Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....жидкостным напылением – H01L 21/208

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру роста 5 и каналы для подачи и вывода расплавов. Контейнер 3 с емкостями расположен под многосекционным держателем 14 подложек. Крышка 2 снабжена выступами для удаления излишков расплава. Устройство содержит дополнительные емкости 7 для части используемых расплавов, установленные над контейнером 3, каждая из которых снабжена крышкой 8 с грузом и отверстием с возможностью слива расплава в располагающийся ниже основной контейнер 3. Технический результат изобретения состоит в обеспечении подавления нежелательного взаимодействия примесей в разных ростовых расплавах между собой через газовую фазу, что приводит к повышению технических или электрофизических характеристик получаемых структур. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений A³B⁵ методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии включает нагрев исходной шихты до образования насыщенного раствора-расплава ее компонентов, взаимодействие раствора-расплава с компонентами для получения заданного состава раствора-расплава, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, имеющего p-i-n структуру, удаление подложки, покрытой слоем GaAs, имеющим p-i-n структуру, из-под расплава, компонентные составы растворов-расплавов для выращивания GaAs p-i-n структуры формируют в обезвоженной атмосфере путем предварительного введения в исходную шихту двух дополнительных твердых компонентов, представляющих собой диоксид кремния SiO ₂ и оксид галлия (III) с последующим нагревом этой многокомпонентной шихты до температуры начала эпитаксии и выдержкой при этой температуре заранее установленное время. Техническим результатом изобретения является высокая воспроизводимость, простота и универсальность технологии, возможность изготовления по разработанному способу в промышленных объемах структур для силовой электроники, обладающих высокими техническими параметрами. 8 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 пр.

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А³В ⁵ методами эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры методом эпитаксии включает выращивание эпитаксиального слоя заданной толщины h ₀, рассогласованного по параметру решетки с материалом, на котором осуществляют выращивание, при этом предварительно для данной ростовой системы строят экспериментальную градуировочную кривую зависимости максимальной толщины слоя h _max, при которой еще происходит его эпитаксиальный рост, от величины относительного рассогласования решеток f при известной механической прочности слоя, задаваемой коэффициентом Пуассона, строят расчетную градуировочную кривую зависимости минимальной толщины слоя h_min от величины относительного рассогласования решеток f при известной механической прочности слоя, задаваемой коэффициентом Пуассона, по определенному выражению, и при заданной толщине h₀ выращиваемого слоя выбирают такое относительное рассогласование решеток сопрягаемых материалов f, при котором h₀ удовлетворяет выражению: h_min<h₀ <h_max, мкм. Техническим результатом изобретения является разработка способа изготовления полупроводниковой гетероструктуры, который обеспечивает генерацию достаточного количества эффективных рекомбинационных центров в базовых слоях прибора. 12 з.п. ф-лы, 2 табл.