Запись путем намагничивания или размагничивания носителя информации, воспроизведение с использованием магнитных средств, носители информации для этого: ....отличающемся двумя или более магнитными слоями – G11B 5/716

МПКРаздел GG11G11BG11B 5/00G11B 5/716
Раздел G ФИЗИКА
G11 Накопление информации
G11B Накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя
G11B 5/00 Запись путем намагничивания или размагничивания носителя информации; воспроизведение с использованием магнитных средств; носители информации для этого
G11B 5/716 ....отличающемся двумя или более магнитными слоями

Патенты в данной категории

УЛУЧШЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК МАГНИТНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ИНФОРМАЦИИ, СОСТОЯЩИХ ИЗ ДВУХ ИЛИ БОЛЕЕ ФЕРРОМАГНИТНЫХ СЛОЕВ, РАЗДЕЛЕННЫХ НЕМАГНИТНОЙ ПРОСЛОЙКОЙ

Изобретение относится к электронной технике, в частности к магнитным носителям информации. Сущность изобретения: предложен способ изготовления магнитного носителя информации включает в себя осаждение двух или более ферромагнитных слоев кобальта с немагнитной(ыми) прослойкой(ами) меди между ними на подложку в вакуумной камере путем магнетронного распыления, причем осаждение осуществляют при давлении рабочего газа в вакуумной камере от 2,2·10-7 до 3,4·10 -7 Па, при давлении остаточных газов от 3,7·10 -8 до 7,5·10-13 Па и при температуре подложки от комнатной температуры до 120°С. Также предложен способ термической обработки такого магнитного носителя информации, согласно которому термическую обработку осуществляют при температуре от 120 до 260°С в вакууме от 3·10-8 до 3·10-10 Па в течение времени обработки от 1500 до 2100 сек. Предложен также магнитный носитель информации, состоящий из подложки и двух или более осажденных на нее ферромагнитных слоев кобальта, разделенных немагнитной(ыми) прослойкой(ами) меди, в котором средняя толщина немагнитной прослойки составляет от 0,9 до 1,1 нм или от 2,0 до 2,2 нм, а средняя толщина ферромагнитного слоя составляет от 3,0 до 10,0 нм. Изобретение обеспечивает уменьшение размера магнитного домена, соответствующего одному биту информации, и увеличение величины полей перемагничивания. 3 н. и 32 з.п. ф-лы.

2323485
патент выдан:
опубликован: 27.04.2008
Наверх