Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности, материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты, устройства, специально приспособленные для этих целей: .экспонирование, устройства для этой цели – G03F 7/20

Устройство содержит основание и множество выпуклых или вогнутых структурных элементов, расположенных на поверхности основания с шагом, равным или меньше, чем длина волны видимого света. Структурные элементы формируют множество линий дорожек и формируют структуру четырехугольной или квазичетырехугольной решетки. В одном варианте каждый структурный элемент имеет форму эллиптического или усеченного эллиптического конуса, длинная ось которого параллельна линии дорожки. В другом варианте отношение ((2r/P1)×100) диаметра 2r к шагу P1 размещения составляет 127% или больше, где P1 - шаг размещения структурных элементов на одной и той же дорожке, и 2r - диаметр нижней поверхности структурного элемента в направлении дорожки. При осуществлении способа формируют слой резиста на периферийной поверхности эталонной формы, имеющей вид колонны или цилиндра, формируют скрытые изображения путем прерывистого облучения лазерным лучом слоя резиста при вращении эталонной формы с относительным перемещением пятна лазерного луча параллельно ее центральной оси, формируют структуру резиста путем его проявления и формируют структурные элементы травлением, используя структуру резиста в качестве маски. Технический результат - улучшение антиотражающей характеристики. 7 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 табл., 67 ил.

Изобретение относится к устройству экспонирования, жидкокристаллическому устройству отображения и способу для производства жидкокристаллического устройства отображения. Это изобретение является устройством экспонирования для экспонирования фотоориентирующей пленки, предоставленной на подложке. Устройство экспонирования включает в себя источник света и фотомаску и экспонирует фотоориентирующую пленку через фотомаску, сканируя при этом источник света или подложку. Когда направление, в котором сканируется источник света или подложка, выбирается в качестве направления сканирования, а направление, которое ортогонально направлению сканирования, выбирается в качестве вертикального направления, фотомаска включает в себя первую область и вторую область, которая граничит с первой областью в вертикальном направлении. Первая область включает в себя множество первых прозрачных частей внутри первой светозащитной части. Множество первых прозрачных частей размещается в вертикальном направлении. Вторая область включает в себя множество вторых прозрачных частей внутри второй светозащитной части. Множество вторых прозрачных частей меньше множества первых прозрачных частей. Множество вторых прозрачных частей размещается в вертикальном направлении и дискретно рассредоточено в направлении сканирования. Технический результат - предоставить устройство экспонирования, которое может препятствовать визуальному распознаванию неравномерности отображения на участке стыка, даже если сканирование временно останавливается во время сканирующего экспонирования. 3 н. и 25 з.п. ф-лы, 36 ил.

Изобретение относится к оптике. Исходный рисунок преобразуют в растр в цифровой форме и записывают информацию об амплитуде и фазе, характеризующих каждую точку растра как протяженный или точечный излучатель. Рассчитывают параметры физической структуры проекционной маски, которые используют для последующего расчета оптимизированного электромагнитного поля. Моделируют в цифровом виде процесс создания полем изображения топологии на фоточувствительном материале и оценивают совпадение модели цифрового растра изображения топологии с цифровым растром исходного рисунка. При несовпадении более заданного вносят коррекцию в параметры физической структуры проекционной маски, повторяя процедуру несколько раз до достижения заданного совпадения. Полученную в результате цифровую форму электромагнитного поля используют в качестве исходной для расчета цифрового растра голограммы и используют в качестве сигнала модуляции пучка излучения, формирующего дифракционную структуру на носителе. Технический результат - уменьшение отклонений геометрии получаемого рисунка от заданного, повышение контраста получаемого рисунка и снижение уровня шума в засвечиваемых и незасвечиваемых областях рисунка. 9 з.п.ф-лы.

Изобретение относится к области полиграфии. Сущность изобретения заключается в том, что узел (4) подачи формных пластин и выпуска печатных форм, который подает формную пластину (Р1) в блок (3) рисования, принимает печатную форму (Р2), которая получена путем рисования изображения на формной пластине (Р1), из блока (3) рисования и выдает ее в устройство обработки. Узел (4) подачи формных пластин и выпуска печатных форм включает в себя стол (41) для подачи формных пластин, обеспечивающий плавучесть формной пластины (Р1) при атмосферном давлении, перемещает формную пластину (Р1) в состоянии, в котором обеспечивается ее плавучесть при атмосферном давлении, над столом (41) для подачи формных пластин и подает ее в блок (3) рисования. Технический результат - предотвращение повреждения формных пластин и печатных форм в устройстве для подачи формных пластин и выпуска печатных форм (устройстве для формирования печатных форм). 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 30 ил.

Оптическое устройство имеет множество структур с возвышенными или углубленными участками, расположенными с коротким шагом, равным или короче, чем длина волны видимого света, на поверхности основания. Структуры образуют множество рядов в виде дугообразных дорожек на поверхности основания и образуют конфигурацию квазишестиугольной решетки. Структура имеет форму эллиптического конуса или усеченного эллиптического конуса, имеющего главную ось в направлении вдоль дугообразных дорожек. Способ изготовления мастер-копии для использования при производстве оптического устройства включает первый этап, на котором готовят подложку со сформированным на поверхности слоем резиста; второй этап, на котором формируют скрытое изображение путем периодического облучения лазерным лучом слоя резиста при вращении подложки и относительном перемещении лазерного луча в радиальном направлении относительно вращения подложки; и третий этап, на котором формируют конфигурацию резиста на поверхности подложки посредством проявления слоя резиста. Технический результат - улучшение антиотражения и плотности упаковки структур. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 58 ил.

Способ может быть использован для создания сложных дифракционных оптических элементов (ДОЭ) - линз Френеля, киноформов, фокусаторов, корректоров и др. Способ включает нанесение фоторезистного слоя на субстрат, операции сушки, экспонирования, проявления пленок, их термозадубливание и реактивное или плазмохимическое травление субстрата смесью газов через маскирующий слой термозадубленного фоторезиста. В качестве фоторезиста используют термостойкую светочувствительную композицию поли(о-гидроксиамида) на основе 3,3'-дигидрокси-4,4'-диаминодифенилметана и изофталоилхлорида со светочувствительными производными 1,2-нафтохинондиазида. Нанесение фоторезиста осуществляют на субстрат, нагретый до 80-90°С. Сушку проводят при 90±10°С в течение 30-40 мин. Термозадубливание проводят в вакууме ((2-4)×10^-5 мм рт.ст.) при плавном повышении температуры от 200 до 370°С в течение 10-15 мин с последующей выдержкой при 370°С в течение 30 мин. Ионное и реактивное плазмохимическое травление осуществляют смесью газов: SiCl₄+Ar, фреон 12 + кислород. Технический результат - повышение точности изготовления микрорельефа на границах разрыва фазовой функции любой конфигурации и расширение технологических возможностей. 3 з.п. ф-лы, 1 табл.

Защитное устройство формируется следующим способом. Обеспечивается непроявленный фоторезистивный слой на электрически проводящем слое. Формируется первый дифракционный шаблон на непроявленном фоторезистивном слое с помощью оптической интерферометрии. Формируется второй дифракционный шаблон в непроявленном фоторезистивном слое с помощью электронно-лучевой литографии. Проявляется фоторезистивный слой. Технический результат - получение дифракционных шаблонов, полученных путем оптической интерферометрии и электронно-лучевой литографии в одном и том же фоторезистивном слое. 2 н. и 24 з.п. ф-лы, 16 ил.

Способ фотолитографии при помощи излучения в далекой ультрафиолетовой области спектра предназначен для нанесения рисунка на объект (OBJ) и содержит плоскую поверхность, расположенную перпендикулярно излучению и содержащую светочувствительную зону (PR). Объект может перемещаться поперечно относительно этого излучения. Излучение, предназначенное для фотолитографии, содержит, по меньшей мере, одну линию в далекой ультрафиолетовой области спектра, и состоит из N последовательных текущих импульсов, для которых измеряют поверхностную энергию ВУФ-излучения, прошедшего через облучающее окно. Импульсы ВУФ-излучения получают путем возбуждения соответствующей мишени, по меньшей мере, двумя лазерными пучками, выходящими из импульсных лазерных источников, выбранных из множества. Каждый из лазерных источников при каждом включении излучает лазерный импульс с энергией величиной (Q) с заданной длительностью ( t), при этом лазерные источники сфокусированы на одно и то же место мишени. Способ включает следующие повторяющиеся этапы, в рамках одного n^-го повтора: а) интегрирование поверхностной энергии ВУФ-излучения, прошедшего через облучающее окно за n-1 последних импульсов; б) в течение временного интервала, разделяющего два последовательных импульса ВУФ-излучения, поступательное перемещение светочувствительного объекта на расстояние, равное 1/N-ой доле ширины (L) облучающего окна вдоль оси этого перемещения; в) вычитание интеграла, полученного на этапе а), из количества энергии (W _tot), необходимого для процесса фотолитографии; г) определение количества энергии, которое остается генерировать для получения этого количества энергии (W_tot); д) вычисление числа лазерных импульсов, которые осталось генерировать для n^-го текущего импульса; е) определение соответствующего числа лазерных источников, предназначенных для включения, и выбор лазерных источников в количестве, равном целой части этого числа; ж) синхронное включение лазерных источников, выбранных на этапе е) и повторение этапов а) - ж) для следующей текущей точки. Технический результат - создание способа, который является эффективным в режиме непрерывной работы, а также обеспечивает погрешность величины получаемой дозы облучения порядка 0,1% или меньше. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 11 ил.

Станция имеет один или более источников излучения для экспозиции полотна листового материала, ленту для маскирования с областями, обладающими различными оптическими свойствами, два или более направляющих средства для направления ленты для маскирования и/или полотна листового материала так, чтобы лента для маскирования перемещалась в область освещения между источниками излучения и полотном листового материала, и средство сцепления для прохождения ленты для маскирования через область освещения с такой же скоростью, как и полотно листового материала. Лента для маскирования и полотно листового материала перемещаются в области освещения на расстоянии друг от друга. Лента для маскирования имеет несущий слой из материала, проницаемого для излучения одного или более источников излучения, и имеет области, обладающие различными оптическими показателями преломления, и/или различными поляризационными свойствами, и/или различными отражательными свойствами. Технический результат - ускорение процесса изготовления за счет уменьшения числа этапов изготовления, обеспечение высокой точности и хорошей разрешающей способностью при высокой скорости обработки. 2 н. и 21 з.п. ф-лы, 5 ил.

Способ изготовления резистной матрицы, которая имеет по меньшей мере два участка с различными изображениями на них и при изготовлении которой используют по меньшей мере два слоя фоторезистов, согласованных с типом создаваемых изображений, причем в слое первого и/или второго фоторезиста экспонированием формируют или записывают дифракционные структуры. Технический результат: упрощение способа экспонирования резистов излучениями различных типов, обеспечение возможности согласования толщины слоя резиста на различных участках с параметрами экспонирования при возникновении в этом необходимости. 11 н. и 26 з.п. ф-лы, 48 ил.

Изобретение относится к способу изготовления подложки, снабженной слоем резиста с рельефной структурой, воспроизводящей дифракционную структуру. К слою резиста по меньшей мере на отдельных участках примыкает проводящий слой, который при экспонировании слоя резиста электронным лучом рассеивает первичные электроны и/или эмиттирует вторичные электроны. При осуществлении этого способа материал слоя резиста и материал проводящего слоя, а также параметры экспонирования согласуют между собой с таким расчетом, чтобы слой резиста подвергался экспонированию и вне зоны воздействия электронного луча таким образом, чтобы у получаемой таким путем рельефной структуры образующие ее рельефные элементы имели наклонные боковые поверхности. Предложенный способ позволяет простым путем получить рельефные структуры, рельефные элементы которых имеют пологие боковые поверхности с острым углом подъема, составляющим предпочтительно менее 89°, и создавать в слое резиста пологие структуры типа голограмм. 5 н. и 17 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к производству печатных форм. Изобретение включает нанесение цифровых оптических изображений, а также осуществляемую в узле записи запись записываемого цифровым способом слоя в соответствии с изображением с целью создания маски на флексографском печатающем элементе и осуществляемое в узле экспонирования экспонирование флексографского печатающего элемента путем пропускания актинического света через созданную маску. Изобретение обеспечивает переработку флексографских печатающих элементов и печатных форм в плоском состоянии. Технический результат - ускорение переработки печатных форм без их изгиба. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 ил.

Способ получения изображения включает получение изображения в виде множества суммарных зон перекрытия пятен засветки, в которых доза излучения равна или превышает пороговое значение. При экспонировании осуществляют перемещение матрицы излучателей или/и чувствительного материала на расстояние, не превышающее максимальный характерный размер d пятен засветки, изменяя размер области перекрытия с дискретом, определяемым шагом перемещения, выбранным из диапазона от 0,01 нм до d. При получении бинарных голограмм на поверхности пленки непрозрачного материала располагается чувствительный материал и после получения на нем изображения указанным способом или с помощью матрицы излучателей, выполненных в виде источников пучков корпускулярных частиц, перемещаемой с шагом, выбранным из диапазона от 0,01 нм до d₂, где d₂ - максимальный характерный размер формируемых областей пропускания, в пленке формируют множество областей пропускания. Бинарную голограмму используют при получении изображения, при этом ее располагают с возможностью пошагового перемещения в направлении, перпендикулярном поверхности чувствительного к используемому излучению материала, с шагом от 0,01 нм до s, где s - величина изменения расстояния между чувствительным к используемому излучению материалом и бинарной голограммой, при котором разрешение формируемого голограммой изображения уменьшается на 20%. Обеспечивается упрощение технологического процесса создания высокоразрешающих изображений на чувствительном к используемому излучению материале, а также значительное повышение разрешения при формировании получаемого изображения. 4 н. и 36 з.п. ф-лы, 8 ил.

Использование: изобретение относится к устройству, предназначенному для создания рисунка с чрезвычайно высоким разрешением на заготовке, например, такого как рисунок на полупроводниковом чипе с линиями шириной 50 мм. Сущность изобретения: устройство содержит источник для испускания электромагнитного излучения в диапазоне длин волн 100 нм и ниже, пространственный модулятор, имеющий множество пикселей, электронную систему обработки и подачи данных, принимающую цифровое описание рисунка, подлежащего записи, выделяющую из него последовательность частичных рисунков, преобразующую упомянутые частичные рисунки в сигналы модулятора и подающую упомянутые сигналы в модулятор, и прецизионную механическую систему для перемещения упомянутой заготовки и/или проекционной системы друг относительно друга. Оно также содержит электронную систему управления, координирующую перемещение заготовки, подачу сигналов в модулятор и интенсивность излучения, так, чтобы упомянутый рисунок сшивался вместе от частичных изображений, созданных последовательностью частичных рисунков. Техническим результатом изобретения является создание генератора рисунков, использующего для освещения источник электромагнитного излучения в диапазоне длин волн 100 нм и ниже. 7 з.п. ф-лы, 7 ил.

Способ включает создание на поверхности чувствительного к используемому излучению материала пятен засветки с помощью матрицы или составной матрицы излучателей, содержащей N матриц, где N2. Размеры матрицы или составной матрицы излучателей равны или превышают размеры заданного изображения, а диаметр d потока излучения на выходе из каждого излучателя составляет менее 100 нм. Заданное изображение получают путем пошагового перемещения матрицы и/или чувствительного к используемому излучению материала на расстояния, не превышающие максимального расстояния между осями соседних излучателей, с шагом, меньшем d, а предпочтительно с шагом от 0,01 до 1 нм. В качестве матрицы излучателей может быть использована матрица световодов, соединенных с источником или источниками излучения и выполненных из оптоволоконных световодов с утоненными концами или в виде микроконусов из материала, прозрачного для используемого излучения, а также матрица может быть выполнена в виде матрицы автоэмиссионных эмиттеров. Техническим результатом является принципиальное упрощение технологического процесса создания высокоразрешающих изображений на чувствительном к используемому излучению материале и упрощение конструкции используемого оборудования, а также повышение разрешения при формировании получаемого изображения. 2 н. и 28 з.п. ф-лы, 2 ил.

Устройство по первому варианту содержит световоды, соединенные с источником излучения и выполненные оптоволоконньми с утоненными концами или в виде микроконусов. Диаметры утоненных концов оптоволоконных световодов или радиусы закругления при вершине микроконусов имеют размер от 10 до 50 нм. Расстояние z между световодами и фоторезистом составляет от 1 до 2000 нм. Устройство по второму варианту содержит по меньшей мере один автоэмиссионный эмиттер, соединенный с источником тока, и подложку с фоторезистом, которые расположены в магнитном поле, направленном вдоль продольной оси острия каждого из автоэмиссионных эмиттеров. Световоды или автоэмиссионные эмиттеры и/или подложка с фоторезистом установлены с возможностью перемещения относительно друг друга с помощью XYZ-нанопозиционера с дискретом до 0,01 нм. Обеспечивается возможность работы в условиях ближнего поля при практическом отсутствии дифракционных искажений, а также заданная точность изменения диаметра пятна засветки в зависимости от расстояния до фоторезиста и получение рисунка, например, в виде линии без перемещения фоторезиста и/или световодов по крайней мере в направлении, перпендикулярном этой линии. 2 с. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил.

Литографическое устройство содержит опору для образца, маску, источник излучения в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне спектра, оптическое средство для собирания и передачи излучения к маске и оптическое средство для уменьшения этого изображения и проекции уменьшенного изображения на образец. Устройство содержит многослойные зеркала, каждое из которых содержит подложку и комплект чередующихся слоев первого и второго материалов. Первый материал имеет атомный номер больше атомного номера второго материала. Толщина пар смежных слоев является монотонной функцией глубины в комплекте, причем эта глубина отсчитывается от свободной поверхности комплекта. Источник содержит по меньшей мере одну твердую мишень, которая при взаимодействии с лазерным лучом, сфокусированным на одной из ее поверхностей, эмитирует экстремальное ультрафиолетовое излучение с другой поверхности. Обеспечивается использование экстремального ультрафиолетового излучения, увеличение спектральной полосы зеркал и уменьшение тепловой деформации зеркал. 18 з.п.ф-лы, 15 ил.