Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией: ..вспомогательные схемы, например, для записи в запоминающее устройство – G11C 16/06

Изобретение относится к интегральным микросхемам радиочастотных идентификационных устройств. Техническим результатом является обеспечение уменьшения размеров кристалла интегральной микросхемы радиочастотного идентификатора, а также возможности записи индивидуального кода в блок элементов памяти постоянного запоминающего устройства. Устройство содержит вывод контактной площадки (1), связанный с управляющими затворами МОП-транзисторов с плавающим затвором запоминающих элементов (13), с истоками диодно-включенных n-канальных транзисторов (9 и 10), р-канального МОП транзистора (4), сток которого связан со стоком диодно-включенного n-канального транзистора (5), исток которого связан со стоком транзистора (13), со входом модулятора (20) и со стоком диодно-включенного n-канального транзистора (6), исток которого и затвор транзистора (4) подключены к шине положительного питания (+Еп) (19). Выводы контактных площадок (2 и 3) подключены к резонансному антенному контуру. Вывод (2) связан со стоками транзисторов (7), (9), (11) и затвором транзистора (8), вывод (3) связан со стоками транзисторов (8), (10), (12) и затвором транзистора (7). Стоки транзисторов (11 и 12) подключены к шине положительного питания (+Еп) (19). Истоки транзисторов (13) связаны со стоками адресных n-канальных МОП-транзисторов (14), истоки которых связаны со стоками адресных n-канальных МОП-транзисторов (15), истоки которых и стоки транзисторов (7) и (8) подключены к шине земли ( ) (18). Затворы транзисторов (14) и (15) подключены к выходам дешифраторов строк (16) и столбцов (17) соответственно. 1 ил.

Изобретение относится к средствам записи в запоминающие устройства. Техническим результатом является обеспечение адаптации режимов записи в зависимости от выявленных дефектов записи. Для хранения потоковых HD видеоданных используют системы на основе флэш-памяти. Физический доступ к устройствам флэш-памяти осуществляют в странично-ориентированном режиме. При этом входные данные записывают в режиме мультиплексирования в матрицу множественных флэш-устройств. Осуществляют обработку списка, и дефектные страницы блоков флэш-памяти единичных флэш-устройств адресуют в архитектуре матрицы. При записи в последовательном режиме, содержание данных для текущей страницы флэш-устройства всех флэш-устройств матрицы копируют в соответствующую область памяти в дополнительном буфере памяти. После того как текущая серия страниц записана без ошибок во флэш-устройства, соответствующую область памяти в дополнительном буфере памяти перезаписывают данными следующей страницы. В случае возникновения ошибки в текущей странице в одном или нескольких флэш-устройствах, содержание этих текущих страниц сохраняют в дополнительном буфере памяти. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам с последовательным доступом, в частности к способу управления записью данных в указанное запоминающее устройство. Техническим результатом является защита полупроводникового запоминающего устройства от записи в него входных данных, которые не удовлетворяют конкретным требованиям для данных. В том случае когда значение входных данных для записи больше значения существующих данных в матрице памяти, полупроводниковое запоминающее устройство разрешает записывать входные данные для записи в матрицу памяти. Котроллер считывания считывает существующие данные из матрицы памяти и сравнивает их с данными для записи, зафиксированными в 8-разрядном регистре-защелке. В том случае когда значение данных для записи больше значения существующих данных, контроллер приращения выдает сигнал WEN1 разрешения записи в контроллер записи/считывания и выполняет запись данных для записи, зафиксированных в 8-разрядном регистре-защелке, в матрицу памяти. 18 н. и 12 з.п. ф-лы, 15 ил.

Способ стирания записанной на микросхеме с неоднородным полупроводниковым носителем информации с энергонезависимой памятью состоит в том, что на микросхему и управляющий затвор кратковременно подают номинальные напряжения питания. В это время в проводниках микросхемы, размещенных на ее подложке, возбуждают токи Фуко интенсивностью не менее 60 мА с помощью облучения проводников микросхемы двумя ортогональными переменными синусоидальными магнитными полями. Облучение производят с помощью трех дросселей магнитными полями под острыми углами с двух сторон перпендикуляра к подложке. В плоскости, лежащей перпендикулярно направлению распространения магнитного поля, изменяют направление его вектора от 90° до 270° с частотой первого магнитного поля , со значением не менее 6,28 рад·кГц и интенсивностью, достаточной для возбуждения в проводниках микросхемы токов Фуко со значением не менее 20 мА. В плоскости, лежащей перпендикулярно направлению распространения второго магнитного поля, изменяют направление его вектора от 180° до 360° с частотой второго магнитного поля, значения которой лежат в пределах от 2 до 4 . Значение амплитуды второго магнитного поля более чем в два раза превышает значение амплитуды первого магнитного поля. Вторым магнитным полем начинают производить облучение через четверть периода частоты после начала облучения первым магнитным полем. Длительность облучения должна быть не менее длительности включения номинального напряжения питания микросхемы. В четвертый цилиндрический дроссель помещается носитель. Поперечные размеры полости дросселя больше поперечных размеров подложки с записанной информацией. Дроссель расположен внутри третьего цилиндрического дросселя соосно. Первый и второй кольцевые дроссели распложены соосно с противоположных боковых сторон третьего дросселя и так, что продольная ось первого и второго дросселей ортогональна продольной оси третьего и четвертого дросселей и эти оси пересекаются в середине третьего дросселя. Технический результат заключается в улучшении надежности стирания информации без возможности ее восстановления, сокращении времени стирания, снижении энергопотребления. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к способу изменения и/или записи для перепрограммирования данных и/или программ по меньшей мере в одном запоминающем устройстве вычислительной системы и к вычислительной системе для осуществления указанного способа. Техническим результатом является устойчивость блоков управления запоминающих устройств к любым помехам, в частности, к сбоям. Каждый из вариантов вычислительных систем, в частности блок управления рабочими процессами в транспортном средстве, содержит два запоминающих устройства, внутрисистемную шину, центральный процессор, блок ввода-вывода, ПЗУ, блок самозагрузки, флэш-память. Способы описывают работу каждого из вариантов указанных систем. 6 н. и 40 з.п. ф-лы, 7 ил.