Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления электронных или газоразрядных приборов, разрядных осветительных ламп или их деталей, восстановление материала из электронных или газоразрядных приборов или ламп: .изготовление соединительных переходов для колб, вводных проводников или цоколей – H01J 9/24

Изобретение относится к области создания вакуумных фотоэлектронных приборов, а точнее к конструкции фотокатодного узла таких приборов, в частности, конструкции фотоэлектронных приборов (ФЭП), электронно-оптических преобразователей (ЭОП). Фотокатодный узел вакуумного фотоэлектронного прибора с полупрозрачным фотокатодом содержит входное окно из сапфира с гетероэпитаксиальной структурой соединений типа А³В⁵, выращенной на монокристаллической подложке, фланец из активного металла, закрепленный по периферийному контуру входного окна, выполненного в виде плоского диска из сапфира. Гетероэпитаксиальная структура может быть выполнена в виде структуры GaN/GaAlN, выращенной на упомянутом плоском диске из сапфира, имеющем толщину 0,5-0,7 мм. В качестве активного металла может быть использован титан. Способ изготовления фотокатодного узла вакуумного фотоэлектронного прибора с полупрозрачным фотокатодом включает изготовление гетероэпитаксиальной структуры на монокристаллической подложке и закрепление ее на входном окне, в качестве входного окна используют плоский диск из сапфира, на монокристаллической подложке эпитаксиально выращивают последовательно стопорный, активный и буферный слои гетероэпитаксиальной структуры, приваривают ее к материалу сапфира входного окна, подложку и стопорный слой стравливают селективным травлением, после чего по периферии входного окна приваривают фланец из активного металла.Технический результат- повышение чувствительности, теплопроводности фотокатодного узла и контраста передаваемого изображения, упрощение конструкции и повышение ее надежности.2 н.п. и 5 з.п.ф-лы, 4 ил.