Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности, материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты, устройства, специально приспособленные для этих целей: .обработка светочувствительных материалов, устройства для этой цели – G03F 7/26

Способ относится к области формирования (синтеза) трехмерных объектов произвольной формы с использованием технологии интерференционной литографии. Способ получения трехмерных объектов произвольной формы методом интерференционной литографии включает осуществление предварительного расчета амплитуд и фаз интерферируемых когерентных волн по заданной форме объекта, освещение фоточувствительного материала последовательностью групп интерферирующих когерентных волн с получением трехмерного распределения плотности поглощенной световой энергии, проявление полученного фотоматериала и получение твердых трехмерных объектов. Технический результат заключается в обеспечении возможности синтеза трехмерных объектов произвольной формы с субволновым разрешением. 21 з.п. ф-лы, 9 ил.

Настоящее изобретение относится к фотолитографическому процессу формирования рельефных покрытий на функциональных поверхностях подложек для интегральных схем с помощью фоторезиста и, в частности, к безметальному проявителю позитивного фоторезиста. Безметальный проявитель позитивного фоторезиста содержит 1,0-5,0% водный раствор тетраметиламмония гидроксида или триметил(2-гидроксиэтил) аммоний гидроксида и фторсодержащее поверхностно-активное вещество, при рН раствора не менее 11. В качестве ПАВ используют соединения формулы: R_fZQA, где

при n=3; m=1-3;Z=SO₂;

Концентрация данного ПАВ в растворе от 10 до 100 ppm. Техническим результатом настоящего изобретения является создание безметального проявителя для позитивного фоторезиста на основе водного раствора органических щелочей и фторорганического ПАВ, улучшающего качество проявления топологической структуры и однородность воспроизведения топологических размеров. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах. Способ включает размещение подложек с нанесенным слоем фоторезиста в плазмохимическом реакторе и обработку слоя фоторезиста в кислородсодержащей среде, при этом подложки размещают в плазмохимическом реакторе на подложкодержателе, а допроявление фоторезиста проводят одновременно на всех размещенных подложках в плазме смеси кислорода и инертного газа, в которой в качестве инертного газа используют гелий или неон, или аргон, при этом содержание кислорода находится в пределах 5-15 об.%, а инертного газа - в пределах 85-95 об.%. при давлении в реакционной камере 80-150 Па, плотности ВЧ-мощности в пределах 0,02-0,04 Вт/см³ и времени обработки в пределах 40-300 с. Технический результат: увеличение производительности и выхода годных за счет повышения степени очистки при допроявлении фоторезиста на пьезоэлектрических подложках (кварц, ниобат и танталат лития и др.) путем введения в газовый разряд инертного газа. 1 табл.

Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2). Причем указанное освещение осуществляют на одном этапе освещения или путем сканирующего относительного перемещения между модулируемыми световыми пучками и средой для быстрого прототипирования (СБП), или путем экспонирования вспышкой модулируемых световых пучков на среду для быстрого прототипирования (СБП). Технический результат - разрешение проблемы удаления структур, поддерживающих трехмерные объекты, таким образом, чтобы они могли бы быть удалены из-под полученных объектов путем растворения в жидкости и смывания. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы). Согласно способу подложку с фоторезистом размещают в плазмохимическом реакторе внутри перфорированного металлического цилиндра и проводят обработку в плазме смеси кислорода и инертного газа при содержании кислорода 5-15 об.% и инертного газа - 85-95 об.%, при давлении в реакторе 80-150 Па, при плотности ВЧ-мощности 0,03-0,07 Вт/см³ и времени обработки 20-210 сек. При этом в качестве инертного газа используют гелий или неон, или аргон. Технический результат - увеличение прецизионности и чистоты допроявления фоторезиста на пьезоэлектрических подложках. 1 табл.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций. Сущность изобретения: в способе удаления резистивной маски, включающем обработку поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций для удаления фоторезиста с поверхности, обработку проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку проводят в растворе серной кислоты (H₂SO₄ ) и перекиси водорода (Н₂О ₂) в соотношении 3:1 при температуре Т=125°C в течение 5 минут, а на второй стадии проводят отмывку сначала в теплой деионизованной воде (Н₂О) при температуре T=65-70⁰C в течение 5 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с четырехсторонним переливом, с расходом воды 400 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой ванне, контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 6 штук. Техническим результатом изобретения является удаление резистивной маски, сокращение технологических операций и получение чистой поверхности от фотолитографических загрязнений.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления. Сущность изобретения: в способе травления слоя фоторезиста, включающем плазмохимическое травление слоя фоторезиста с кремниевых пластин обработкой газовой смесью элегаза и кислорода, травление проводят при расходе элегаза (SF₆) и кислорода (O ₂) соответственно 7 и 0,8 л/ч, при рабочем давлении, равном 20±5 Па, температуре 30±5°С, мощности 1±0,5 кВт, в течение 2±1 минут, при этом разброс по толщине слоя фоторезиста составляет 3,5÷4,0%. Техническим результатом изобретения является получение равномерного стравленного слоя фоторезиста по всей поверхности пластин.