получить новую модель распределения показателя преломления, в частности оптический материал, используемый в области оптоэлектроники и устройствах отображения информации. Описывается чувствительная к излучению композиция с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, содержащая разлагаемое соединение (А), неразлагаемый компонент (В), включающий частицы неорганического оксида, устойчивые к кислоте или к основанию, которые вызываются источником кислоты или основания веществом (С), и чувствительное к облучению разлагающее вещество (С), причем показатель преломления п_А разлагаемого соединения и показатель преломления п_В неразлагаемого соединения находятся в одном из нижеследующих отношений (1) и (2): п_В-п_А 0,05 (1), п_А-п_В 0,05 (2), а количество компонента (В) составляет 10-90 мас.ч. в расчете на 100 мас.ч. от общего количества компонентов (А) и (В), и количество компонента (С) составляет 0,01-30 мас.ч. в расчете на 100 мас.ч. от общего количества компонентов (А) и (В). Полученная на основе указанной композиции модель позволяет простым способом изменять показатели преломления с достижением достаточно большой разницы между ними и их стабильности независимо от условий применения. 7 н. 5 з.п. ф-лы, 3 табл.	2281310 патент выдан: опубликован: 10.08.2006
	ФОТОРЕЗИСТНАЯ КОМПОЗИЦИЯ И ПОЛИМЕР Изобретение относится к радиационно-чувствительной фоторезистной композиции. Описывается фоторезистная композиция, содержащая генерирующий кислоту фотоинициатор, растворитель, необязательно, ингибитор растворения и полимер, содержащий повторяющиеся полициклические звенья, содержащие кислотно-лабильные группы, с молекулярной массой от около 500 до около 1000000, являющийся продуктом полимеризации полициклических мономеров, замещенных по меньшей мере одной кислотно-лабильной группой, и необязательно в сочетании с мономером, выбранным из группы, включающей малеиновый ангидрид, окись углерода, полициклический мономер, замещенный карбоксильной группой, алкилзамещенный полициклический мономер и их смеси. При облучении формирующим изображение источником излучения кислотный фотоинициатор генерирует кислоту, расщепляющую боковые лабильные кислотные группы, что приводит к изменению полярности полимера. Полимер приобретает растворимость в водном растворе основания в местах облучения формирующим изображение источником излучения. Предложенная фоторезистная композиция обеспечивает совместимость с общей схемой химической амплификации и прозрачность по отношению к формирующему изображение коротковолновому излучению. 2 с. и 33 з.п.ф-лы, 2 табл.	2194295 патент выдан: опубликован: 10.12.2002
	ПОЛИОРГАНОСИЛАНЫ И ДВУХСЛОЙНАЯ ПОЗИТИВНАЯ МАСКА ДЛЯ ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ОСНОВЕ ПОЛИОРГАНОСИЛАНА Использование: в микроэлектронике. Полиорганосиланы ф-лы 1, где R₁-этиладамантил, этил(диметиладамантил), R₂-метил, фенил, R₃-метил, фенил, циклогексил, m 2 - 3000, n 2 - 3000, м:n 1:(0,1 - 10) для изготовления позитивной маски для фотолитографии. 2 табл., 1 ил. Структура соединения ф-лы 1: л	2118964 патент выдан: опубликован: 20.09.1998

	ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике. Предложен позитивный фоторезист, содержащий, мас.%: крезолформальдегидную новолачную смолу 60 - 66,5; диэфир 1,2 - нафтохинодиазид-(2), 5 - сульфокислоты и 2,4 - диокисибензофенона 30 - 33; органическое соединение, обладающее электродонорными свойствами, выбранное из ряда: п-диметиламинобензальдегид, п-диэтиламинобензальдегид, п-фенилендиамин, нитрозодиэтиланилин, о-фенилендиамин, ферроцен 2 - 9 и органический растворитель остальное. Фоторезист обладает высокой чувствительностью к изучению в ближнем ультрафиолете, высокой контрастностью и резестентностью в кислых средах.	2100835 патент выдан: опубликован: 27.12.1997
	КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ЭЛЕКТРОННО- И РЕНТГЕНОРЕЗИСТА Использование: в электроннолучевой литографии и микроэлектронике. Сущность изобретения: композиция для получения позитивного электронно- и рентгенорезиста содержит 8 15 мас. полиметилметакрилата с мол. м. 125000 439000 и молекулярно-массовым распределением 1,5 1,85, полученный в присутствии 0,5 1,5 мас. органогидридолигосилана в диметиловом эфире диэтиленгликоля. Раствор наносят на пластину из арсенида галлия или оксида кремния, сушат, получают пленку резиста толщиной 0,3 0,5 мкм. 1 табл.	2044340 патент выдан: опубликован: 20.09.1995