Конструктивные элементы: ..армирующие опоры, расположенные вдоль резистивного элемента – H01C 1/012
Патенты в данной категории
ВЫСОКООМНЫЙ ПОЛИКРЕМНИЕВЫЙ РЕЗИСТОР
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкции высокоомных поликремниевых резисторов, и может быть использовано как в качестве дискретных приборов, так и в качестве элемента при создании больших и сверхбольших интегральных схем различного назначения. Поликремниевый резистор содержит область поликремния на изолирующем ее от подложки и элементов интегральной схемы диэлектрике, высоколегированные области контактов резистора, легированный слой в теле резистора, полученный после формирования металлизации, отожженный при сравнительно низкой температуре (250°С÷850°С) и поэтому имеющий ограниченную глубину, меньшую, чем толщина поликремниевого слоя. Заявляемая конструкция позволяет получать большие поверхностные сопротивления поликремниевых резисторов с высокой точностью за счет того, что легирование тела резистора и отжиг его при сравнительно невысокой температуре проводятся после формирования металлизации, то есть легированный слой тела резистора имеет глубину, меньшую, чем толщина поликремниевого слоя. 6 ил. |
2374708 патент выдан: опубликован: 27.11.2009 |
|