Элементы конструкции электродов, устройств для магнитного управления, экранов, устройств для их крепления или размещения, общие для двух и более основных типов электронных и газоразрядных приборов: ..фотоэлектрические катоды-фотокатоды – H01J 1/34

Изобретение может найти применение в качестве приборной структуры для твердотельных автоэмиссионных диодов и эмитирующих электроны активных элементов функциональных узлов как в твердотельной электронике, так и в вакуумной эмиссионной электронике, в том числе в силовой СВЧ электронике. Гетеропереходная структура согласно изобретению состоит из полупроводниковых слоев n- и p-типа проводимости, расположенных последовательно на подложке n-типа, гомогенной прилежащему к ней полупроводниковому слою n-типа и имеющей омический контакт к тыльной стороне, при этом на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы расположен массив из наноструктурированных объектов, p-слой выполнен в виде алмазной пленки, толщина которой не превышает диффузионную длину электронов, а концентрация акцепторов в нем находится в диапазоне 10²⁰-10²⁴ м ^-3. Изобретение обеспечивает возможность значительного увеличения рабочих токов автокатода, либо автоэмиссионных диодов, повышения стойкости устройств к деградации и увеличения их рабочего ресурса. 5 з.п. ф-лы, 1 пр., 6 ил.

Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники. Фотокатод включает диэлектрическую или полупроводниковую подложку, на которую нанесен слой эмитирующего фотоэлектроны полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны Eg₁. На поверхности слоя полупроводника выращены квантовые точки из полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны подложки Eg₂, декорированные атомами электроположительного металла общей толщиной до 3,0 монослоев. Eg₂<Eg ₁. Технический результат - увеличение квантового выхода фотоэмиссии и возможность селективно анализировать и регистрировать падающее излучение в различных спектральных диапазонах. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники, а именно к фотоэмиссионным полупроводниковым устройствам, работающим в видимой и ближней ультрафиолетовой области. Такие устройства могут быть использованы для создании нового класса эффективных фотоэлектронных приборов на базе широкозонных полупроводников. Техническим результатом является расширение спектрального диапазона и повышение воспроизводимости спектральных характеристик. Устройство для получения фотоэлектронной эмиссии в вакуум включает слой из полупроводникового материала на основе нитридов элементов третьей группы n-типа проводимости с концентрацией не менее 5·10 ¹⁶ см^-3, с шириной запрещенной зоны Eg, со сродством к электрону и работой выхода электрона на обращенной в вакуум рабочей поверхности упомянутого полупроводникового материала, активированной щелочным металлом или его окислом, удовлетворяющими соотношениям: Eg>, эВ; >, эВ. 18 з.п. ф-лы, 9 ил.