Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий, нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него: .содержащие средства для снижения до минимума изменений величины сопротивления при изменении температуры – H01C 7/06
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01C Резисторы
H01C 7/00 Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него
H01C 7/06 .содержащие средства для снижения до минимума изменений величины сопротивления при изменении температуры
Патенты в данной категории
| СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПЛАНАРНЫЙ КОНДЕНСАТОР
Изобретение относится к сегнетоэлектрическим конденсаторам и может быть использовано в технике СВЧ с использованием планарной технологии. Согласно изобретению сегнетоэлектрический конденсатор содержит диэлектрическую подложку из сегнетоэлектрика и сформированные на ней электроды, причем диэлектрическая подложка изготовлена из полярного молекулярного сегнетоэлектрического кристалла, содержащего биполярные анизотропно-мобильные молекулы, например молекулы глицина в кристаллическом триглицинсульфате формулы (NH2 СН2СООН)3Н2SO4 . Техническим результатом изобретения является создание поверхностных эффективных миниатюрных конденсаторов. 1 ил. |
2271046 патент выдан: опубликован: 27.02.2006 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ Использование в области изготовления изделий с пленочными резистивными элементами. Технический результат: повышение воспроизводимости основных параметров резистивных элементов и расширение технологических возможностей в части унификации режимов нанесения и обработки резистивных слоев. Сущность изобретения: производят послойное нанесение на диэлектрическую подложку двух и более резистивных слоев из одного материала, производят термообработку перед каждым нанесением резистивного слоя предыдущих слоев, формируют конфигурацию резисторов и контактов, при этом термообработку производят цилиндрически в течение 25 - 30 мин путем последовательного помещения и выдержки подложки в жидком азоте, органическом растворителе и на воздухе, при этом время выдержки на каждой операции выбирают равным 30 - 60 с. 1 табл. | 2145744 патент выдан: опубликован: 20.02.2000 |
|
| ТЕРМОСТАБИЛЬНАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МИКРОСХЕМА Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве прецизионного набора резисторов в системах управления, автоматике, измерительной технике и других отраслях народного хозяйства. Термостабильная тонкопленочная микросхема содержит корпус, выводы корпуса, диэлектрическую подложку, соединенную с корпусом посредством клеевого шва, узловую сеть тонкопленочных резисторов, элементы которой выполнены из N отдельных резисторов, а ее общее сопротивление зависит от структуры узловой сети и от значений сопротивления в ячейках этой структуры. Высокая стабильность электрических параметров и большая универсальность достигается определенным соединением и выполнением резисторов. 2 ил. | 2129741 патент выдан: опубликован: 27.04.1999 |
|