Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся использованием энергозависимых и энергонезависимых ячеек для резервирования в случае отключения электропитания – G11C 14/00

Изобретение относится к области обработки данных в вычислительных системах. Техническим результатом является повышение производительности вычислительной системы с неоднородной оперативной памятью за счет более эффективного размещения статических объектов данных в памяти. При выполнении способа размещения статических объектов данных в неоднородной оперативной памяти сначала генерируют исполняемый файл из исходного кода в соответствии с обычной схемой процесса генерации исполняемого файла и посылают его в анализатор доступа. Затем собирают в генераторе трассы трассу доступа к области данных во время исполнения оптимизируемого кода и посылают ее в анализатор доступа. Извлекают из исполняемого файла информацию о статических объектах данных, а из трассы - характеристику доступа для каждого статического объекта данных. Принимают решение о рекомендуемом размещении статических объектов данных в одном из двух типов неоднородной оперативной памяти (энергонезависимой или динамической). Создают список статических объектов данных с информацией об их рекомендуемом размещении по двум типам неоднородной оперативной памяти и посылают созданный список в компилятор. Объединяют статические объекты данных, рекомендованные для каждого типа однородной оперативной памяти, в секции с дополнительными флагами. Размещают секции с дополнительными флагами в сегментах для каждого типа однородной оперативной памяти. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для хранения информации при отключенном питании. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с истоком и стоком, сформированными в ней, и последовательно выполненные на подложке между истоком и стоком туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и проводящий затвор. Запоминающий слой выполнен в составе подслоя нитрида кремния с поверхностной областью, содержащей избыточный кремний, обуславливающий присутствие поверхностных ловушек, причем запоминающий слой выполнен толщиной, обеспечивающей доминирование в запоминающей среде указанных ловушек. В результате достигается повышение надежности хранения информации в условиях температур до 85°С. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и стоком выполнены последовательно туннельный слой, запоминающий слой и затвор. Запоминающий слой выполнен из диэлектрика с высокой концентрацией электронных и дырочных ловушек и значением диэлектрической проницаемости, превосходящим значение диэлектрической проницаемости нитрида кремния. Запоминающий слой может быть выполнен с использованием материала: TiO₂, Та₂О₅, Al _xTa_yO_z, TaO_xN_y , HfO₂, HfSiO_xN_y, HfO_x N_y, Er₂O₃, La₂O ₃, ZrO₂, ZrO_xN_y, ZrSiO _x, Gd₂O₃, Y₂O₃ , Al₂O₃, AlO_xN_y. Элемент памяти может быть снабжен блокирующим слоем между запоминающим слоем и затвором. Изобретение обеспечивает снижение напряжения (до 6 В) и времени записи/стирания информации (до 10 мкс). 5 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к средствам для определения концентрации анализируемого вещества. Прибор определяет концентрацию анализируемого вещества. Программирующая карта памяти выполнена с возможностью передачи обновленной информации прибору, определяющему концентрацию анализируемого вещества. Программирующая карта памяти передает обновленную информацию процессору прибора. Программирующая карта памяти включает в себя энергонезависимую память и коммуникационную шину. В энергонезависимой памяти хранится обновленная информация, и она может соединяться с процессором прибора для передачи данных. Коммуникационная шина имеет, по меньшей мере, две линии, позволяющие устанавливать связь между памятью и процессором прибора для передачи данных. Использование изобретения обеспечивает передачу обновленных данных в прибор при малых усилиях со стороны пользователя или практически без его участия. 6 н. и 38 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к способам для модифицирования программного обеспечения с помощью приема и исполнения дельта-файлов. Техническим результатом является уменьшение потерь энергоснабжения во время модификации объекта назначения. Программное обеспечение разделено и сохранено во множестве блоков (201-204) памяти, определенных в адресном пространстве (211) физической памяти (48) в устройстве. Способ содержит этапы, на которых: определяют дополнительный блок (212) памяти, ассоциированный с упомянутым множеством блоков памяти; стирают упомянутый дополнительный блок памяти, чтобы определить область дополнительного блока памяти; записывают обновленные данные для первого из упомянутого множества блоков памяти, как задано упомянутым дельта-файлом, в упомянутый дополнительный блок памяти; стирают упомянутый первый блок памяти, тем самым перемещая упомянутую область дополнительного блока памяти на один блок; записывают обновленные данные для второго из упомянутого множества блоков памяти, как задано упомянутым дельта-файлом, в упомянутый первый блок памяти. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемы с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом является снижение энергозатрат на считывание хранящейся информации и ее перезапись. Устройство содержит немагнитную матрицу и размещенные в ней разбитые на столбцы и строки дискретные анизотропные однодоменные магнитные элементы для записи и хранения информации, средства для их перемагничивания, средства их нагрева для снижения коэрцитивной силы при перемагничивании и средства для считывания хранимой магнитными элементами информации в момент изменения их намагниченности при нагреве. 2 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключении питания. Техническим результатом является повышение надежности флэш элемента памяти. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней на планарной стороне истоком и стоком, туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор, блокирующий слой размещен на планарной стороне подложки, запоминающий слой выполнен на блокирующем, туннельный слой выполнен на запоминающем слое, а затвор на туннельном слое, при этом туннельный слой выполнен толщиной, предотвращающей отекание заряда за счет туннелирования носителей заряда через туннельный слой к затвору. Толщина туннельного слоя составляет 1,5÷2,5 нм. Запоминающий слой может быть выполнен из нитрида кремния, обогащенного избыточным кремнием (SiN_x). 4 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам. Техническим результатом является повышение надежности элемента памяти в режиме считывания. Элемент памяти для флэш электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными на планарной стороне истоком и стоком, туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и проводящий затвор, при этом подложка выполнена из кремния р-типа, туннельный слой выполнен из оксида кремния (SiO₂ ), запоминающий слой - из нитрида кремния (Si₂N ₄), блокирующий слой - из оксида кремния (SiO₂ ), а проводящий затвор выполнен из силицида платины (PtSi), причем толщина туннельного слоя составляет 1,8÷5,0 нм. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.