Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности, материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты, устройства, специально приспособленные для этих целей: ..способы удаления изображения, не отнесенные к рубрикам  ,7/30 – G03F 7/36

МПКРаздел GG03G03FG03F 7/00G03F 7/36
Раздел G ФИЗИКА
G03 Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
G03F Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей
G03F 7/00 Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей
G03F 7/36 ..способы удаления изображения, не отнесенные к рубрикам  7/30

Патенты в данной категории

ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ К ИЗЛУЧЕНИЮ КОМПОЗИЦИИ С ИЗМЕНЯЮЩЕЙСЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ И СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат. Описывается чувствительная к излучению композиция с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, содержащая расщепляющееся соединение (А), нерасщепляющееся соединение (В), представляющее собой соединение, устойчивое к кислоте, вызываемой источником кислоты веществом (С), и обладающее диэлектрической проницаемостью, или соединение, устойчивое к основанию, вызываемому источником основания веществом (С), и обладающее диэлектрической проницаемостью, в количестве 5-90 мас.ч. по отношению к 100 мас.ч. компонента (А) и компонента (В) вместе. Предложенная композиция обеспечивает достаточно большое различие между исходной и измененной диэлектрической проницаемостью, при этом полученные на основе этой композиции модель диэлектрической проницаемости и оптический материал обладают значительной стабильностью независимо от условий применения. 6 н. и 9 з.п. ф-лы, 2 табл.

2281540
патент выдан:
опубликован: 10.08.2006
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА АЛМАЗНЫХ И АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПОДЛОЖКАХ

Изобретение относится к оптическому приборостроению и предназначено для создания сложных дифракционных оптических элементов (ДОЭ) - киноформов, фокусаторов, корректоров и т. д. Сущность изобретения заключается в том, что изготовление дифракционных оптических элементов на алмазных и алмазоподобных подложках заключается в нанесении на подложку каталитической маски и последующем нагреве структуры в среде транспортного газа широкоапертурным потоком излучения с длиной волны, лежащей в окне прозрачности обрабатываемого материала. Предлагаемый способ позволяет достигнуть высокой точности воспроизведения микрорельефа при отсутствии деградации материала подложки. 4 ил.
2197006
патент выдан:
опубликован: 20.01.2003
Наверх