Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией: .электрически программируемые – G11C 16/02

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в достижении воспроизводимости окна гистерезиса резистивного элемента памяти. Резистивный флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку с выполненным на ее рабочей поверхности проводящим электродом, на котором расположен слой диэлектрика, на слое диэлектрика выполнен второй проводящий электрод, причем проводящий электрод со стороны диэлектрика снабжен выступом, обеспечивающим локализацию формирования проводящей электрический ток нити через диэлектрик и необходимую напряженность электрического поля для формирования нити и протекания электрического тока, при этом со стороны диэлектрика выступом, обеспечивающим локализацию формирования проводящей электрический ток нити через диэлектрик и необходимую напряженность электрического поля для формирования нити и протекания электрического тока, снабжен проводящий электрод, выполненный на рабочей поверхности подложки, или второй проводящий электрод, выполненный на слое диэлектрика. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Предложены съемный носитель информации, устройство воспроизведения информации со съемного носителя и способ защиты информации на съемном носителе. Съемный носитель состоит из двух модулей, соединенных между собой и снабженных пазом. Один из модулей содержит контактную группу, а другой - чип флеш-памяти. Носитель выполнен одноразовым, разрушающимся при извлечении, за счет того, что модули соединены между собой посредством общего внешнего контура, который выполнен гибким, при этом внешний контур соединяет модули с одной стороны. Техническим результатом, обеспечиваемым приведенной совокупностью признаков, является обеспечение невозможности воспроизведения информации со съемного носителя вне системы распределенных устройств, снабженных соответствующим разъемом, а также невозможность повторного воспроизведения информации. 3 н.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении быстродействия, надежности и интеграции энергонезависимых электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (ЭСППЗУ). Ячейка памяти, содержащая n(р)-МОП-транзистор, конденсатор, адресную разрядную шину, дополнительно содержит первый и второй диоды и числовую шину, при этом катод (анод) первого диода соединен с числовой шиной истоком n(р)-МОП-транзистора, его анод соединен с анодом второго диода, с подзатворной областью n(р)-МОП-транзистора и первым выводом конденсатора, второй вывод которого подсоединен к затвору n(р)-МОП-транзистора и к адресной шине, а катод второго диода соединен с областью стока n(р)-МОП-транзистора и разрядной шиной. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к средствам для определения концентрации анализируемого вещества. Прибор определяет концентрацию анализируемого вещества. Программирующая карта памяти выполнена с возможностью передачи обновленной информации прибору, определяющему концентрацию анализируемого вещества. Программирующая карта памяти передает обновленную информацию процессору прибора. Программирующая карта памяти включает в себя энергонезависимую память и коммуникационную шину. В энергонезависимой памяти хранится обновленная информация, и она может соединяться с процессором прибора для передачи данных. Коммуникационная шина имеет, по меньшей мере, две линии, позволяющие устанавливать связь между памятью и процессором прибора для передачи данных. Использование изобретения обеспечивает передачу обновленных данных в прибор при малых усилиях со стороны пользователя или практически без его участия. 6 н. и 38 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, в различных портативных электронных устройствах, а также в различных электронных платежных средствах и документах. Техническим результатом является повышение надежности флэш-элемента памяти ЭППЗУ в режиме хранения информации. Флэш-элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и стоком выполнены туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор, при этом между запоминающим слоем и блокирующим слоем выполнен дополнительный блокирующий слой из оксида кремния, обладающего значением диэлектрической проницаемости, значительно меньшим, чем диэлектрическая проницаемость материала блокирующего слоя. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.