Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления электронных или газоразрядных приборов, разрядных осветительных ламп или их деталей, восстановление материала из электронных или газоразрядных приборов или ламп: .изготовление электродов или электродных систем – H01J 9/02

Изобретение относится к технологии изготовления эмиттеров электронов с пониженной работой выхода, может использоваться в диоде для выпрямителей переменного тока в постоянный при высоких температурах окружающей среды. Технический результат - упрощение изготовления эмиттера с сохранением основных выходных параметров устройства больших плотностей электронного тока. Способ предусматривает изготовление эмиттера электронов из тугоплавкого материала с добавками цезия или бария, в качестве материала эмиттера используют монокристаллические W или Мо или Nb или Та, а барий или цезий имплантируют в материал эмиттера путем бомбардировки пучком ионов, ускоренных до энергии 30-60 кэВ до достижения доз имплантации 10¹⁶ ион/см². Дополнительно осуществляют сканирование ионного пучка по поверхности эмиттера в горизонтальном и вертикальном направлениях. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к способам лазерной обработки материалов при изготовлении автоэмиссионных катодов из стеклоуглерода, которые могут быть использованы в области приборостроения электронной техники, а именно в электровакуумных приборах с большой плотностью электронных потоков и микросекундным временем готовности. Для создания автоэмиссионного катода в качестве углеродного материала используют стеклоуглерод. Формирование эмиттеров на поверхности катода производят фрезеровкой сфокусированным лазерным излучением и последующей лазерной очисткой поверхности катодной структуры. Нанесение эмитирующей структуры на поверхности эмиттеров катода производят лазерной микрогравировкой с образованием поля микроострий пирамидальной формы с последующей вырезкой основания катода сфокусированным лазерным излучением и лазерной очисткой эмитирующих структур. Технический результат - повышение технических характеристик автоэмиссионного катода. 2 ил.

Изобретение относится к области электроники. Технологический прибор для обработки полого холодного катода в газовом разряде, содержащий полый холодный катод, анод, расположенный коаксиально внутри катода и равноудаленный от его поверхности, стеклянную вакуумно-плотную оболочку, в котором анод выполнен составным, рабочая часть анода, контактирующая с газовым разрядом, соединена с его внешней частью, электрически контактирующей с внешним источником напряжения или тока, посредством разъемного соединения, выполнена из того же материала, что и рабочая поверхность катода, обработана с не меньшим классом чистоты, чем у катода, со стороны входа в катод частично экранирована диэлектриком, расположенным коаксиально снаружи анода. Неэкранированная рабочая часть анода расположена внутри полости катода и ограничена максимальной длиной, не превышающей длины катода. Обрабатываемый катод закреплен в держателе, который электрически соединен с токоподводом к катоду, причем токоподвод вакуумно-плотно вмонтирован в стеклянную оболочку технологического прибора. Технический результат - возможность проводить анодное окисление катода в среде электроотрицательного газа, тренировать и испытывать катод автономно от вакуумного поста, а также неоднократно заменять или использовать анод и стеклянную вакуумно-плотную оболочку при установке нового катода. 1 ил.

Заявленное изобретение относится к области электротехники, а именно, к способу получения трехмерно-структурированной полупроводниковой подложки для автоэмиссионного катода, и может быть использовано в различных электронных приборах: СВЧ, рентгеновских трубках, источниках света, компенсаторах заряда ионных пучков и т.п. Создание трехмерно-структурированной полупроводниковой подложки, на которую наносят эмитирующую пленку автоэмиссионных катодов в виде микроострийной квазирегулярной ячеисто-пичковой структуры с аспектным отношением не менее 2 (отношение высоты острий к их высоте), позволяет повысить эмиссионную характеристику катодов, что является техническим результатом заявленного изобретения. Полупроводниковую подложку для формирования на ней требуемой микроострийной структуры подвергают фотоэлектрохимическому травлению в водном или безводном электролите, меняя режимы травления и интенсивность подсветки. Предложена также структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода из кристаллического кремния р-типа с проводимостью от 1 до 8 Ом*см и сам автоэмиссионный катод с такой подложкой, обладающий повышенными эмиссионными характеристиками. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Способ изготовления МДМ-катода предназначен для повышения плотности тока эмиссии и однородности ее распределения по поверхности. На подложку последовательно осаждается металлический нижний электрод на основе пленки молибдена, затем два слоя резистов, в которых формируется рисунок с помощью электронно-лучевой литографии, затем напыляется сплошная пленка молибдена. Наноострийная структура получается путем «взрыва» резистивной маски в виде пирамидок с основанием 260 нм, вершиной 40 нм, высотой 250 нм и плотностью 3·10⁸ см^-2. Технический результат - повышение равномерности распределения эмиссионных центров и плотности тока эмиссии. 2 ил.

Изобретение относится к устройствам вакуумной электроники, в частности к источникам для получения электронного потока - автоэмиттерам (холодным эмиттерам) электронов, материалам и способам их изготовления. Подобные катоды могут использоваться в качестве источников электронов в различных электронных приборах - электронных микроскопах, рентгеновских трубках, усилительных и генераторных приборах СВЧ электроники, источниках света и т.п. Технический результат изобретения - получение стабильного автоэмиссионного катода с высокой удельной проводимостью, плотностью автоэмиссионного тока до 20 мА/см². Результат достигнут использованием в автоэмиссионном катоде объемного композитного материала, содержащего частицы металла, окруженные наноструктурированным углеродным материалом (углеродные или углерод-азотные нанотрубки, углеродные нановолокна, фуллерены и им подобные материалы). При этом металл обеспечивает низкое удельное сопротивление, высокую теплопроводность и механическую прочность, а наноуглеродный материал - высокие эмиссионные свойства катода. Для повышения эффективности автоэлектронной эмиссии при изготовлении катода применены: дополнительная механическая обработка с удалением поверхностного слоя катода и последующей шлифовкой, химическое и плазменное травление рабочей поверхности. Полученный катод обеспечивает плотность автоэмиссионного тока на уровне 10-20 мА/см² с высокой стабильностью и однородностью. 4 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления электронных приборов, в частности к технологии изготовления углеродных многоострийных автоэмиссионных катодов, используемых в вакуумных электронных приборах с эффективными холодными источниками электронов. Технический результат - увеличение плотности автоэмиссионного тока за счет образования периодической микроострийной углеродной структуры. Для образования периодической структуры из микроострий на поверхности монолитной углеродной подложки в качестве микро-, наноразмерной обработки используется способ группового микрозаострения в низкотемпературной плазме ВЧ-разряда в кислородной или в смеси кислородной и инертной газовых средах. 3 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление матрицы многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют на пластинах монокристаллического кремния в плазме микроволнового газового разряда осаждением из паров углеродосодержащих веществ, например этанола, с использованием явлений самоорганизации и структурирования субмонослойных углеродных покрытий в наноостровковые образования и последующего высокотемпературного отжига. Для увеличения коэффициента усиления электрического поля и уменьшения, тем самым, рабочих напряжений при получении повышенных значений токов автоэмиссии осуществляют формирование эмиссионных центров в виде интегральных столбчатых наноструктур высотой до нескольких десятков нанометров, которые получают высокоанизотропным травлением кремниевых пластин с использованием полученных углеродных островковых нанообразований в качестве масочного покрытия. Технический результат - повышение стабильности и эффективности эмиссии.

Электрод на основе оксида олова, сформированный из композиции, содержащей основной компонент, состоящий из оксида олова (SnO₂) и добавок, состоящих из CuO, ZnO, а также добавок, изменяющих удельное электрическое сопротивление. Общее количество CuO и ZnO не больше чем приблизительно 0,3 вес.% и количество ZnO находится в диапазоне от приблизительно 0,1 вес.% до приблизительно 0,19 вес.%. Полученный электрод выполнен в виде прямоугольного тела, которое не содержит макроскопических трещин, поскольку состав предложенной композиции позволяет получать электроды промышленного размера на основе оксида олова, не содержащие внутренних трещин, что явяляется техническим результатом предложенного изобретения. Кроме того, удельное электрическое сопротивление готовых электродов пригодно для их промышленного использования. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл., 2 пр.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии многоострийных углеродных структур. Синтез материала многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют в плазме микроволнового газового разряда из паров углеродосодержащих веществ, например, этанола в диапазоне параметров процесса, в котором реализуется переход от осаждения графитовых к осаждению алмазных пленок. Образующийся композиционный материал представляет собой графитовую матрицу с включениями наноалмазных кристаллитов. Матрица многоострийного автоэмиссионного катода изготавливается по технологии, совместимой с технологией производства интегральных схем. Технический результат - повышение механической и электрической прочности, плотности автоэмиссионных токов и деградационной стойкости при работе с повышенными напряжениями. 2 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении приборов вакуумной микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является использование в качестве материала эмиттера наноалмазных покрытий, представляющих собой углеродные пленки, которые содержат наноструктурированные алмазные компоненты, что приводит к повышению деградационной стойкости, плотности тока и уменьшению рабочих напряжений в интегральных приборах вакуумной нано- и микроэлектроники. Сущность изобретения: интегральный автоэмиссионный элемент включает подложку, покрытую диэлектрическим слоем, катодную структуру, состоящую из одного или нескольких слоев электропроводящего материала и расположенную на внешней поверхности упомянутой подложки, опорную структуру, расположенную на верхней поверхности упомянутой катодной структуры и содержащую сквозные отверстия, внутри которых формируются катоды на основе наноалмазных покрытий, расположенные на внешней поверхности катодной структуры, анодный слой из электропроводящего материала, расположенный на внешней поверхности упомянутой опорной структуры и содержащий технологические отверстия, совмещенные с упомянутыми отверстиями в опорной структуре. Создание эмиттера на основе наноалмазного покрытия проводится в едином технологическом цикле с формированием структуры анодов без дополнительной операции совмещения анодов с катодной структурой. 4 н. и 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к углеродсодержащим наноматериалам с низким порогом полевой эмиссии электронов (НППЭЭ). Техническим результатом изобретения является получение дисперсных материалов с (НППЭЭ) и упрощение технологии их изготовления. Согласно изобретению углеродсодержащий наноматериал с НППЭЭ представляет собой дисперсный порошок с размером частиц менее 50 мкм, состоящий из ядра и поверхностного слоя, при этом ядро сформировано из диэлектрического (ДЭ) или полупроводникового (ПП) материала, и поверхностного слоя из графитоподобного углерода (ГПУ) толщиной 0,5-50 нм. Способы получения наноматериала (варианты) реализуются следующим образом. 1. Порошки ДЭ или ПП материала термообрабатывают в среде углеводородов при температуре, превышающей температуру их термического разложения, в течение времени, необходимого для образования на поверхности частиц порошка слоя ГПУ толщиной 0,5-50 нм. 2. Порошки алмаза термообрабатывают в инертной среде или вакууме при температуре, превышающей температуру перехода алмаза в графит, в течение времени, необходимого для образования на поверхности частиц алмаза слоя ГПУ толщиной 0,5-50 нм. 3. Порошки ковалентных или металлоподобных карбидов термообрабатывают в хлоре при температуре, превышающей температуру их взаимодействия с хлором с образованием газообразных хлоридов и углерода, в течение времени, необходимого для образования на поверхности частиц порошка слоя ГПУ толщиной 0,5-50 нм. 4 н. и 4 з.п. ф-лы, 1 ил.

Данное изобретение относится к способу изготовления эмитирующего электроны прибора, содержащего материал с низкой работой выхода, способу изготовления источника электронов и способу изготовления устройства отображения изображения. Технический результат - обеспечение возможности создания устройства, способного отображать изображение с малой флуктуацией яркости в течение длительного периода времени. Достигается тем, что предложен способ простого изготовления эмитирующего электроны прибора, покрытого материалом с низкой работой выхода, обладающим хорошими электронно-эмиссионными свойствами, с высокой воспроизводимостью, вследствие чего уменьшаются различия в электронно-эмиссионных свойствах между эмитирующими электроны приборами. Перед покрытием структуры материалом с низкой работой выхода на этой структуре формируют слой оксида металла. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 27 ил.

Изобретение относится к способам формирования защитного слоя при изготовлении плазменной индикаторной панели (PDP). При этом панель состоит из передней подложки, содержащей сканирующий электрод, поддерживающий электрод, диэлектрический слой и защитный слой, и задней подложки, содержащей адресный электрод, барьерные ребра и флуоресцентный материал, нанесенный на внутренние стенки канавок, образованных барьерными ребрами. Способ включает формирование пленки MgO, имеющей ориентацию (111), методом осаждения из паровой фазы со скоростью осаждения, составляющей 280 Å/с или более, и при температуре подложки, составляющей 120°С или менее. Технический результат - упрощение производственного процесса, возможность получения слоя MgO с ориентацией (111) за счет понижения температуры осаждения. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 24 ил.

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при производстве газоразрядных приборов, в частности холодных катодов моноблочных газовых лазеров. Способ изготовления полого холодного катода газового лазера, включающий изготовление заготовки, напыление на ее внутреннюю поверхность эмитирующей пленки и окисление ее в кислороде, в котором заготовку катода и эмитирующую пленку выполняют из алюминия, проводят термообработку катода при давлении не выше 0,00133 Па при температуре 573 593 К в течение 30 40 мин с последующим ступенчатым окислением эмитирующей пленки при нормальной температуре разрядом в кислороде при плотностях тока 0,15 0,9 мА/см и давлении кислорода 40 Па 80 Па в течение 45 55 мин, затем при плотности тока 0,15 0,3 мА/см² и давлении кислорода 150 200 Па в течение 25 35 мин. Технический результат - упрощение технологии за счет исключения термического окисления, уменьшения затрачиваемого технологического времени и необходимости использования высокотоксичного бериллия. 1 табл.

Изобретение относится к области электронной техники. Технический результат - повышение эффективности и стабильности эмиссии с уменьшением порогового значения напряженности электрического поля. Способ изготовления многослойного полевого эмиттера состоит в получении вольфрамового острия путем химического травления вольфрамовой нити щелочным раствором, закреплении вольфрамового острия в нагревательном элементе, очистки вольфрамового острия в вакууме путем прогрева до получения поликристаллической решетки чистого вольфрама и последующем напылении. Напыление осуществляют последовательным нанесением слоя TiO₂ толщиной не более двух монослоев, а затем слоя Cs, толщиной не более монослоя, при этом осуществляют контроль за током эмиссии до максимального его значения 2-3 мкА при расстоянии от анода до вольфрамового острия в пределах 23-27 мм и напряжении между ними в пределах 6±0,5 кВ. Способ может быть использован при создании плоских автоэмиссионных дисплеев для мониторов и телевизоров, не уступающих электронно-лучевым дисплеям по разрешению и яркости, магнетронов с безнакальным автокатодом, которые позволяют создавать современные и экономичные радары, высокочастотных полевых эмиссионных диодов. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.

Изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к полевым эмиссионным элементам с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов: к триодам, к диодам и к устройствам на их основе, полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов и др. Полевой эмиссионный элемент включает подложку (1), катодную структуру (7, 8, 9), состоящую из одного или нескольких слоев электропроводящего материала и расположенную на внешней поверхности упомянутой подложки, опорную структуру (10, 11, 12), состоящую из одного диэлектрического слоя или нескольких диэлектрических и электропроводящих слоев, расположенную на верхней поверхности упомянутой катодной структуры и содержащую сквозные отверстия, внутри которых формируются эмиссионные катоды в виде углеродных нанотрубок (6), расположенных на внешней поверхности катодной структуры перпендикулярно данной поверхности, анодный слой (14) из электропроводящего материала, расположенный на внешней поверхности упомянутой опорной структуры и содержащий технологические отверстия, совмещенные с упомянутыми отверстиями в опорной структуре. Создание анода и формирование катода (нанесение углеродных нанотрубок) происходит в едином технологическом цикле без дополнительной операции совмещения анодов с катодной структурой. Технический результат: повышение равномерности тока и уменьшение рабочих напряжений в эмиссионных приборах вакуумной микроэлектроники на основе углеродных нанотрубок. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к эмитирующему электроны устройству, источнику электронов с использованием такого устройства и к устройству визуального отображения. Эмитирующее электроны устройство включает в себя подложку, снабженную первым участком, содержащим оксид кремния, и вторым участком, расположенным на одной линии с первым участком и имеющим более высокую теплопроводность, и электропроводную пленку, включающую в себя зазор, при этом электропроводная пленка расположена на подложке, первый и второй участки имеют более высокое сопротивление, чем сопротивление электропроводной пленки, а зазор расположен на первом участке. Предложенное эмитирующее электроны устройство имеет небольшую дисперсию характеристики эмиссии электронов и пониженную «флуктуацию» количества эмиссии электронов. 10 н. и 12 з.п. ф-лы, 27 ил.

Изобретение относится к области ядерной физики, а именно к получению нейтронов в результате взаимодействия ускоренных ионов дейтерия с ядрами трития, в частности к области изготовления дейтерий-тритиевых газонаполненных нейтронных трубок, которые предназначены для генерации потоков нейтронов. Техническим результатом является повышение нейтронного потока, повышение надежности и ресурса работы газонаполненных нейтронных трубок. Технический результат достигается тем, что мишень газонаполненной нейтронной трубки предварительно насыщают дейтерием до атомного отношения не менее 1,6, где - отношение атомов дейтерия к атомам пленки адсорбента, устанавливают мишень в трубку, а затем производят набивку мишени равносмешанным пучком ионов дейтерия и трития.

Изобретение относится к изготовлению газонаполненных нейтронных трубок для генерации потоков нейтронов. Техническим результатом изобретения является повышение нейтронного потока газонаполненной нейтронной трубки. Термическую обработку кромки ускоряющего электрода газонаполненной нейтронной трубки проводят в собранной газонаполненной нейтронной трубке расфокусированным пучком ионов дейтерия и трития, подавая на ускоряющий электрод газонаполненной нейтронной трубки напряжение от 3,5 до 5,5 кВ и пропуская через межэлектродный промежуток ионный ток дейтерия и трития от 50 до 100 мкА в течение 4-12 часов. 4 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии многоострийных углеродных структур. Синтез материала многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют в плазме микроволнового газового разряда из паров углеродосодержащих веществ, например этанола, в диапазоне параметров процесса, в котором реализуется переход от осаждения графитовых к осаждению алмазных пленок. Образующийся композиционный материал представляет собой графитовую матрицу с включениями наноалмазных кристаллитов с размерами d<L, где L=( ₀ kT/e²n_o) - толщина обедненного слоя в полупроводниковой структуре алмазных кристаллитов, - диэлектрическая проницаемость вещества, k - константа Больцмана, T - абсолютная температура, е - заряд электрона, n _o - концентрация свободных носителей, связанная с объемными уровнями. Матрица многоострийного автоэмиссионного катода изготавливается по технологии, совместимой с технологией производства интегральных схем, обладает повышенными механической и электрической прочностью и теплопроводностью, обеспечивая при этом высокие эффективность и стабильность автоэлектронной эмиссии при более продолжительном ресурсе службы. 2 н. и 1 з.п. ф-лы

Изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к матрицам полевых эмиссионных катодов с затворами и устройствам на их основе: полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов и др. Технический результат - повышение равномерности и увеличение плотности эмиссионного тока по площади матрицы. В матрице полевых эмиссионных катодов с затворами, содержащей подложку, катодный слой из электропроводящего материала на верхней поверхности упомянутой подложки, резистивный слой из материала с высоким удельным сопротивлением на верхней поверхности упомянутого катодного слоя, изолирующий слой, расположенный на верхней поверхности упомянутого резистивного слоя и содержащий множество сквозных отверстий, проходящих перпендикулярно верхней и нижней поверхностям изолирующего слоя, затворный слой из электропроводящего материала, расположенный на верхней поверхности упомянутого изолирующего слоя и содержащий затворные отверстия, совмещенные с упомянутыми отверстиями в изолирующем слое, эмиссионные катоды, расположенные в упомянутых отверстиях изолирующего слоя, упомянутые эмиссионные катоды выполнены из металлической пленки и имеют геометрическую форму стакана, внешняя поверхность которого совмещена с внутренней поверхностью упомянутого отверстия в изолирующем слое так, что верхний край стенки стакана находится на одном уровне с верхней поверхностью изолирующего слоя, а дно стакана контактирует с упомянутым резистивным слоем, при этом в изолирующем слое в промежутке между стенкой стакана эмиссионного катода и затворным отверстием имеется полость, глубина которой равна или меньше толщины изолирующего слоя, а ширина больше или равна ширине упомянутого промежутка. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к области электротехники, к созданию металлопористого катода для вакуумных приборов, в частности катода для многотрубных вакуумных приборов, работающих на высшем виде колебаний резонатора. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности металлопористого катода, а также повышение параметров и надежности многотрубных вакуумных приборов с резонатором в виде прямоугольника. Корпус катода выполнен прямоугольным, на боковых стенках которого выполнены сквозные по толщине корпуса диаметральные врезы, расположение которых варьируется в зависимости от заданной рабочей температуры малопористого катода, диаметр врезов задает диаметр одного из торцев цилиндрического держателя, на указанном торце цилиндрического держателя соосно с корпусом выполнены два паза, а расположен прямоугольный корпус в цилиндрическом держателе посредством расположения в его врезах стенок цилиндрического держателя в местах пазов. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к способам травления слоев, нанесенных на прозрачные подложки типа стеклянной подложки, и, более конкретно, по меньшей мере, слабо электропроводящих слоев с целью получения электродов, т.е. проводящих элементов. Способ включает приведение подлежащих травлению участков слоя в контакт с раствором, погружение в раствор электрода и помещение его напротив и на расстоянии (d) от участка, приложение электрического напряжения, при этом прозрачная подложка содержит маску, имеющую рисунок, ограничивающий множество открытых участков слоя, кроме того, используют по меньшей мере один электрод и этот электрод имеет продолговатую форму для осуществления одновременного травления на нескольких открытых участках слоя по ширине l. Способ также применяется для травления слоя оксида олова, или легированного фтором оксида олова, или оксида индия-олова. Прозрачная подложка содержит слой, подвергнутый травлению данным способом. Экран для визуализации типа плазменного экрана включает в себя указанную подложку. Устройство для электрохимического травления участков слоя включает по меньшей мере один электрод и электропроводящий раствор, находящийся в ванне, в которую погружен упомянутый электрод, при этом электрод имеет продолговатую форму для осуществления одновременного травления на нескольких участках слоя по ширине l. Технический результат: ограничение и избавление от явления перетравливания. 5 н. и 23 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области газоразрядной техники и может быть использовано при формировании конструктивных элементов индикаторов, например, электродов, разделительных элементов и др. Технический результат - изготовление конструктивных элементов с контрастным покрытием, совмещенных с высокой точностью. Достигается тем, что конструктивный элемент индикатора изготавливают на сплошном слое композиции, нанесенной на стеклоподложку, включающей органический материал и порошок тугоплавкого материала темного цвета при следующем соотношении компонентов, вес. %: органический материал - 85÷95, тугоплавкий материал темного цвета - 5÷15, при этом конструктивный элемент формируют из смеси, содержащей порошки токопроводящего или диэлектрического материала и легкоплавкого стекла, после нанесения конструктивного элемента проводят выжигание органического материала, удаляют порошок тугоплавкого материала темного цвета со стеклоподложки вне конструктивного элемента, и проводят вжигание конструктивного элемента с образованием контрастного покрытия.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП). Технический результат - равномерность межэлектродного расстояния в ячейках ГИП. Обеспечивается за счет того, что межэлектродное расстояние образуют формированием диэлектрической матрицы высотой 0,25÷0,75 межэлектродного расстояния и нанесением на нее параллельных разделительных диэлектрических элементов. 1 ил.

Изобретение относится к точному приборостроению и, в частности, к изготовлению электронных приборов. Техническим результатом является повышение точности юстировки. На первом этапе юстировки устраняют эксцентриситет и непараллельность осей двух деталей путем попеременного перемещения одной детали относительно второй последовательно в двух взаимно перпендикулярных направлениях поперечной плоскости до достижения при каждом перемещении минимального значения межэлектродной электрической емкости. На втором этапе юстировки осуществляют азимутальное совмещение поверхностей деталей, обеспечивая минимальный по всей поверхности разброс межэлектродного зазора между поверхностями деталей, изготовленными с отклонениями от номинальных размеров и формы в пределах допусков, оговоренных в технической документации. На третьем этапе юстировки осуществляют азимутальное совмещение профилей поверхностей деталей. 6 ил.

Изобретение относится к вакуумной и твердотельной электронике. Технический результат – создание способа изготовления вакуумной интегральной микросхемы, позволяющего упростить технологию изготовления путем исключения операций травления и фотолитографии, повышение качества изготовляемой продукции. Достигается тем, что используют подложку из полупроводникового материала с множеством микроострий, расположенных согласно топологии вакуумной интегральной микросхемы. Последовательно направляют на подложку потоки плазмы проводящего материала и диэлектрика. Для формирования потока плазмы проводящего материала возбуждают между катодом и анодом генератора плазмы последовательность импульсных вакуумных дуг длительностью и паузой Т. Для формирования потока плазмы диэлектрика в поток плазмы проводящего материала инжектируют реактивный газ. Удаляют из потоков плазмы проводящего материала и диэлектрика атомы и ионы с энергией более eU2 при транспортировании. Формируют над торцем каждого из множества микроострий потенциальный барьер eU2<eU1 для ионов плазмы диэлектрика и ионов плазмы проводящего материала, имеющих энергию меньше eU2, в виде множества замкнутых эквипотенциальных поверхностей с величиной потенциала U2. Конденсируют плазму диэлектрика и плазму проводящего материала с внешней стороны эквипотенциальных поверхностей и формируют множество замкнутых полостей, определяемых формой замкнутой эквипотенциальной поверхности, служащих колбами электронных ламп. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления узлов ЭВП, а именно - к процессу сборки многолучевых электронных пушек изделий O-типа. Техническим результатом является повышение точности сборки путем улучшения совмещения элементов ЭОС многолучевых приборов, точнее отверстий управляющей сетки с отверстиями пролетных каналов анода, соответственно, улучшение токопрохождения прибора. Способ изготовления многолучевого СВЧ прибора O-типа включает соединение пайкой изоляторов, управляющей сетки и посадочного фланца с заданной высотой сетки над фланцем, установку собранного катодного узла с заданным зазором катодов относительно управляющей сетки, совмещение катодов с отверстием в ней и закрепление катодного узла точечной сваркой в изоляторе, установку собранной пушки в прибор по посадочным диаметрам и штифтам в ключевых отверстиях полюсного наконечника анода и посадочного фланца, при этом посадочный фланец выполняют составным из двух деталей, одну из которых, имеющую ключевые отверстия и посадочный диаметр, выполняют подвижной и устанавливают на неподвижной второй детали перед установкой пушки в прибор, после чего совмещают ключевые отверстия по углу поворота с отверстиями сетки и закрепляют на неподвижной детали. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области газоразрядной техники и может быть использовано при разработке средств отображения информации на газоразрядных индикаторных панелях (ГИП) переменного тока. Технический результат - высокий контраст воспроизводимой информации в ГИП переменного тока обеспечивается за счет формирования контрастного покрытия на слое прозрачного диэлектрика, нанесенного на электроды лицевой диэлектрической пластины. Контрастное покрытие может быть выполнено из смеси легкоплавкого стекла и керамического пигмента, из материала серого цвета, цвета свечения ячеек из частей разных цветов для цветных ГИП переменного тока, иметь коэффициент светопропускания 20-80%. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.