Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением – H01L 21/205

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет упростить технологию получения применением одной поликристаллической мишени, улучшить качество пленок за счет высокой адгезии. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке включает получение пленки на поверхности подложки ионно-плазменным магнетронным распылением одной поликристаллической мишени карбида кремния при нагреве подложки до температуры 950-1400°C в атмосфере Ar. 3 ил.

Группа изобретений относится к полупроводниковым материалам. Способ (вариант 1) включает обеспечение реакционной камеры, обеспечение полупроводниковой подложки, обеспечение прекурсорного газа или газов, выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на подложке в реакционной камере для формирования первого слоя, продувку реакционной камеры газовой смесью, включающей водород и газ, содержащий галоген, с обеспечением уменьшения эффекта памяти легирующей примеси без удаления сопутствующего осажденного слоя из зоны реакции и выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на указанной подложке в реакционной камере для формирования второго слоя. Полупроводниковое устройство содержит полупроводниковый материал, полученный упомянутым способом. Способ (вариант 2) включает введение новой полупроводниковой подложки в указанную реакционную камеру после выполнения указанного процесса продувки и выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на указанной новой полупроводниковой подложке. Обеспечивается воспроизводимость электрических свойств при выращивании полупроводниковых материалов. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Гетероэпитаксиальную полупроводниковую пленку на монокристаллической подложке кремния выращивают методом химического осаждения из газовой фазы. Проводят синтез гетероструктуры SiC/Si на монокристаллической подложке кремния в горизонтальном реакторе с горячими стенками путем формирования переходного слоя между подложкой и пленкой карбида кремния со скоростью не более 100 нм/ч при нагреве упомянутой подложки до температуры от 700 до 1050°C с использованием газовой смеси, содержащей 95-99% водорода и в качестве источников кремния и углерода SiH₄, C₂H₆, С₃ Н₈, (CH₃)₃SiCl, (CH₃ )₂SiCl₂, при этом C/Si 2, и формирования монокристаллической пленки карбида кремния с помощью подачи в реактор парогазовой смеси водорода и CH ₃SiCl₃ при поддержании в реакторе абсолютного давления в диапазоне от 50 до 100 мм рт.ст. В качестве подложки кремния используют пластину, имеющую угол наклона относительно кристаллографического направления (111) в направлении (110) от 1 до 30 угловых градусов и в направлении (101) от 1 до 30 угловых градусов. Обеспечивается улучшение совместимости двух материалов слоя карбида кремния и подложки кремния с различным периодом кристаллических решеток, при этом понижаются механические напряжения в гетероструктуре и получаются более низкие плотности дефектов в слое карбида кремния. 6 н.п. ф-лы, 4 ил., 3 пр.

Изобретение относится к устройству для каталитического химического осаждения из паровой фазы и может быть использовано для формирования пленки на подложке. Устройство содержит реакционную камеру, установленное в реакционной камере средство поддержки, предназначенное для поддержки подложки, подлежащей обработке, источник введения газа, предназначенный для введения в реакционную камеру исходного газа, содержащего подлежащий нанесению элемент, проволочный катализатор, расположенный напротив указанной подложки и выполненный из танталовой проволоки со слоем борида тантала, который предварительно сформирован на поверхности танталовой проволоки перед введением исходного газа. Упомянутое устройство также содержит источник тепла, предназначенный для нагревания проволочного катализатора для осаждения на подложке продуктов разложения исходного газа, образованных катализом или реакцией термического разложения. Упомянутое устройство дополнительно содержит средство контроля для выполнения активирующего нагревания проволочного катализатора источником тепла посредством непрерывной подачи энергии. Обеспечивается продление срока службы проволочного катализатора за счет уменьшения термического расширения проволочного катализатора и увеличения его механической прочности. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.

Изобретение относится к микроэлектронике. Техническим результатом изобретения является повышение качества полупроводниковых структур и расширение функциональных возможностей способа и установки за счет реализации возможности и получения многослойных структур с широким диапазоном концентраций легирующих примесей при относительно низких температурах роста. Способ и устройство основаны на резистивном испарении напыляемых материалов и реализуют формирование легированного слоя полупроводниковой структуры путем одновременного испарения основного нелегированного материала и основного материала, легированного примесью. Для повышения качества структуры при формировании легированного слоя полупроводниковой структуры поддерживают постоянной плотность потока основного материала путем подбора электрического тока, пропускаемого через источник основного нелегированного материала, и электрического тока, пропускаемого через источник основного материала, легированного примесью. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии содержит расположенные в камере роста, по меньшей мере, два резистивных источника напыляемого материала, подключенных к соответствующим блокам питания, которые выполнены управляемыми и соединены с программным устройством, при этом один источник выполнен из основного нелегированного материала, а другой - из основного материала, легированного примесью. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к установкам и способам эпитаксиального выращивания монокристаллов осаждением из паровой или газовой фазы. Сущность изобретения: вакуумная установка для эпитаксиального выращивания полупроводников типа III-V содержит вакуумную камеру, в которой поддерживается давление от приблизительно 10^-3 мбар до 1 мбар во время эпитаксиального выращивания, размещенный в вакуумной камере подложкодержатель, установленный с возможностью закрепления и нагрева подложек, источники испарения веществ и ввода частиц пара в вакуумную камеру, которые являются частицами металлов в элементной форме, металлических сплавов и легирующих примесей, систему ввода и распределения газов в вакуумную камеру, источник подачи плазмы в вакуумную камеру, генератор магнитного поля для создания магнитного поля, позволяющего придать требуемую форму плазме в вакуумной камере. Вакуумная камера выполнена с возможностью осуществления в ней диффузного распространения частиц газов и паров металлов, активизации газов и паров металлов плазмой для вступления в реакцию и формирования однородного эпитаксиального слоя на нагретой подложке, прикрепленной к подложкодержателю посредством эпитаксии из газовой фазы, активированной низкотемпературной плазмой. Данное изобретение обеспечивает возможность получать эпитаксиальные слои с высокой скоростью, при низкой температуре, большой площади подложек и при отсутствии токсичных газов. 6 н. и 25 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологическому оборудованию для нанесения полупроводниковых материалов на подложку эпитаксиальным наращиванием и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов микро- и оптоэлектроники. Сущность изобретения: сублимационный источник напыляемого материала для установки молекулярно-лучевой эпитаксии включает носитель напыляемого материала, закрепленный на токовводах, при этом конец каждого токоввода содержит пластину, в которой выполнено отверстие, а носитель выполнен в виде бруска с суженными концами и установлен суженными концами в отверстиях, выполненных в пластинах. Техническим результатом, достигаемым при использовании настоящего изобретения, является упрощение изготовления и снижение расхода материала на изготовление испаряемого элемента при увеличении его размеров с обеспечением высокой чистоты и высокой плотности формируемого потока испаряемого материала, а также предотвращение разрушения и обеспечение простоты замены испаряемого элемента. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к солнечным элементам и к новому использованию тетрахлорида кремния. Способ производства кремниевой пленки на поверхности субстрата методом осаждения паров, исходя из предшественника на основе кремния, заключается в том, что используемый предшественник представляет собой тетрахлорид кремния, покрытый субстрат очищают или текстурируют, затем диффундируют из газовой фазы или другого источника допирующего вещества при температуре от 800 до 1000°С, стеклянный слой, сформированный в ходе диффундирования, удаляют, тонкое антиотражающее покрытие наносят на электронно-активную кремниевую пленку, затем металлические контакты вплавляют в переднюю и заднюю поверхности покрытого субстрата трафаретной печатью с использованием скачка температуры. Изобретение обеспечивает снижение пожароопасности технологического процесса и стоимости за счет упрощения мер безопасности. 3 н. и 15 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к устройству и способу управления температурой поверхности, по меньшей мере, одной подложки, лежащей в технологической камере реактора CVD. Подложка размещена в опорной выемке (20) опоры держателей подложки на удерживаемом образованной газовым потоком динамической газовой подушкой (8) держателе подложки (9). Подвод тепла к подложке (9) осуществляют, по меньшей мере, частично с помощью теплопроводности через газовую подушку. Для уменьшения боковых отклонений температуры поверхности подложки от среднего значения образующий газовую подушку (8) газовый поток создают из двух или более газов с различно высокой удельной теплопроводностью и состав газов изменяют в зависимости от измеренных температур подложки. В результате достигается эффективное уменьшение боковых отклонений температуры поверхности подложки от среднего значения и соответственно повышается качество получаемого покрытия. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Группа изобретений относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении микромеханических приборов. Сущность изобретения: полупроводниковая сэндвич-структура 3С-SiC/Si содержит последовательно расположенные кремниевую подложку с базовой ориентацией (100), слой нанопористого кремния толщиной 50÷180 нм, сформированный с помощью химического травления подложки, и слой 3С-SiC, нанесенный с замещением водорода на углерод в поверхностных связях Si-H слоя пористого кремния. Предложены также способ получения полупроводниковой сэндвич-структуры и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием. Техническим результатом изобретения является повышение обратного пробивного напряжения и подвижности носителей зарядов в полупроводниковой сэндвич-структуре за счет повышения надежности получения структурно совершенного слоя карбида кремния. 3 н.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл.

Изобретение относится к технологии получения пленок нитрида алюминия. Сущность изобретения: в способе получения пленки нитрида алюминия на сапфировой подложке, включающем процесс осаждения на ее предварительно азотированную поверхность материала источника, испаренного электронно- лучевым испарителем, в качестве источника выбран высокочистый алюминий, пары которого в зоне, прилегающей к подложке, вступают в химическое взаимодействие с атомарным азотом, полученным из молекулярного азота путем расщепления его молекул в плазме высокочастотного разряда, и под воздействием направленного электрического поля осаждаются на поверхности сапфировой подложки. Изобретение позволяет получить монокристаллические пленки нитрида алюминия при низких темпетатурах (до 1200)°С на относительно дешевой сапфировой подложке диаметром до 100 мм. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к способу и устройству плазменного осаждения полимерных покрытий. Обрабатываемые образцы помещают в вакуумную камеру. Заполняют вакуумную камеру реакционным газом, содержащим, по меньшей мере, один способный к плазменной полимеризации газ-мономер. Генерируют плазму посредством зажигания и поддержания двухступенчатого тлеющего разряда в двух пространственно разделенных разрядных объемах и осаждают полимерное покрытие на поверхность обрабатываемого образца. Первый разрядный объем отделяют от второго разрядного объема с помощью перфорированного электрода, размер отверстий в котором превышает 0,1 мм. Обрабатываемый образец устанавливают на электроде, который размещают во втором разрядном объеме напротив перфорированного электрода. На электрод, служащий держателем обрабатываемого образца, подают потенциал смещения относительно перфорированного электрода. В первом разрядном объеме могут использоваться различные виды газового разряда: индукционный высокочастотный разряд, емкостный высокочастотный разряд, разряд постоянного тока. Разряд может поддерживаться в импульсной форме. В процессе плазменной полимеризации регулируют расстояние между перфорированным электродом и электродом, служащим держателем обрабатываемого образца. Изобретение позволяет обеспечить независимое регулирование скорости осаждения полимерного покрытия, структуры и свойств осаждаемого покрытия при высокой производительности технологического процесса. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и может быть использовано преимущественно для изготовления высокотемпературных датчиков физических величин. Сущность изобретения: в способе самоорганизующейся эндотаксии моно 3С-SiC на кремниевой подложке получают карбидокремниевую монокристаллическую пленку кубической модификации, сопряженную с монокристаллической подложкой кремния той же кристаллографической ориентации способом, включающим операцию формирования пленки за счет атомов кристаллической решетки подложки при температуре, поддерживаемой ВЧ-излучением в диапазоне от 1360 до 1380°С в потоке водорода при нормальном давлении, газовый поток водорода расходом 0,3-0,5 л/мин подают в секцию контейнера с температурой 1000-1200°С, а затем в последовательно расположенные секции с температурой 1360-1380°С, причем градиент температур в этой зоне 3-5 градусов, подложки кремния располагают в секциях из поликристаллического карбида кремния, а секция в низкотемпературной зоне выполнена из графита, покрытого поликристаллическим карбидом кремния, градиент температуры по контейнеру создают тепловыми экранами. Изобретение обеспечивает использование ресурсо- и энергосберегающей технологии при выращивании гетероструктур 3С-SiC/Si. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие. Изобретение обеспечивает упрощение технологии изготовления приборов, повышение их мощности и, практически, устраняет изгиб структуры. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем выращивание на базовой подложке поликристаллического алмаза, эпитаксиальных вспомогательных слоев и эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, на поверхности базовой подложки формируют вспомогательные эпитаксиальные слои, один из которых является базовым для выращивания эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, на вспомогательных эпитаксиальных слоях выращивают поликристаллический алмаз, а после выращивания алмаза базовую подложку удаляют вместе с вспомогательными эпитаксиальными слоями до базового слоя, на котором выращивают эпитаксиальную структуру полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов. Для выращивания эпитаксиальной структуры III-нитридов предпочтительно в системе вспомогательных эпитаксиальных слоев в качестве базового слоя выращивать слой

Al_xGa_1-x N, где 0 x 1. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым структурам, полученным на полупроводниковой подложке с пониженной плотностью пронизывающих дислокаций. Полупроводниковая подложка (1) по настоящему изобретению выполнена из нитридов металлов III группы, имеющих кристаллическую структуру вюрцита, и выращена в паровой фазе либо на инородной подложке (2) с ориентацией (0001), с параметрами решетки, не соответствующими веществам полупроводниковой подложки, либо на существующем сильно дислоцированном слое (3) с ориентацией (0001) из веществ полупроводниковой подложки, и имеет сильно пониженную плотность дислокаций. Согласно настоящему изобретению для понижения плотности дислокаций используют структуру, которая включает слой (4) перенаправления дислокаций, обеспечивающий намеренный наклон пронизывающих дислокаций (6) в направлении высокоиндексных кристаллографических плоскостей, имеющих кристаллографические индексы, отличные от (0001) и такие как индексы типа , чтобы увеличить вероятность взаимодействия дислокаций; и расположенный над указанным слоем (4) дислокаций слой (5) взаимодействия дислокаций, в котором пронизывающие дислокации (6) объединяются между собой, что приводит к пониженной плотности пронизывающих дислокаций на поверхности полупроводниковой подложки (7). 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой карбида кремния на ее поверхности, включающем нагрев подложки и синтез пленки на поверхности подложки в газовой среде, содержащей соединения углерода, в качестве газовой среды используют оксид или диоксид углерода либо смесь оксида или диоксида углерода с инертным газом и/или азотом при давлении 20-600 Па, а нагрев кремниевой подложки осуществляют до температуры 950-1400°С. Возможно использование только оксида углерода CO или только диоксида углерода CO₂ . Возможно использование в качестве газовой среды смеси газов, состоящей из 45 мас.% оксида углерода CO, 50 мас.% аргона и 5 мас.% азота. После проведения процесса формирования слоя карбида кремния целесообразно проведение травления и/или вакуумного отжига. Техническим результатом изобретения является повышение качества пленки карбида кремния и упрощение технологии изготовления изделия. 5 з.п. ф-лы, 8 ил.

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в процессе производства полупроводниковых приборов подложки отжигают в водороде при температуре 980-1150°С в течение 60 с, затем на изолирующей подложке со скоростью 5,3-6 мкм/мин формируют пленку кремния при температуре 945±15°С пиролитическим разложением моносилана, разбавленного водородом до 4-5%. 1 табл.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является формирование пленки карбида кремния кубического политипа на поверхности кремниевой подложки, а также снижение внутренних напряжений, а следовательно, уменьшение поверхностной концентрации дефектов. Сущность изобретения: в способе изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности, включающем синтез пленки на поверхности подложки при совместном нагреве кремниевой подложки и контактирующей с ней углеродсодержащей пластины до температуры ниже температуры плавления кремния, синтез осуществляют в среде водорода или его смеси с инертным газом при давлении 10-100 Па. В качестве углеродсодержащей пластины предпочтительно использовать графитовую пластину. Возможно в качестве среды использовать смесь, состоящую из водорода и инертного газа с объемной концентрацией водорода 10-50%. После проведения процесса формирования слоя карбида кремния целесообразно проведение травления и/или вакуумного отжига. Возможна реализация способа, при которой углеродсодержащую пластину располагают с обеих сторон кремниевой подложки. 6 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к способу выращивания многослойной структуры на основе InGaN. Сущность изобретения: в способе выращивания многослойной структуры на основе InGaN подложку размещают в ростовой камере аппарата плазменной молекулярно-пучковой эпитаксии, оборудованного активатором азота, для подготовки к выращиванию слоя нитрида элемента III группы. Поток активированного азота направляют на подложку посредством активатора азота, вместе с тем поток Ga и поток In направляют на подложку для выращивания совокупности слоев на основе InGaN с разным содержанием In, тем самым формируя многослойную структуру на основе InGaN. На этапе формирования многослойной структуры на основе InGaN изменяют РЧ-мощность активатора азота для изменения содержания In в слое на основе InGaN, одновременно поддерживая постоянными падающие потоки Ga и In и расход газообразного азота, подаваемого в активатор азота. Изобретение позволяет упростить выращивание многослойной структуры на основе InGaN с разным содержанием In. 11 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, в частности к области тонкопленочного материаловедения, и может быть успешно использовано в современной технике, особенно в быстро развивающейся технологии интегральных схем. Для нанесения тонких стехиометрических пленок бинарного соединения CdTe проводят следующие технологические операции. Осуществляют последовательную обработку поверхности подложки при 210-390°С парами катион- и анионсодержащих реагентов-прекурсоров диметилкадмия и метилаллилтеллурида в смеси с газом носителем. Проводят промежуточное удаление теллура, избыточного при образовании стехиометрического соединения CdTe, с поверхности подложки путем ее обработки реагентом-прекурсором, образующим с теллуром летучее соединение. Получают качественные тонкие стехиометрические пленки бинарного соединения CdTe без геометрических и химических дефектов. 3 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к пластине SiC с наружным диаметром шесть дюймов и способу ее получения. Для экономичного изготовления полупроводникового устройства на основе SiC, существующую линию изготовления устройств на основе Si используют таким образом, чтобы обеспечить возможность манипулирования пластиной малого диаметра из SiC. Для этого поликристаллический SiC выращивают с по меньшей мере одной стороны поверхности пластины малого диаметра из монокристаллического -SiC до размера по наружному диаметру, соответствующего устройству манипулирования существующей линии изготовления полупроводников, а затем поликристаллический SiC на поверхности пластины из монокристаллического -SiC шлифуют с получением SiC увеличенного диаметра с двойной структурой, в которой поликристаллический SiC выращен вокруг внешней периферии пластины малого диаметра из монокристаллического -SiC. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологии выращивания нитридных полупроводниковых гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении различных оптических и электронных приборов и устройств. В способе выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры, содержащей подложку с темплетным слоем и вышележащими полупроводниковыми слоями, включающем нагрев подложки, нитридизацию поверхностного слоя подложки путем подачи потока аммиака на поверхность подложки, образование на поверхности подложки темплетного слоя путем одновременной подачи на нее потока атомов алюминия и потока аммиака до достижения заданной толщины темплетного слоя и последующее выращивание вышележащих полупроводниковых слоев методом молекулярно-пучковой эпитаксии, подложку нагревают до температуры 1100-1200°С, а потоки аммиака и алюминия подают в соотношении NH₃ /Al=100-400. В результате происходит снижение плотности собственных дефектов кристаллической решетки темплетного слоя и повышение качества вышележащих полупроводниковых слоев гетероструктуры. 1 ил.

Изобретение относится к области получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу, разложением кремнийсодержащей газовой смеси и может быть использовано в твердотельной электронике. Сущность изобретения: способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу, осуществляют путем разложения смеси моносилана и источника азота в плазме тлеющего разряда с образованием продуктов реакции и осаждения из них квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров. При разложении и осаждении используют плазму тлеющего разряда с частотой 45-65 кГц, а в качестве источника азота используют аммиак. Техническим результатом способа является повышение скорости роста квантоворазмерных структур на основе кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу, при сохранении их приборных качеств. 1 табл.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления изделия. Сущность изобретения: в способе изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности, включающем синтез пленки карбида кремния на поверхности подложки с использованием углерода, осаждаемого из углеродсодержащего материала на поверхность подложки при нагревании, углерод на поверхности подложки осаждают в условиях, не обеспечивающих образование карбида кремния, после чего создают условия для синтеза карбида кремния. 11 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления изделия. Сущность изобретения: в способе изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности, включающем синтез пленки карбида кремния на поверхности подложки путем совместного нагрева подложки и углеродсодержащего материала, в качестве углеродсодержащего материала используют твердый материал, который приводят в механический контакт с подложкой, а нагрев осуществляют при температуре 1100-1400°С. 10 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения тетрафторсилана и газу на его основе. Способ получения тетрафторсилана включает стадию (1) нагревания гексафторсиликата, стадию (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с газообразным фтором. Далее следует стадия (2-2) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с фтористым соединением многовалентного металла. В качестве альтернативы стадии (2-2) присутствует стадия (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с газообразным фтором. Потом следует стадия (2-3) реакции газообразного тетрафторсилана, полученного на стадии (2-1) с фтористым соединением многовалентного металла. По вышеуказанному способу получают высокочистый тетрафторсилан, содержащий гексафтордисилоксан в количестве 0,1 об.ч/млн или менее. Газообразный тетрафторсилан, полученный вышеуказанным способом, используют при производстве оптического волокна, полупроводников, элементов солнечной батареи. Технический результат состоит в получении тетрафторсилана с пониженным содержанием примесей. 5 н. и 19 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения були нитрида элемента III-V групп для создания микроэлектронных устройств на подложках, изготовленных из такой були. Сущность изобретения: булю нитрида элемента III-V группы можно получить путем выращивания материала нитрида элемента III-V группы на соответствующем кристалле-затравке из такого же материала нитрида элемента III-V группы путем эпитаксии из паровой фазы при скорости роста выше 20 микрометров в час. Буля имеет качество, пригодное для изготовления микроэлектроронных устройств, ее диаметр составляет более 1 сантиметра, длина более 1 миллиметра и плотность дефектов на верхней поверхности менее 10⁷ дефектов·см ^-2. 9 н. и 96 з.п. ф-лы, 9 ил.

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск моносилана для осаждения слоев поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до предельного вакуума, напуск в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин из реактора. После напуска в реактор инертного газа проводят дополнительный термоотжиг слоев поликристаллического кремния при температуре, не меньшей 1323 К, затем выдерживают пластины при этой температуре в течение 40-60 мин в потоке инертного газа и снижают температуру до температуры роста слоев поликристаллического кремния. Техническим результатом изобретения является уменьшение неоднородности сопротивления слоев поликристаллического кремния. 1 ил., 2 табл.

Изобретение относится к материаловедению, к защите материалов от внешних и агрессивных воздействий, в частности к покрытию рабочей поверхности солнечного фотоэлектрического элемента (СФЭ) для защиты от химического, радиационного и механического разрушения. Сущность изобретения состоит в том, что в процессе получения алмазоподобных пленок (АПП) для инкапсуляции СФЭ кинетическую энергию ионов, ток плазменного разряда и пространственное распределение плотности плазмы с составом ионов С⁺, Н⁺ , N⁺ и Ar⁺ изменяют воздействием на поток ионов от радиального источника электрическим полем, которое формируется диафрагмирующим, нейтрализующим и ускоряющим кольцевыми электродами. Однородность пространственного распределения плазмы контролируется путем измерения плотности тока плазмы на поверхности СФЭ, температуру которой поддерживают не выше 80°С. При этом подложкодержатель совершает сложное трехосевое движение в вакуумной камере. Технический результат изобретения: получение однородных (с разбросом значений оптических параметров не более 5%) алмазоподобных пленок на поверхности солнечных фотоэлектрических элементов площадью более 110 см ² с варьируемыми в заданных пределах оптическими параметрами, а также с высокой адгезией, микротвердостью и устойчивостью к агрессивным воздействиям. 4 з.п. ф-лы, 2 табл., 12 ил.