Конструктивные элементы запоминающих устройств, отнесенных к группе  ,11/00: .размещение элементов памяти, например в форме матриц – G11C 5/02

МПКРаздел GG11G11CG11C 5/00G11C 5/02
Раздел G ФИЗИКА
G11 Накопление информации
G11C Запоминающие устройства статического типа
G11C 5/00 Конструктивные элементы запоминающих устройств, отнесенных к группе  11/00
G11C 5/02 .размещение элементов памяти, например в форме матриц 

Патенты в данной категории

АРХИТЕКТУРА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА С ЭКОНОМИЕЙ ДИНАМИЧЕСКОЙ МОЩНОСТИ

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении потребления динамической мощности. Запоминающее устройство, содержащее множество интерфейсных портов; множество драйверов разрядных шин; множество разрядных шин соответствующих множеству драйверов разрядных шин; по меньшей мере, две подматрицы, причем каждая из упомянутых, по меньшей мере, двух подматриц содержит экземпляр из множества разрядных шин упомянутого запоминающего устройства и часть из множества числовых шин упомянутого запоминающего устройства; декодер, соединенный с упомянутыми, по меньшей мере, двумя подматрицами и упомянутым множеством портов ввода/вывода, причем упомянутый декодер выполнен с возможностью управлять упомянутым множеством числовых шин; и множество мультиплексоров, соответствующих множеству разрядных шин; при этом каждый мультиплексор функционирует, чтобы связывать с его соответствующей разрядной шиной только один экземпляр из его соответствующей разрядной шины на основе адреса ячейки запоминающего устройства, принятого в одном или более из упомянутого множества интерфейсных портов. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил.

2471259
патент выдан:
опубликован: 27.12.2012
КОНСТРУКТИВНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ МАТРИЦЫ БИТОВЫХ ЯЧЕЕК МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ (MRAM)

Изобретение относится к битовым ячейкам магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (STT-MRAM). Технический результат - уменьшение площади полупроводниковой подложки, занимаемой ячейкой STT-MRAM. Данные битовые ячейки включают линию истока, сформированную в первой плоскости, и битовую шину, сформированную во второй плоскости. Битовая шина имеет продольную ось, параллельную продольной оси данной линии истока, и линия истока накладывается на по меньшей мере участок битовой шины. 3 н. и 20 з.п. ф-лы, 10 ил.

2464654
патент выдан:
опубликован: 20.10.2012
СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ ОТСЧЕТОВ БЫСТРОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ФУРЬЕ В ПАМЯТИ ДАННЫХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении параллельных вычислительных систем. Техническим результатом является возможность одновременного доступа к отсчетам быстрого преобразования Фурье, размещенным в памяти традиционным способом. Указанный технический результат достигают тем, что в прямоугольной матрице отсчетов размерностью s×m, где: s - количество строк, m - количество столбцов, причем s*m равно 2p, m равно 2q, а р и q - целые числа и q больше или равно 1, а р больше q, для всех строк прямоугольной матрицы отсчеты, находящиеся в одной строке, размещают в столбцах с циклическим сдвигом относительно прямоугольного размещения вправо (влево) на Sh позиций: , где n=[p-q+1]/q-1; si - коэффициент номера строки sn, представленной в виде sn=snmn + +s2m2+s1m1+s 0m0.

2388076
патент выдан:
опубликован: 27.04.2010
СПОСОБ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО ХРАНЕНИЯ И ИЗВЛЕЧЕНИЯ ДАННЫХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ДАННОГО СПОСОБА

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти. Техническим результатом является сокращение времени для получения доступа к устройству хранения данных, отсутствие влияния пьезоэлектрической активации ячеек памяти конкретной запоминающей матрицы на другие запоминающие матрицы, входящие в состав пакета, улучшение соотношение сигнал/шум. Устройство содержит совокупность ячеек памяти, первый и второй наборы электродов, причем электроды второго набора ориентированы ортогонально электродам первого набора и выполнены в виде параллельных сдвоенных электродов, расположенных во взаимно параллельных углублениях, или выемках, выполненных в электродах первого набора, при этом в выемке между электродами первого набора и параллельными сдвоенными электродами второго набора, по обе стороны от этих сдвоенных электродов, формируются ячейки памяти с субъячейками. Способы описывают осуществление бездеструктивного считывания данных из указанного устройства и возможность придания поляризации парам субъячеек памяти. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 8 ил.

2271581
патент выдан:
опубликован: 10.03.2006
МНОГОМЕРНАЯ СТРУКТУРА АДРЕСАЦИИ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей. Средство для обеспечения возможности адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов, представляющих собой ячейки памяти, ячейки дисплеев, диоды, транзисторы и/или переключающие/модулирующие элементы и образующих совместно с указанным средством часть двумерной или трехмерной матрицы в составе указанного устройства, содержит три набора электропроводных линий или ленточных электродов, образующем дополнительную часть указанной матрицы. Устройство для хранения и/или обработки данных или приема, и/или обработки, и/или отображения сигналов содержит указанное средство и более одной матрицы, причем указанные матрицы выполнены в виде стопы, расположенной на подложке, а устройство образует объемную структуру в зависимости от функциональных свойств каждой матрицы в стопе. 2 с. и 14 з.п. ф-лы, 9 ил.

2248626
патент выдан:
опубликован: 20.03.2005
Наверх