Фотоэлектрические разрядные приборы, в которых не происходит ионизация газа: ...фотоэмиссионные катоды – H01J 40/06

Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов ИК-диапазона. Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона заключается в нагреве поверхности подложки (основы) из легированного арсенида галлия с дырочной проводимостью (p-GaAs), снижении температуры до комнатной, напыления на поверхность подложки поочередно атомов цезия и кислорода, измерения тока фотоэмиссии с поверхности. При этом подложку нагревают до повышения концентрации мышьяка на поверхности более чем в 1.5 раза, затем фиксируют состав поверхности резким снижением температуры подложки до комнатной температуры, затем напыляют поочередно атомы цезия и кислорода дозами долей монослоя до образования цезиевой пленки моноатомной толщины, затем эмиттер помещают на несколько минут в атмосферу инертного газа. Изобретение обеспечивает увеличение фоточувствительности и повышение времени технологической жизни, интервала времени после формирования до запайки в прибор, уменьшение глубины анализируемого слоя, повышение достоверности результатов анализа и повышение совместимости аппаратуры для его реализации с другими методами анализа и технологическим оборудованием. 4 ил.

Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники. Фотокатод включает диэлектрическую или полупроводниковую подложку, на которую нанесен слой эмитирующего фотоэлектроны полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны Eg₁. На поверхности слоя полупроводника выращены квантовые точки из полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны подложки Eg₂, декорированные атомами электроположительного металла общей толщиной до 3,0 монослоев. Eg₂<Eg ₁. Технический результат - увеличение квантового выхода фотоэмиссии и возможность селективно анализировать и регистрировать падающее излучение в различных спектральных диапазонах. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области элементов конструкций фотоэлектронных приборов, а именно к фотокатодам на рельефных подложках, использующихся в качестве входных преобразователей электромагнитного излучения в электронный поток. Фотокатод состоит из прозрачной для света диэлектрической подложки и тонкого фотоэмиссионного слоя, разделенного в каждой ячейке на три части, выполняющие различные функции. Преобразование свет-электрон производится посредством частей фотоэмиссионного слоя, помещенных на дно ячеек, резистивно связанных с расположенной на поверхности подложки низкоомной частью фотоэмиссионного слоя, выполненного в виде сетки. Сопротивление резистивной связи выбирается таким, чтобы при превышении фотоэмиссионного тока из ячейки фотокатода заданной величины на дне ячейки возникал положительный объемный заряд, электрическое поле которого возвращает фотоэлектроны обратно на дно ячейки. Тем самым происходит ограничение величины фототока из ячейки при пересветке. Поскольку фотокатод составлен из изолированных ячеек, токоотбор из которых производится на общий низкоомный сетчатый электрод, пересветка одних ячеек не изменит состояние других, что обеспечит фотокатоду устойчивость к локальной пересветке. При низком уровне освещенности, при котором обычно работают фотоэлектронные приборы, объемный заряд не будет возникать, и фотокатод будет работать как обычный. Такие фотокатоды могут работать особенно успешно в фотоэлектронных приборах одновременного наблюдения объектов, отличающихся по яркости на несколько порядков. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники, а именно к фотоэмиссионным полупроводниковым устройствам, работающим в видимой и ближней ультрафиолетовой области. Такие устройства могут быть использованы для создании нового класса эффективных фотоэлектронных приборов на базе широкозонных полупроводников. Техническим результатом является расширение спектрального диапазона и повышение воспроизводимости спектральных характеристик. Устройство для получения фотоэлектронной эмиссии в вакуум включает слой из полупроводникового материала на основе нитридов элементов третьей группы n-типа проводимости с концентрацией не менее 5·10 ¹⁶ см^-3, с шириной запрещенной зоны Eg, со сродством к электрону и работой выхода электрона на обращенной в вакуум рабочей поверхности упомянутого полупроводникового материала, активированной щелочным металлом или его окислом, удовлетворяющими соотношениям: Eg>, эВ; >, эВ. 18 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к технике изготовления фотополевых катодов из полупроводниковых материалов и может быть использовано в процессе изготовления приемников излучения для видимого и инфракрасного диапазона оптического излучения. Технический результат - увеличение чувствительности фотокатода. Для достижения данного результата изготовления фотополевого катода из полупроводникового материала типа А3В5 производят травление заготовки и очистку эмиссионной рабочей поверхности до степени атомно-чистой поверхности. После этого эмиссионную рабочую поверхность нагревают до температуры 400-450 К и наносят на нее в вакууме субмонослойное покрытие в виде пленки алюминия Al толщиной 0,4-0,8 монослоя. 2 ил.

Изобретение относится к технике изготовления фотополевых катодов из полупроводниковых материалов и может быть использовано в процессе изготовления приемников излучения. Технический результат - увеличение коррозионной стойкости фотокатода приемников излучения. Для достижения данного результата при изготовлении фотополевого катода вакуумируют и очищают фотоэмиссионную рабочую поверхность катода путем электрохимической десорбции в атмосфере водорода Н при давлении 5-10 Торр до получения атомно-чистой поверхности. После этого на нее наносят регенерируемое защитное покрытие в виде слоя золота Au толщиной 2-5 монослоев методом термического испарения материала покрытия в вакууме. Затем вакуум снимают и производят хранение фотополевого катода на воздухе. 2 ил.