Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией: ..с использованием транзисторов с переменным порогом, например лавинно-инжекционного моп-транзистора с плавающим затвором – G11C 16/04
Патенты в данной категории
| ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ ДЛЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО ЭСППЗУ С УПРАВЛЯЕМЫМ ПОТЕНЦИАЛОМ ПОДЗАТВОРНОЙ ОБЛАСТИ
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности работы ячейки памяти. Ячейка памяти для быстродействующего ЭСППЗУ с управляемым потенциалом подзатворной области, электрическая схема ячейки памяти содержит n(р)-МОП-транзистор, первый и второй диоды, конденсатор, числовую, адресную и разрядную шины, при этом катод (анод) первого диода соединен с числовой шиной и истоком n(р)-МОП-транзистора, его анод соединен с анодом второго диода, с подзатворной областью n(р)-МОП-транзистора и первым выводом конденсатора, второй вывод которого подсоединен к затвору n(р)-МОП-транзистора и к адресной шине, а катод второго диода соединен с областью стока n(р)-МОП-транзистора и разрядной шиной, причем электрическая схема ячейки памяти дополнительно содержит р(n) полевой - транзистор, общую и управляющую шины, при этом его исток подключен к подзатворной области МОП-транзистора, затвор - к управляющей шине, а сток - к общей шине. 1 з.п. ф-лы, 6 ил. |
2465659 патент выдан: опубликован: 27.10.2012 |
|
| ФЛЭШ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА
Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя, выполненного из SiO2. В результате обеспечивается снижение напряжения (до 4В) и времени (до 10-7с) записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации (до 12 лет). 6 з.п. ф-лы, 1 ил. |
2357324 патент выдан: опубликован: 27.05.2009 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и полупроводниковому элементу памяти. Техническим результатом является защищенность полупроводникового запоминающего устройства от сбоев в работе, связанных с явлениями случайного вероятностного характера. Устройство содержит большое количество элементов памяти, каждый из которых содержит области истока и стока, изолирующую пленку, канальную область, электрод затвора, область для хранения электрических зарядов, устройство также содержит большое количество периферийных схем, содержащих усилитель считывания, регистр для сохранения записанной информации элементов памяти, регистр, который удерживает флажок, показывающий окончание записи при ее проверке, и схему, которая после операции записи сравнивает значение, считанное с ячейки памяти, со значением, зафиксированным флажком в конце записи, и переписывает значение, которое показывает флажок. 5 н. и 30 з.п. ф-лы, 71 ил.
|
2249262 патент выдан: опубликован: 27.03.2005 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМЫМИ ЯЧЕЙКАМИ ПАМЯТИ НА ДВУХ ТРАНЗИСТОРАХ Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству. Техническим результатом является безошибочное программирование полупроводникового запоминающего устройства. Устройство содержит, по меньшей мере, одну ячейку помяти, включающую избирательный транзистор с каналом типа n, запоминающий транзистор с каналом типа n, переходной транзистор с каналом типа р, вертикальные и горизонтальные шины. 5 з.п.ф-лы, 2 ил., 2 табл. | 2213380 патент выдан: опубликован: 27.09.2003 |
|
| СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕЕ СВЕРХИНТЕГРИРОВАННОЕ БИМОП ОЗУ НА ЛАВИННЫХ ТРАНЗИСТОРАХ Изобретение относится к устройствам и структурам интегральной микроэлектроники, в частности к интегральным ячейкам статической памяти и оперативным запоминающим устройствам БИС и ЭВМ. Техническим результатом является микромощный режим потребления статических мощностей (единицы-десятки нановатт), приемлемая помехоустойчивость работы, высокие рабочие частоты. Изобретение содержит бистабильные ячейки лавинных транзисторов, управляющий р-МОП транзистор, битовую и словную шины, n-МОП транзистор считывания, генератор тока. 2 с.п.ф-лы, 8 ил. | 2200351 патент выдан: опубликован: 10.03.2003 |
|
| ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО УПРАВЛЕНИЯ Изобретение относится к постоянному запоминающему устройству и способу его управления. Техническим результатом является возможность считывания данных из постоянного запоминающего устройства при малом потреблении энергии. Устройство содержит множество запоминающих ячеек, шины слов, разрядные шины, шину истока, устройства включения. Способ описывает возможность управления постоянным запоминающим устройством. 2 с. и 17 з.п.ф-лы, 4 ил. | 2190885 патент выдан: опубликован: 10.10.2002 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с множеством запоминающих ячеек и применяется преимущественно в картах со встроенной микросхемой, таких как карты-удостоверения, кредитные карты, расчетные карты и др. Техническим результатом является защита от несанкционированного доступа к данным, записанным в запоминающих ячейках устройства. Устройство состоит из множества запоминающих ячеек, схемы управления разрядных линий, схемы управления линией слов, схемы управления разрешающих разрядных линий, схемы сравнения и микропроцессора. 2 с. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил. | 2169951 патент выдан: опубликован: 27.06.2001 |
|
| ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМАЯ И ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ НАКОПИТЕЛЬНАЯ ЯЧЕЙКА Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: электрически стираемая и программируемая энергонезависимая накопительная ячейка, которая образована только одним образованным переходом исток-канал-сток МОП-транзистором, в котором в полупроводниковой подложке (1) первого типа проводимости выполнены область стока (2) и область истока (3) второго типа проводимости с полярностью, противоположной первому типу проводимости, с находящимся на плавающем потенциале электродом затвора (4), который электрически изолирован от области стока (2) туннельным оксидом и от находящейся между областью стока и истока (2, 3) канальной области (9) оксидом затвора (5, 10) и протирается в направлении перехода исток-канал-сток по меньшей мере над частью канальной области (9) и частью области стока (2), и с управляющим электродом (7), который электрически изолирован оксидом связи (8) от электрода затвора (4). Для программирования накопительной ячейки к управляющему электроду (7) прикладывают высокое отрицательное напряжение, к электроду стока (D) - напряжения питания и к электроду истока (5) - нуль вольт. Для стирания накопительной ячейки к управляющему электроду (7) прикладывают высокое положительное напряжение и к электроду истока (s) - отрицательное напряжение, а электрод стока (D) оставляют неподключенным. Техническим результатом изобретения является снижение абсолютной величины высоких напряжений, что приводит к снижению затрат на изготовление частей схемы. 6 з.п.ф-лы, 4 ил. | 2168242 патент выдан: опубликован: 27.05.2001 |
|
| ПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С УЛУЧШЕННЫМ ВРЕМЕНЕМ ВЫБОРКИ Изобретение относится к программируемым постоянным запоминающим устройствам типа электрически стираемого ПЗУ (ЭСППЗУ). Техническим результатом является создание ЭСППЗУ с быстрым стиранием, причем, используя данное ЭСППЗУ при любом времени выборки, возможно однозначное считывание из него данных. Устройство содержит запоминающий транзистор, транзистор выбора, разрядную шину, шину слов, средство (FSU), предназначенное для формирования напряжения считывания в зависимости от частоты тактового сигнала. 3 з.п.ф-лы, 4 ил. | 2162254 патент выдан: опубликован: 20.01.2001 |
|
| САМОПРОГРАММИРУЮЩИЙСЯ ГЕНЕРАТОР НАПРЯЖЕНИЯ В ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ЗУ, ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗУ И СПОСОБ САМОПРОГРАММИРУЮЩЕЙСЯ ГЕНЕРАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ В НЕМ Изобретение относится к энергонезависимым полупроводниковым запоминающим устройствам. Самопрограммирующийся генератор напряжения в энергонезависимом полупроводниковом запоминающем устройстве имеет множество элементов памяти типа плавающего затвора, генератор проходного напряжения, предназначенный для программирования выбранных элементов памяти, и генератор программирующего напряжения. Последний предназначен для проверки того, успешно ли запрограммированы выбранные элементы памяти или нет. Генератор высокого напряжения предназначен для генерации программирующего напряжения. Схема подстройки предназначена для детектирования уровня программирующего напряжения с целью последовательного повышения программирующего напряжения в пределах заданного диапазона напряжений каждый раз, когда выбранные элементы памяти не запрограммированы успешно. Схема сравнения предназначена для сравнения определенного уровня напряжения с опорным напряжением с последующей генерацией сигнала сравнения. Схема управления генерацией высокого напряжения предназначена для активации генератора высокого напряжения в ответ на сигнал сравнения. Технический результат изобретения заключается в возможности обеспечения энергонезависимого полупроводникового запоминающего устройства способностью поддерживать однородное пороговое напряжение программируемых элементов памяти. 2 с. и 6 з.п.ф-лы, 12 ил. | 2146398 патент выдан: опубликован: 10.03.2000 |
|
| ЯЧЕЙКА ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ И СПОСОБ ЕЕ ПРОГРАММИРОВАНИЯ Изобретение относится к энергонезависимой памяти и способам ее программирования. Целью изобретения является создание энергонезависимой памяти и способа ее программирования, при котором контроль осуществляют одновременно с многоуровневым программированием. При этом области программирования и контроля полностью разделены. Ячейка энергонезависимой памяти включает плавающий затвор, область программирования, имеющую первый путь тока к плавающему затвору. С помощью изобретения можно осуществлять программирование подачи носителей заряда в плавающий затвор по первому пути тока, либо извлечение носителей заряда, накопленных в плавающем затворе. Область контроля имеет второй путь тока, отделенный от первого пути тока. Контроль количества заряда плавающего затвора осуществляется посредством второго пути тока при программировании. 9 с. и 45 з.п. ф-лы, 18 ил. | 2111556 патент выдан: опубликован: 20.05.1998 |
|
| СПОСОБ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЯЧЕЙКИ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ Изобретение относится к способам программирования запоминающего устройства и позволяет обеспечить одновременный контроль пороговых уровней при выполнении двухуровневого или многоуровневого программирования. Способ предназначен для программирования ячейки энергонезависимой памяти, которая имеет управляющий затвор, плавающий затвор, сток, исток и канальную область. Способ включает подачу первого напряжения к управляющему затвору, второго напряжения - к стоку и третьего - к истоку. Второе напряжение превышает третье. Способом предусмотрен контроль тока между стоком и истоком. При достижении током заданной величины завершают программирование на двух первых уровнях. 3 с. и 15 з.п. ф-лы, 5 ил. | 2111555 патент выдан: опубликован: 20.05.1998 |
|