Конструктивные элементы электронных вакуумных приборов, отнесенных к группе  ,21/00: .эмиттирующие электроды, катоды – H01J 19/02

Изобретение относится к технологии изготовления макро- и микроизделий - эмиттеров электронов с пониженной работой выхода электронов и с большим ресурсом работы, предназначенных для термоэмиссионных элементов электродуговых катодов генераторов плазмы и термоэмиссионных катодов электровакуумных или газонаполненных приборов, являющихся источником электронов. Способ изготовления эмиттера электронов из вольфрама с легирующими добавками заключается в том, что вводят в вакуумную камеру смесь гексафторида вольфрама, водорода и летучего фторида или иодида легирующей добавки в соотношении, соответствующему заданному составу эмиттера, воздействуют на указанную смесь лазерным лучом и отводят продукты реакции из камеры, при этом формируют эмиттер осаждением восстановленных вольфрама и легирующей добавки на подложку, выполненную из вольфрама, и размещенную по центру лазерного луча на держателе, перемещая при этом подложку относительно лазера со скоростью, равной скорости осаждения вольфрама и легирующей добавки. Техническим результатом является повышение ресурса работы вольфрамовых эмиттеров электронов за счет гомогенного распределения легирующих добавок с более низкой, чем у вольфрама, работой выхода электронов, снижение эрозии эмиттера за счет исключения окисления, повышение и возможность регулирования концентрации легирующих добавок, регулирование структуры вольфрама, снижение расхода материалов. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к области электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности для повышения качества катодов и электрической прочности электровакуумных приборов и конструкций. Способ повышения качества поверхности катода вакуумного промежутка заключается в воздействии одиночных импульсов наносекундной длительности при амплитудах, обеспечивающих время запаздывания пробоя, равное длительности воздействующего импульса. По заданным материалу катода и длительности импульса определяют критическую микронапряженность Е_кр электрического поля, измеряют предпробойные токи и определяют коэффициент усиления поля на микронеоднородностях катодной поверхности, рассчитывают амплитуду U воздействующего импульса, подают на промежуток импульс расчетной амплитуды U, затем измеряют предпробойные токи и повторяют все последующие операции до достижения требуемого значения коэффициента усиления , в случае недостаточной величины коэффициента уменьшают длительность импульса и повторяют все упомянутые операции. Технический результат: повышение эффективности способа за счет контроля состояния поверхности катода в процессе обработки и оптимизации амплитуды каждого импульса. 2 ил.

Изобретение относится к устройствам и способам получения отрицательно заряженных наночастиц для использования в медицине, бытовых приборах, биоинженерии и т.п. Сущность изобретения: устройство для получения отрицательно заряженных наночастиц состоит из источника питания, кожуха, контроллера и эмиттера электронов, где источник питания подсоединен к эмиттеру электронов и контроллеру, устройство имеет только один эмиттер электронов, названный сверхмалым эмиттером электронов, эмитирующая часть которого имеет размер микронного или субмикронного уровня, и являющийся электродом с только одним потенциалом, приложенным к электроду, при этом величина потенциала электрода выбрана в диапазоне от -2 кВ до -29 кВ, вследствие чего указанный электрод посредством туннельного эффекта излучает электроны, которые объединяются с наночастицами в воздухе, образуя отрицательно заряженные наночастицы. Предложен также способ получения отрицательно заряженных наночастиц. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области электровакуумных приборов, в частности к способу изготовления импрегнированных катодов. Способ изготовления импрегнированных катодов заключается в том, что порошок W замешивают на рениевой кислоте (HReO₄ ) до пастообразного состояния, укладывают эту пасту на керн катода из Мо, W или их сплавов с Re с очищенной и разрыхленной поверхностью и спекают при температуре 1800±50°С в атмосфере водорода в течение 3-5 минут, после чего пропитывают термоэмиссионно-активным веществом и зачищают безводной шлифовкой. Технический результат: упрощение технологии изготовления катодов, а также снятие ограничений на их размеры и формы. Работа выхода катода не более 2 эВ, долговечность при температуре 1150°С больше 11000 часов.

Настоящее изобретение относится к микроэлектронике, включая вакуумную микроэлектронику, в частности полевые эмиссионные приборы, особенно полевые эмиссионные катоды, так же, как и другие эмиссионные приборы, такие как полевые эмиссионные дисплеи, источники для электронных пушек, СВЧ-приборы и др. Технический результат изобретения: обеспечение стабильности и однородности электронных потоков. Сущность: предложен источник электронов, у которого полевой эмиттер образован вискером, выращенным на подложке эпитаксиально. В теле и/или на поверхности полевого эмиттера выполнены балластный резистор и активная область. Балластный резистор может быть реализован в форме полупроводниковых n-n⁺, р-р⁺, или р-n полупроводниковых переходов, или изолирующего слоя, поперечных потоку носителей заряда. Компоненты для управления такими источниками электронов располагаются вертикально. 6 н. и 42 з.п. ф-лы, 7 ил.

Использование: области микро- и наноэлектроники, а более конкретно при конструировании эмиттера, в том числе эмиссионного, у активных элементов микро- и наноэлектроники: диодов и транзисторов. Сущность изобретения: в эмиттере для интегральных приборов, содержащем основание эмиттера, расположенное на подложке и выполненное из слоя каталитического материала, на поверхности которого сформированы углеродные нанотрубки, расположенные перпендикулярно поверхности основания эмиттера, в качестве основания эмиттера использован торец слоя каталитического материала, находящегося между слоями некаталитического материала. Эта конструкция позволит создать планарный эмиттер в форме “лезвия”, толщину основания которого посредством изменения толщины каталитического слоя можно регулировать в пределах 1-50 нм и которое состоит из нанотрубок с диаметрами не более толщины основания. Техническим результатом изобретения является создание планарного эмиттера. 4 ил.