Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией: ....схемы стирания, например схемы стирания переключающего напряжения электрическим способом – G11C 16/14

Предложены способ и устройство стирания информации с полупроводниковой микросхемы. В способе микросхему размещают на плоском отражателе тепла из немагнитного металла между кольцевыми дросселями полеобразующей системы так, чтобы плоскость подложки микросхемы была параллельна плоскости кольцевых дросселей полеобразующей системы. Облучают микросхему импульсами синусоидального электромагнитного поля частотой более 200 кГц, длительностью не менее 1,5 мс, интенсивность облучения не менее 167 кВт в импульсе, кроме того, амплитуду каждого импульса синусоидального электромагнитного поля уменьшают во времени. Техническими результатами являются увеличение надежности стирания информации, уменьшение энергопотребления и упрощение конструкции устройства стирания информации. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано для стирания записей с неоднородных полупроводниковых носителей информации, в частности флэш-памяти. Устройство стирания записанной информации содержит источник постоянного тока, устройство включения питания, делитель тока, устройство демпфирования, накопитель энергии на конденсаторах, устройство коммутации, полеобразующую систему, выполненную на соленоидах, устройство управления, четырехпроводной кабель и четырехконтактный коннектор. Полеобразующая система имеет каркас, на котором установлены четыре соленоида один внутри другого. Обмотки катушек пары соленоидов выполнены косоугольными, с наклоном витков проводов обмоток в плоскостях узких стенок каркаса к его продольным ребрам соленоидов под острым углом. Намотка проводов катушек второй пары соленоидов выполнена зигзагообразной, наклонной в плоскостях широких и узких стенок каркаса под острыми углами. Под действием создаваемого устройством быстроменяющегося электромагнитного поля изменяется структура размещения зарядов на полупроводниковом носителе информации, что улучшает качество стирания информации без возможности ее восстановления при сокращении времени стирания. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключении питания. Техническим результатом является повышение надежности флэш элемента памяти. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней на планарной стороне истоком и стоком, туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор, блокирующий слой размещен на планарной стороне подложки, запоминающий слой выполнен на блокирующем, туннельный слой выполнен на запоминающем слое, а затвор на туннельном слое, при этом туннельный слой выполнен толщиной, предотвращающей отекание заряда за счет туннелирования носителей заряда через туннельный слой к затвору. Толщина туннельного слоя составляет 1,5÷2,5 нм. Запоминающий слой может быть выполнен из нитрида кремния, обогащенного избыточным кремнием (SiN_x). 4 з.п. ф-лы, 1 ил.