Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ..образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам  ,21/18 или  ,21/34 – H01L 21/027

Изобретение относится к источникам получения направленного (сформированного) мягкого рентгеновского излучения, или, что то же самое, экстремального ультрафиолетового излучения (ЭУФ) с длиной волны 13,5 нм или 6,7 нм, применяемым в настоящее время или в ближайшей перспективе в проекционной литографии высокого разрешения. Технический результат - повышение эффективности и ресурса работы источников ЭУФ излучения. Плазму предварительно формируют сторонним узконаправленным инжектором, после чего нагрев электронов плазмы производят в магнитном поле в условиях электронно-циклотронного резонанса мощным электромагнитным излучением микроволнового диапазона в непрерывном режиме. Для формирования плазмы ограниченного размера используют магнитное поле и ограничивающее поперечные размеры плазмы отверстие на оси симметрии рентгеновского зеркала, при этом рабочую сторону рентгеновского зеркала изолируют от потоков плазмы, нейтральных капель материала катода и энергичных частиц. Для реализации способа в разработанный источник направленного ЭУФ излучения введен инжектор 1 узконаправленного потока плазмы 3 в магнитную ловушку 4, на выходе которой установлено рентгеновское зеркало 11, отверстие 16 на оси симметрии которого уменьшает поперечный размер потока плазмы 3. При этом рентгеновское зеркало 11 развернуто рабочей стороной от инжектора 1 плазмы, за фокальной областью 12 рентгеновского зеркала расположен уловитель плазмы 15, а конфигурация магнитного поля магнитной ловушки 4, размеры уловителя плазмы 15 и отверстия 16 на оси рентгеновского зеркала 11 подобраны таким образом, чтобы обеспечить изоляцию рабочей стороны рентгеновского зеркала 11 от потоков заряженных и нейтральных частиц. Генератор 6 электромагнитного излучения миллиметрового или субмиллиметрового диапазона длин волн для нагрева электронов плазмы 3 снабжен вогнутыми зеркалами 8, направляющими электромагнитное излучение 7 со стороны инжектора 1 на поток плазмы 3 в магнитной ловушке 4 в область электронно-циклотронного резонанса 9. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области фотолитографии, а именно к способу изготовления резистивных масок для нанолитографии. Способ включает восстановление серебра с образованием наночастиц серебра и последующую стимуляцию процесса термической полимеризации капролактама на поверхности полученных наночастиц с помощью лазерного возбуждения в них плазмонных колебаний. При этом для пространственной локализации процесса восстановления серебра используют STED-метод. Изобретение позволяет получить резистивные маски с минимальным размером элементов до 10 нм. 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к способу и устройству, полезным при нанесении нанорисунка на подложки большой площади. Техника нанесения нанорисунка использует ближнеполевую фотолитографию, которая предусматривает подложку со слоем, чувствительным к излучению, вращаемую маску, имеющую нанорисунок на внешней поверхности, соприкосновение упомянутого нанорисунка с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, распределение излучения через упомянутый нанорисунок при вращении упомянутой маски по упомянутому слою, чувствительному к излучению, посредством чего создают изображение, имеющее размер элемента в диапазоне от менее чем 1 мкм до около 1 нм в упомянутом слое, чувствительном к излучению, причем упомянутый нанорисунок является способным быть конформным нанорисунком, который согласуется с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки. Изобретение обеспечивает создание нанорисунков на подложках большой площади. 2 н. и 28 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к литографии, точнее к способам создания резистивной маски на поверхности полупроводниковой подложки. Техническим результатом изобретения является повышение производительности литографии сверхвысокого разрешения, прежде всего ЭУФ-литографии. Сущность изобретения: в способе создания маски на поверхности резиста, включающем нанесение на поверхность подложки слоя полимерного резиста, образованного из мономерных звеньев на базе органических молекул, экспонирование резиста, термическую обработку экспонированного резиста и последующее проявление созданной в резисте структуры, в состав не менее 50% мономерных звеньев включают по меньшей мере один атом фтора, а термическая обработка экспонированного резиста включает его нагрев по меньшей мере одним лазерным импульсом, длину волны излучения которого выбирают из условия, что коэффициент поглощения лазерного излучения резистом превосходит коэффициент поглощения лазерного излучения подложкой. 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к способам создания резистивной маски на поверхности подложки. Техническим результатом изобретения является увеличение разрешения литографии с высокой производительностью, использующей технологию химического усиления. Сущность изобретения: в способе создания маски на поверхности резиста, включающем нанесение на поверхность подложки слоя полимерного резиста, содержащего генератор кислоты, экспонирование резиста, термическую обработку экспонированного резиста и последующее проявление созданной в резисте структуры. В термическую обработку экспонированного резиста включают его нагрев по меньшей мере одним лазерным импульсом, длину волны излучения которого выбирают из условия, что коэффициент поглощения лазерного излучения резистом превосходит коэффициент поглощения лазерного излучения подложкой. 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к фотолитографии и может быть использовано в микроэлектронике. Технический результат изобретения заключается в получении изображения заданной топологии за счет существенного различия скоростей травления кристаллических и аморфных участков хрома в химическом травителе. Сущность изобретения: способ формирования топологического изображения в пленке хрома включает в себя этапы: нанесения методом вакуумного распыления рентгеноаморфной пленки хрома в вакуумной камере электронно-лучевым методом или методом магнетронного напыления, формирования слоя фоторезиста, экспонирования фотопластин, химического травления, ионно-лучевой обработки рентгеноаморфной пленки хрома в вакуумной камере, заполненной газовой смесью, с использованием в качестве источника ионного пучка источника Кауфмана, удаления оставшейся маски фоторезиста, химического травления пленки хрома в цериевом травителе с добавлением серной кислоты, при этом рентгеноаморфную пленку хрома наносят до толщины от 150 нм до 500 нм, слой фоторезиста формируют толщиной не менее 250 нм, ионно-лучевую обработку рентгеноаморфной пленки хрома проводят через маску фоторезиста в течение не менее 30 секунд с помощью сеточного ионного источника Кауфмана при давлении газовой смеси (4-6)·10^-2 Па, при этом газовая смесь содержит аргон от 70 до 95 мас.%, хладон 218 (C ₃F₈) от 30 до 5 мас.%, а также остаточные газы, удаление оставшейся маски фоторезиста проводят в слабом 0,5%-ном щелочном растворе и промывают подложку с пленкой хрома в дистиллированной воде. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных приборов, вакуумных интегральных СВЧ-схем и других микросхем. Технический результат - уменьшение потерь СВЧ-энергии, повышение уровня интеграции. Достигается тем, что в микропрофиле, включающем расположенные на расстоянии друг от друга (с зазором) пленочные элементы рабочей топологии, сопряженные с поверхностью диэлектрического носителя, выполнена симметрично совмещенная с рабочей топологией сквозная микрополость с образованием над ней нависающих кромок пленочных элементов рабочей топологии и тупого угла заданной величины между ними и стенками микрополости. Сущность способа изготовления микропрофиля заключается в том, что методом селективного травления сквозную микрополость выполняют в диэлектрическом носителе, начиная ее формирование со стороны, противоположной стороне, сопряженной с рабочей топологией, и продолжают до образования над ней нависающих кромок пленочных элементов и тупого угла между ними и стенками микрополости. 2 н.п. ф-лы, 7 ил., 2 табл.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов и предназначено для управляемого выращивания наноразмерных нитевидных кристаллов кремния. Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния включает подготовку кремниевой пластины путем маскирования ее поверхности фоторезистом, создания в нем отверстий, электрохимического осаждения в отверстия фоторезиста островков металла из раствора электролита и помещение подготовленной пластины в ростовую печь с последующим выращиванием на ней нитевидных кристаллов, при этом цилиндрические отверстия в фоторезисте создают диаметром менее 250 нм импринт-литографией, островки металла осаждают толщиной менее 12,5 нм, после чего удаляют фоторезист в 5% растворе плавиковой кислоты. Способ позволяет существенно облегчить создание нанотехнологических приборов на нанокристаллах.

Изобретение относится к технологии трехмерных микромеханических систем. Сущность изобретения: на кристалл, который имеет на своей поверхности вытравленные углубления, сначала накладывают лист негативного фоторезиста, который с помощью экспонирования и последующего проявления остается только над вытравленными углублениями, затем на негативный фоторезист наносят позитивный фоторезист, который подвергают экспонированию и проявлению для создания функциональных топологий, осажденных в виде тонких пленок, затем позитивный фоторезист удаляют с помощью операции «обратной (взрывной) литографии» и снимают негативный фоторезист с помощью плазменной операции, таким образом открывая вытравленные углубления. Техническим результатом изобретения является выборочное осаждение слоя на кристалле, который имеет неровную поверхность. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 23 ил.

Использование: изобретение относится к устройству, предназначенному для создания рисунка с чрезвычайно высоким разрешением на заготовке, например, такого как рисунок на полупроводниковом чипе с линиями шириной 50 мм. Сущность изобретения: устройство содержит источник для испускания электромагнитного излучения в диапазоне длин волн 100 нм и ниже, пространственный модулятор, имеющий множество пикселей, электронную систему обработки и подачи данных, принимающую цифровое описание рисунка, подлежащего записи, выделяющую из него последовательность частичных рисунков, преобразующую упомянутые частичные рисунки в сигналы модулятора и подающую упомянутые сигналы в модулятор, и прецизионную механическую систему для перемещения упомянутой заготовки и/или проекционной системы друг относительно друга. Оно также содержит электронную систему управления, координирующую перемещение заготовки, подачу сигналов в модулятор и интенсивность излучения, так, чтобы упомянутый рисунок сшивался вместе от частичных изображений, созданных последовательностью частичных рисунков. Техническим результатом изобретения является создание генератора рисунков, использующего для освещения источник электромагнитного излучения в диапазоне длин волн 100 нм и ниже. 7 з.п. ф-лы, 7 ил.