Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией: ..вспомогательные схемы, например, для записи в запоминающее устройство – G11C 16/06
Патенты в данной категории
ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА РАДИОЧАСТОТНОГО ИДЕНТИФИКАТОРА
Изобретение относится к интегральным микросхемам радиочастотных идентификационных устройств. Техническим результатом является обеспечение уменьшения размеров кристалла интегральной микросхемы радиочастотного идентификатора, а также возможности записи индивидуального кода в блок элементов памяти постоянного запоминающего устройства. Устройство содержит вывод контактной площадки (1), связанный с управляющими затворами МОП-транзисторов с плавающим затвором запоминающих элементов (13), с истоками диодно-включенных n-канальных транзисторов (9 и 10), р-канального МОП транзистора (4), сток которого связан со стоком диодно-включенного n-канального транзистора (5), исток которого связан со стоком транзистора (13), со входом модулятора (20) и со стоком диодно-включенного n-канального транзистора (6), исток которого и затвор транзистора (4) подключены к шине положительного питания (+Еп) (19). Выводы контактных площадок (2 и 3) подключены к резонансному антенному контуру. Вывод (2) связан со стоками транзисторов (7), (9), (11) и затвором транзистора (8), вывод (3) связан со стоками транзисторов (8), (10), (12) и затвором транзистора (7). Стоки транзисторов (11 и 12) подключены к шине положительного питания (+Еп) (19). Истоки транзисторов (13) связаны со стоками адресных n-канальных МОП-транзисторов (14), истоки которых связаны со стоками адресных n-канальных МОП-транзисторов (15), истоки которых и стоки транзисторов (7) и (8) подключены к шине земли ( |
2465645 патент выдан: опубликован: 27.10.2012 |
|
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАПИСИ ВЫСОКОСКОРОСТНЫХ ВХОДНЫХ ДАННЫХ В МАТРИЦУ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
Изобретение относится к средствам записи в запоминающие устройства. Техническим результатом является обеспечение адаптации режимов записи в зависимости от выявленных дефектов записи. Для хранения потоковых HD видеоданных используют системы на основе флэш-памяти. Физический доступ к устройствам флэш-памяти осуществляют в странично-ориентированном режиме. При этом входные данные записывают в режиме мультиплексирования в матрицу множественных флэш-устройств. Осуществляют обработку списка, и дефектные страницы блоков флэш-памяти единичных флэш-устройств адресуют в архитектуре матрицы. При записи в последовательном режиме, содержание данных для текущей страницы флэш-устройства всех флэш-устройств матрицы копируют в соответствующую область памяти в дополнительном буфере памяти. После того как текущая серия страниц записана без ошибок во флэш-устройства, соответствующую область памяти в дополнительном буфере памяти перезаписывают данными следующей страницы. В случае возникновения ошибки в текущей странице в одном или нескольких флэш-устройствах, содержание этих текущих страниц сохраняют в дополнительном буфере памяти. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 7 ил. |
2417461 патент выдан: опубликован: 27.04.2011 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам с последовательным доступом, в частности к способу управления записью данных в указанное запоминающее устройство. Техническим результатом является защита полупроводникового запоминающего устройства от записи в него входных данных, которые не удовлетворяют конкретным требованиям для данных. В том случае когда значение входных данных для записи больше значения существующих данных в матрице памяти, полупроводниковое запоминающее устройство разрешает записывать входные данные для записи в матрицу памяти. Котроллер считывания считывает существующие данные из матрицы памяти и сравнивает их с данными для записи, зафиксированными в 8-разрядном регистре-защелке. В том случае когда значение данных для записи больше значения существующих данных, контроллер приращения выдает сигнал WEN1 разрешения записи в контроллер записи/считывания и выполняет запись данных для записи, зафиксированных в 8-разрядном регистре-защелке, в матрицу памяти. 18 н. и 12 з.п. ф-лы, 15 ил. |
2391722 патент выдан: опубликован: 10.06.2010 |
|
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО СТИРАНИЯ ЗАПИСАННОЙ ИНФОРМАЦИИ (ВАРИАНТЫ)
Способ стирания записанной на микросхеме с неоднородным полупроводниковым носителем информации с энергонезависимой памятью состоит в том, что на микросхему и управляющий затвор кратковременно подают номинальные напряжения питания. В это время в проводниках микросхемы, размещенных на ее подложке, возбуждают токи Фуко интенсивностью не менее 60 мА с помощью облучения проводников микросхемы двумя ортогональными переменными синусоидальными магнитными полями. Облучение производят с помощью трех дросселей магнитными полями под острыми углами с двух сторон перпендикуляра к подложке. В плоскости, лежащей перпендикулярно направлению распространения магнитного поля, изменяют направление его вектора от 90° до 270° с частотой первого магнитного поля |
2323491 патент выдан: опубликован: 27.04.2008 |
|
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕНЕНИЯ СОДЕРЖИМОГО ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ БЛОКОВ УПРАВЛЕНИЯ
Изобретение относится к способу изменения и/или записи для перепрограммирования данных и/или программ по меньшей мере в одном запоминающем устройстве вычислительной системы и к вычислительной системе для осуществления указанного способа. Техническим результатом является устойчивость блоков управления запоминающих устройств к любым помехам, в частности, к сбоям. Каждый из вариантов вычислительных систем, в частности блок управления рабочими процессами в транспортном средстве, содержит два запоминающих устройства, внутрисистемную шину, центральный процессор, блок ввода-вывода, ПЗУ, блок самозагрузки, флэш-память. Способы описывают работу каждого из вариантов указанных систем. 6 н. и 40 з.п. ф-лы, 7 ил.
|
2248627 патент выдан: опубликован: 20.03.2005 |
|
СХЕМА ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ Схема для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором (Тх2), первый вывод которого соединен с входным выводом (Е), а второй вывод которого соединен с выходным выводом (А) схемы и вывод затвора которого через первый конденсатор (Сb2) соединен с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором (Ту2), первый вывод которого соединен с выводом затвора Тх2, второй вывод которого соединен со вторым выводом Тх2 и вывод затвора которого соединен с первым выводом Тх2 и со вторым конденсатором Ср2, первый вывод которого соединен со вторым выводом Тх2 и второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, и причем Тх2, Ту2 являются МОП-транзисторами, выполненными в технике тройного кармана. Первый вывод третьего транзистора (Tz2) соединен со вторым выводом Тх2, второй вывод Tz2 соединен с карманом/карманами (Kw), содержащими транзисторы Тх2, Ту2, Tz2, и вывод затвора Tz2 соединен с первым выводом Тх2. Технический результат: повышение эффективности за счет уменьшения токов утечки. 3 с. и 3 з.п. ф-лы, 6 ил. | 2189686 патент выдан: опубликован: 20.09.2002 |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам. Техническим результатом является уменьшение потребления мощности, малые поперечные токи, чистота уровней напряжения. Устройство содержит множество запоминающих ячеек, схему селекции, схему управления, контур накачки. 19 з.п. ф-лы, 10 ил. | 2182376 патент выдан: опубликован: 10.05.2002 |
|
СПОСОБ ЗАПИСИ ДАННЫХ В ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, СПОСОБ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ УСТРОЙСТВА НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, УСТРОЙСТВО НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ Изобретение касается записи информации в энергонезависимое запоминающее устройство. Технический результат изобретения заключается в способе записи данных в энергонезависимое запоминающее устройство типа электрически стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства (ЭСППЗУ) в кредитной карточке с встроенной микроЭВМ, обеспечивающем область состояния записи в ЭСППЗУ, которая проверяется при каждом восстановлении кредитной карточки. Если предшествующая операция ввода была безуспешной, возможно, из-за умышленного манипулирования карточкой, выполняется процедура восстановления. Если восстановление проведено успешно, можно прогонять прикладную задачу карточки. В противном случае карточка является непригодной. 10 з.п.ф-лы, 6 ил. | 2146399 патент выдан: опубликован: 10.03.2000 |
|
СПОСОБ ПОЛНОГО ПЕРЕПРОГРАММИРОВАНИЯ СТИРАЕМОЙ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ Изобретение относится к способу полного перепрограммирования стираемой энергонезависимой памяти блока управления. Блок управления содержит по меньшей мере один центральный процессор, энергозависимую память, стираемую энергонезависимую память и схемы ввода/вывода. Программируемые данные передают к блоку управления от внешнего электронного устройства, например персонального компьютера. Блок управления программирует полученные данные в стираемую энергонезависимую память. При осуществлении способа стираемую энергонезависимую память разделяют на две отдельно стираемые и программируемые области. Перед началом процесса программирования стираемой энергонезависимой памяти программный модуль записывают в одну из отдельно стираемых и программируемых областей. Программирование одной из обеих областей происходит только тогда, когда программный модуль записан в другую из двух отдельно стираемых и программируемых областей. Технический результат изобретения заключается в том, что оно позволяет вносить дополнительные изменения в программный модуль, записанный в стираемую энергонезависимую недорогую память. 2 с. и 9 з.п.ф-лы, 3 ил. | 2142168 патент выдан: опубликован: 27.11.1999 |
|
МОП-УСТРОЙСТВО ВКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЕ Для включения высокого отрицательного напряжения (-Vpp), например, в качестве программирующего напряжения на линии слов флеш-накопителя (Flash) указаны два варианта устройств, которые выполнены только на транзисторах того же типа проводимости, что и подложка. Технический результат: за счет этого можно отказаться от глубоких изолированных ванн, которые требуют специальной технологии. 2 с. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил. | 2137294 патент выдан: опубликован: 10.09.1999 |
|