Запись или воспроизведение с помощью способов или средств, не отнесенных ни к одной из групп в интервале  ,3/00: .с использованием сегнетоэлектрических носителей записи, носители записи для этих целей – G11B 9/02

Изобретение относится к области применения сегнетоэлектрических материалов в качестве носителей записи информации. Технический результат заключается в уменьшении связанного с многократными переключениями эффекта усталости сегнетоэлектрической пленки. Способ повышения устойчивости сегнетоэлектрической пленки к многократным переключениям заключается в использовании сегнетоэлектрической пленки с минимальной длиной «усов» петли гистерезиса, с максимально квадратной петлей гистерезиса и максимально возможной частоты переключения. 4 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах компьютеров различного назначения, в создании видеоаудиоаппаратуры нового поколения, в разработке систем ассоциативных запоминающих устройств, создании банков данных с прямым доступом. Техническим результатом является повышение скорости обмена информацией. Способ неразрушаемого считывания информации с ферроэлектрической ячейки памяти, снабженной электродами, заключается в выполнении следующих операций: подают считывающее электрическое напряжение на электроды для генерации упругой деформации ферроэлектрической ячейкой памяти и регистрирует данную упругую деформацию полевым транзистором с плавающим затвором и/или проводящим каналом, выполненных из материала с пьезоэлектрическими свойствами, и по величине тока, протекающего через транзистор, определяют степень и характер поляризации ферроэлектрической ячейки памяти. Ферроэлектрический элемент памяти содержит полевой транзистор, пьезоэлемент, являющийся ячейкой памяти. Плавающий затвор выполнен на основе пьезоэлектрического материала. Ячейка памяти имеет трехслойную структуру, состоящую из двух электродов, между которыми расположен пьезоэлектрик, выполненный из ферроэлектрического материала и расположенный поверх плавающего затвора транзистора. 6 н. и 14 з.п. ф-лы, 22 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах персональных ЭВМ. Запись информации осуществляют путем сканирования над поверхностью регистрирующего слоя носителя информации вольфрамовым зондом, на который подают импульсы напряжения в соответствии с заданным кодом. Воспроизведение информации осуществляют путем измерения девиации частоты генератора воспроизведения при сканировании этим же зондом над дорожкой записи. При этом в качестве носителя информации используют структуру с пленками сегнетоэлектриков на кремниевой основе, выполненную в форме диска, на рабочей поверхности которого сформированы концентрические дорожки в виде последовательно сменяющих друг друга канавок, слежение за которыми при вращении носителя информации осуществляют с помощью оптической сервосистемы, жестко связанной со сканирующим зондом. Технический результат состоит в том, что предлагаемый способ позволяет существенно повысить поперечную плотность записи информации на носителе за счет обеспечения надежности слежения за информационной дорожкой. 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства. Техническим результатом является повышение плотности записи данных, пониженное потребление энергии и упрощение процесса изготовления запоминающего устройства. Магнитная память включает в себя одну или более парных ячеек, каждая из которых имеет многослойную магнитную структуру. Структура содержит магнитно-изменяемый ферромагнитный слой, ферромагнитный базовый слой, имеющий неизменяемое состояние намагниченности, и соответствующий разделительный слой, разделяющий ферромагнитные слои. Ячейки памяти упорядочены таким образом, что эффективная остаточная намагниченность каждой из ячеек не параллельна оси ячейки, параллельной ее длинной строне. Способы описывают процесс функционирования такого устройства. 3 н. и 43 з.п. ф-лы, 30 ил.