Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием – H01L 21/203

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ -SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев -SiC на кремнии монокристаллическом включает распыление керамической мишени SiC путем сканирования по ее поверхности лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку. Распыление осуществляют лазером с длиной волны излучения =1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1÷0,3 Дж при остаточном давлении в ростовой камере 10^-4-10 ^-6 Па и при температуре подложки 950÷1000°C. Обеспечивается получение эпитаксиальных слоев карбида кремния кубической модификации ( -SiC) на подложках кремния монокристаллического (Si) кристаллографической ориентации (111) и (100). 4 ил.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой карбида кремния на ее поверхности, осуществляется в газопроницаемой камере, размещенной в реакторе, в который подают смесь газов, включающую оксид углерода и кремнийсодержащий газ, при этом давление в реакторе 20-600 Па, температура 950-1400°C. Подложки располагают в газопроницаемой камере параллельно друг другу на ребро на расстоянии 1-10 мм, а пленка из карбида кремния формируется путем химической реакции поверхностных слоев кремния подложки с оксидом углерода. При этом газопроницаемая камера служит барьером для прохождения молекул кремнийсодержащего газа, но пропускает продукты его термического разложения. Изобретение позволяет повысить качество получаемых пленок при повышении производительности процесса. 2 н. и 3 з.п.ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых структур для приборов электронной техники. Изобретение обеспечивает возможность прецизионного варьирования в широких пределах концентрацией легирующей примеси в выращиваемой структуре путем изменения температуры и агрегатного состояния источника примеси из напыляемого легированного материала. В способе напыления в вакууме структур для приборов электронной техники в получении потока паров одновременно участвуют пластина, температуру нагрева которой поддерживают на уровне величины, задающей скорость роста напыляемой структуры, требуемую для эффективного встраивания легирующих примесей в растущую структуру, и группа пластин, различающихся легирующими примесями, температуры нагрева которых изменяют для регулирования концентрации легирующих примесей в растущей структуре за счет изменения состава потока паров в результате изменения скорости образования паров примесей. Резистивный источник примеси из напыляемого легированного материала выполнен в виде пластины так, что центральная полоса пластины в направлении между токовводами имеет большую толщину, чем полосы, прилегающие к краям пластины. Предлагаемое решение позволяет до минимума сократить количество резистивно нагреваемых источников примеси, вести легирование структур несколькими примесями одновременно. 4 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии получения массивов наноколец различных материалов, используемых в микро- и наноэлектронике. Сущность изобретения: в способе получения массивов наноколец, включающем подложку с нанесенными полистирольными сферами, с нанесенным затем слоем металла и последующим травлением, в качестве подложки используют упорядоченные пористые пленки, а расположение наноколец задается расположением пор в пленочном материале с использованием подходов самоорганизации. Изобретение обеспечивает экономичное, воспроизводимое и контролируемое формирование упорядоченных массивов наноколец. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: в физике конденсированного состояния, материаловедении, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов с мелкоблочной структурой и совершенной внутренней структурой блоков. Сущность изобретения заключается в том, что для получения мелкоблочных пленок различных веществ, например висмута, с совершенной структурой блоков используется система нанокластеров данного материала. Способ получения состоит из двух этапов. Первый этап заключается в получении системы нанокластеров. Данные объекты получаются напылением исходного материала, например висмута, в вакууме при температуре подложки несколько ниже температуры его плавления в массивном состоянии, но выше температуры плавления зародышей напыляемого материала критического размера. Далее на полученную систему нанокластеров при температуре подложки, соответствующей росту по механизму «пар-кристалл», производится напыление висмута для формирования сплошного слоя. Техническим результатом изобретения является получение мелкоблочных тонкопленочных образцов с совершенной внутренней структурой блоков.

Изобретение относится к технике получения пленок молекулярно-лучевым осаждением и использованием резистивных источников напыляемого материала. Техническим результатом изобретения является повышение стабилизации скорости испарения, воспроизводимости слоев напыляемого материала по толщине и повышение качества изготовляемых структур. Сущность изобретения: установка вакуумного напыления содержит подключенный к блоку питания резистивный источник испаряемого материала, обращенный первой стороной к подложке, на которой формируют полупроводниковую структуру, а второй - к приемнику заряженных частиц, подключенному к отрицательной клемме источника ускоряющего напряжения, к положительной клемме которого подключено сопротивление. Приемник заряженных частиц может быть выполнен в виде пластины из тугоплавкого металла. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при производстве изделий микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является получение пленок и слоев теллура монокристаллической структуры на ориентирующих подложках. Сущность изобретения: получают пленки и слои теллура монокристаллической структуры на гранях кристаллов путем перевода теллура в моноатомный пар и роста из него образцов монокристаллической структуры, при этом процесс осаждения проводят в атмосфере водорода при Р_Н2=1,8 атм, температуре исходного теллура Т ₂=600°С и температуре зоны подложки T₁=400°C. 4 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологий и может быть использовано для изготовления упорядоченных наноструктур, используемых в микро- и наноэлектронике, оптике, нанофотонике, биологии и медицине. Технический результат - расширение класса материалов, из которых можно формировать упорядоченные наноструктуры, повышение точности воспроизведения нанообъектов на подложке выше, стабильность процесса формирования наноструктур в одном технологическом пространстве. Заявляемым способом могут быть изготовлены однослойные и многослойные наноструктуры, в том числе содержащие слои различного состава, а также двухмерные, трехмерные упорядоченные структуры из различных материалов. Согласно способу подложку и исходный субстрат, содержащий наночастицы, располагают с образованием пространства между ними. В указанном пространстве распыляют субстрат в виде облака капель, каждая из которых содержит, по меньшей мере, одну наночастицу. Создание субстрата в виде распыленного облака капель осуществляют посредством ультразвукового воздействия при размещении источника ультразвукового воздействия относительно подложки с возможностью организации распыленного облака капель в указанном пространстве. Управление движением в указанном пространстве и осаждением капель на подложку осуществляют воздействием на них внешними электрическими и/или магнитными полями. 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области нанотехнологий и может быть использовано для формирования наноструктур из испаряемой микрокапли воздействием акустических полей. Технический результат - универсальность в отношении класса объектов, подвергаемых наноструктурированию. Комплекс для формирования наноструктур включает формирователь наноструктур, оптический микроскоп, средство отображения информации и средство обработки информации и управления комплексом. Формирователь наноструктур содержит основание и источник формирующего воздействия, при этом основание выполнено пьезоэлектрическим с возможностью нанесения на его поверхность исходного субстрата, а источником формирующего наноструктуру воздействия служат поверхностные акустические волны (ПАВ), причем для создания линии ПАВ на пьезоэлектрическом основании размещена пара встречно-штыревых преобразователей (ВШП) с возможностью возбуждения между ними акустического поля, а формирователь установлен в предметной плоскости оптического микроскопа, при этом ось визирования микроскопа ориентирована относительно основания под углом , помимо этого в комплекс введены генератор высокочастотных колебаний и соединенный с ним широкополосный усилитель, связанный с ВШП. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технологии эпитаксиального нанесения полупроводниковых материалов на подложку. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности и расширение ассортимента формируемых высококачественных кремний-германиевых гетероструктур в результате улучшения контролируемости молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур за счет точного регулирования режима осаждения кремния и германия в оптимальном интервале величин скоростей, уменьшения концентрации неконтролируемых примесей в полученных предлагаемым образом гетероструктурах, а также снижение ресурсных затрат на подготовку технологического оборудования. Сущность изобретения: в способе выращивания кремний-германиевых гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии указанных структур за счет испарения кремния и германия из раздельных тигельных молекулярных источников на основе электронно-лучевых испарителей, испарение кремния ведут в автотигельном режиме из кремниевого расплава в твердой кремниевой оболочке, а испарение германия - из германиевого расплава в кремниевом вкладыше, представляющем собой выработанный ранее полый остаток, образовавшийся в результате испарения кремния в автотигельном режиме, и расположенном в тигельной полости охлаждаемого корпуса тигельного блока электронно-лучевого испарителя, используемого для создания молекулярного потока германия. При этом процесс эпитаксии регулируют с учетом выбора скорости осаждения германия, определенной из представленной зависимости. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение может быть использовано при изготовлении органических светоизлучающих диодов, жидкокристаллических дисплеев, плазменной дисплейной панели, тонкопленочного солнечного элемента и других электронных и полупроводниковых устройств. Предложен элемент, включающий мишень ионного распыления, где эта мишень включает обработанную пластину из MoO₂ высокой чистоты. Способ изготовления такой пластины включает изостатическое прессование компонента из более чем 99% стехиометрического порошка MoO ₂ в заготовку, спекание в вакууме этой заготовки при условиях поддержания более 99% стехиометрии MoO₂ и формирование пластины, включающей более 99% стехиометрического MoO₂ . В другом варианте способа изготовления указанной пластины компонент, состоящий из порошка, содержащего более 99% стехиометрического MoO₂, обрабатывают в условиях горячего прессования с формированием пластины. Способ изготовления тонкой пленки включает стадии распыления пластины, содержащей более 99% стехиометрического MoO₂, удаления молекул MoO₂ с пластины и нанесения молекул MoO₂ на субстрат. Также предложен порошок MoO₂ и способ распыления указанной пластины с использованием магнетронного распыления, импульсного лазерного распыления, ионно-лучевого распыления, триодного распыления и их сочетания. Изобретение позволяет повысить работу выхода электрона материала мишени ионного распыления в органических светоизлучающих диодах. 6 н. и 10 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области вакуумной техники и технологии получения углеродных наноструктур, таких как углеродные нанонотрубки на кончике зондов, которые применяются в зондовой микроскопии для прецизионного сканирования. Способ получения зондов с углеродными нанотрубками осуществляется путем нанесения углеродных пленок с нанотрубками методом магнетронного распыления в вакууме при постоянном токе 100-140 мА с использованием мишени из углерода с катализатором роста нанотрубок. Заготовки зондов помещают в вакуумную установку. Далее проводится напыление углеродной пленки с нанотрубками в остаточной атмосфере инертного газа. Изобретение позволяет получать зонды с углеродными нанотрубками, расположенными перпендикулярно поверхности зонда, в необходимых количествах, без использования взрывоопасных веществ и сложных установок. 6 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к материалам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов широкого класса применения с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Сущность изобретения: в качестве материалов подложек для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия используют интерметаллические соединения, выбранные из группы, состоящей из арсенида олова SnAs, антимонида палладия PdSb, полуантимонида марганца Mn₂Sb, станната никеля Ni ₃Sn₂, алюмината никеля Ni ₂Al₃, германата никеля Ni ₂Ge и германата кобальта Co₂Ge. Изобретение позволяет повышать однородность структуры выращиваемых слоев GaAs.

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием. В устройствах спинтроники электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов. Предлагается ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура, включающая цинк, кремний, мышьяк и марганец, которая представляет собой тройное соединение арсенида цинка и кремния, легированное марганцем в количестве 1-6 мас.%, указанное соединение синтезировано на подложке монокристаллического кремния и отвечает формуле ZnSiAs ₂:Mn/Si, при этом гетероструктура получена путем напыления пленки марганца и диарсенида цинка на подложку кремния с последующей термической обработкой. Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств гетероструктуры с температурой Кюри значительно выше комнатной и совместимость с кремниевой технологией делает ее перспективным продуктом для широкого практического использования. 2 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Journal of Korean Physical Society. 46 (4), 2005, 977-980, (реферат [он-лайн] [найдено 26.10.2006]. STN International. Database. CA. AN 143: 237409.

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения були нитрида элемента III-V групп для создания микроэлектронных устройств на подложках, изготовленных из такой були. Сущность изобретения: булю нитрида элемента III-V группы можно получить путем выращивания материала нитрида элемента III-V группы на соответствующем кристалле-затравке из такого же материала нитрида элемента III-V группы путем эпитаксии из паровой фазы при скорости роста выше 20 микрометров в час. Буля имеет качество, пригодное для изготовления микроэлектроронных устройств, ее диаметр составляет более 1 сантиметра, длина более 1 миллиметра и плотность дефектов на верхней поверхности менее 10⁷ дефектов·см ^-2. 9 н. и 96 з.п. ф-лы, 9 ил.