Запись или воспроизведение с помощью оптических средств, например запись с использованием теплового луча оптического излучения, воспроизведение с использованием оптического луча при более низкой мощности, носители записи для этого: ...других слоев, кроме слоев для записи – G11B 7/252

Предложены оптический носитель записи и устройство для его записи или воспроизведения. Носитель имеет три поверхности записи, слой покрытия и два промежуточных слоя. Толщины tr1, tr2 и tr3 слоя покрытия, первого промежуточного слоя и второго промежуточного слоя соответственно преобразовываются в толщины t1, t2, t3 относительных соответствующих слоев, каждый из которых имеет предопределенный стандартный показатель no преломления, на основании равенства t =tr *(tan( r )/tan( o)), где r и o - углы схождения света в слое, имеющем каждый показатель преломления nr и стандартный показатель преломления no. Толщины t1, t2 и t3 удовлетворяют условию мкм. Разность между любыми двумя значениями толщин t1, t2 и t3 устанавливается равной 1 мкм или более в любом случае. Техническими результатами являются препятствование формированию образа на задней стороне поверхности оптического носителя и подавление когерентности между отраженным светом от поверхностей записи. 2 н.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, в различных портативных электронных устройствах, а также в различных электронных платежных средствах и документах. Техническим результатом является повышение надежности флэш-элемента памяти ЭППЗУ в режиме хранения информации. Флэш-элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и стоком выполнены туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор, при этом между запоминающим слоем и блокирующим слоем выполнен дополнительный блокирующий слой из оксида кремния, обладающего значением диэлектрической проницаемости, значительно меньшим, чем диэлектрическая проницаемость материала блокирующего слоя. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.