Элементы конструкции электронно-лучевых трубок, отнесенных к группе ,31/00: .....приобретающие какие-либо внутренние электрические свойства под воздействием потока элементарных частиц, например экраны с токопроводимостью, возникающей в результате бомбардировки электронами или ионами – H01J 29/44
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01J Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы
H01J 29/44 .....приобретающие какие-либо внутренние электрические свойства под воздействием потока элементарных частиц, например экраны с токопроводимостью, возникающей в результате бомбардировки электронами или ионами
Патенты в данной категории
| ПЛАНАРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР (ПЭЭ) Изобретение относится к электронной технике. Планарный электронный эмиттер состоит из тела собственного полупроводника или диэлектрика с ненулевой запрещенной зоной, причем упомянутое тело макроскопической толщины (-1 мм) ограничено двумя параллельными поверхностями, и совокупности из двух электродов, осажденных/выращенных на упомянутых двух свободных поверхностях, и, при приложении к этой структуре, состоящей из двух электродов и упомянутого полупроводникового или диэлектрического тела, заключенного между ними, слабого внешнего электрического поля (-100 В/см) большая доля электронов, инжектированных в упомянутое полупроводниковое или диэлектрическое тело из отрицательно заряженного электрода (катода), проявляет квазибаллистические свойства, то есть эта доля инжектированных электронов разгоняется в упомянутом полупроводниковом или диэлектрическом теле, не испытывая сколько-нибудь заметных неупругих энергетических потерь, в результате чего достигают положительно заряженного электрода (анода) с достаточной энергией и соответствующим импульсом, чтобы пройти через упомянутый анод и выйти из упомянутой структуры в пустое пространство (вакуум), при этом упомянутое полупроводниковое или диэлектрическое тело включает в себя материал или комплекс материалов, имеющий заданную кристаллографическую ориентацию. Технический результат - низкое рассеяние мощности, упрощение конструкции, повышение плотности тока электронной эмиссии, возможность работы при комнатной температуре. 6 с. и 44 з.п.ф-лы, 24 ил. | 2224327 патент выдан: опубликован: 20.02.2004 |
|
| ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ЭКРАН И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Изобретение относится к технической физике. Технический результат - создание электролюминесцентного экрана, позволяющего при малом рабочем токе увеличить быстродействие путем снижения величины паразитной емкости конструкции, увеличить величину светового выхода и создать светоизлучающие приборы большой площади. А также создание способа изготовления электролюминесцентного экрана, позволяющего уменьшить затраты на его изготовление при использовании традиционных (известных из уровня техники) технологических процессов для формирования точечных контактов на больших площадях. Электролюминесцентный экран содержит: слой 1 люминофора; размещенный на нем слой 2 для разогрева подвижных носителей заряда; слой 4 диэлектрической изоляции; группы контактов 8; адгезионный слой (АС) 3, размещенный между слоем 4 и слоем 2. В слое 4 и в АС 3 выполнено множество сквозных отверстий 5 и 6. Каждое отверстие 5 в слое 4 сужается в направлении АС 3 и соосно переходит в соответствующее отверстие 6 в АС 3. Каждая группа контактов 8 представляет собой ограниченный по площади слой электропроводящего материала, который покрывает слой 4, включая стенки отверстий 5 в этом слое, а также стенки отверстий 6 в АС 3 и оголенные участки поверхности слоя 2, функционально являющиеся дном отверстий 6 в АС 3. В результате на указанных участках образуются точечные контакты 8. Группы контактов 8 соединены между собой параллельно. Слой 2 выполнен высокоомным по отношению к указанному слою 1 люминофора и с толщиной не менее длины свободного пробега носителя заряда в этом слое. Толщина АС 3 не превышает величины диаметра отверстий 6 в этом слое 3. Способ изготовления экрана включает формирование: слоя 1 люминофора, слоя 2 для разогрева подвижных носителей заряда, слоя 4 диэлектрической изоляции, а также отдельных групп контактов 8. Слой 2 формируют на поверхности слоя 1 люминофора. На поверхность слоя 2 наносят АС 3. Для формирования слоя 4 изготавливают диэлектрическую пленку, формируют в ней сквозные сужающиеся отверстия 5 и стороной с узкими выходами отверстий 5 указанную пленку приводят в контакт с АС 3. Через отверстия 5 формируют сквозные отверстия 6 в АС 3. На поверхности слоя 4, включая стенки отверстий 5 в этом слое 4, а также на стенках отверстий 6 в АС 3 и оголенных участках поверхности слоя 2 формируют слой электропроводящего материала. Группы контактов 8 формируют посредством проведения по слою электропроводящего материала операции литографии. 2 с. и 19 з.п. ф-лы, 3 ил. | 2184430 патент выдан: опубликован: 27.06.2002 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИШЕНЬ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО ПРИБОРА Использование: электронная вакуумная техника, в частности полупроводниковые мишени, применяемые в кодирующих и передающих электронно-лучевых трубках. Сущность изобретения: в мишень, выполненную на основе транзисторов, введены изолированные друг от друга металлические площадки (МП), которые являются приемниками заряда электронного луча. В качестве транзисторов использованы полевые транзисторы (ПТ). Каждая МП электрически соединена с управляющим электродом ПТ. 3 ил. | 2034357 патент выдан: опубликован: 30.04.1995 |
|