Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....воздействие волновым излучением или излучением частиц – H01L 21/26
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ОБЪЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ МАТЕРИАЛОВ ФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ
Изобретение относится к области радиационно-пучковых технологий создания на поверхности материалов объектов с заданными геометрическими параметрами и может применяться для изменения свойств и геометрических характеристик поверхности объектов наноэлектроники. Сущность изобретения: на поверхности материалов фокусированным ионным пучком формируют объект с заданными геометрическими параметрами. Предварительно на поверхности объекта фокусированным ионным пучком по квадратной или прямоугольной сетке проставляют (n×n) маркеров и определяют смещения от заданных координат маркеров, после чего создают математическую модель поверхности на основании полученных данных и аппроксимации степени (n-1). В простейшем случае математическую модель поверхности формируют на основании данных четырех маркеров и линейной аппроксимации; модель корректируют с учетом известных данных о геометрии поверхности. В соответствии с математической моделью поверхности производят механическое и электронное совмещение ионной и электронной оптики и фокусированным ионным пучком на поверхности материала формируют объект с заданными геометрическими параметрами. Изобретение обеспечивает увеличение точности создания объекта нанометрового размера на поверхности материала в 7-18 раз и повышение технологичности способа создания таких объектов. 2 з.п. ф-лы, 11 ил., 1 табл. |
2457573 патент выдан: опубликован: 27.07.2012 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ
Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов, включающем создание полупроводниковой структуры, содержащей блокирующий p+N-переход, путем термодиффузии в кремний N-типа проводимости примесей, создающих слои p+ и n+-типа проводимости, напыление на поверхности структуры омических контактов, облучение ее со стороны упомянутого p+N-перехода электронами с энергией 350÷550 кэВ и соответствующей дозой 5·1017 см-2÷1·1016 см-2, и облучение этой структуры с любой стороны электронами с энергией 1÷10 МэВ и дозой Ф, определяемой из заявленного соотношения. Изобретение обеспечивает изготовление мощных высоковольтных полупроводниковых кремниевых приборов с меньшими потерями мощности при их эксплуатации, а также удешевление и ускорение технологического процесса изготовления. |
2435247 патент выдан: опубликован: 27.11.2011 |
|
| СПОСОБ СИНТЕЗА ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Способ синтеза пленок карбида кремния на кремниевой подложке включает нагрев кремниевой подложки в среде углеродосодержащих газов пакетами импульсов излучения ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм, длительностью импульсов 10 -2 с, в течение 1,5-2 с при плотности энергии излучения 240-260 Дж·см-2. Изобретение обеспечивает упрощение технологии и значительное сокращение времени изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой карбида кремния. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил. |
2341847 патент выдан: опубликован: 20.12.2008 |
|
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННО-ОБЪЕМНОЙ СТРУКТУРЫ
Изобретение может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации и т.п. Изобретение направлено на повышение плотности размещения элементов структур, формируемых с использованием пучка ускоренных частиц, за счет мер, позволяющих избежать проявления эффектов, связанных с образованием колбы рассеяния, а также расширение номенклатуры типов двух или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев, - включения в них соединений с сильным химическим сродством входящих в них атомов, состав которых можно управляемо изменять за счет селективного удаления атомов при помощи пучков ускоренных частиц. Способ создания пространственно-объемной структуры включает нанесение на подложку одного или нескольких рабочих слоев из двух- или многоатомных соединений, облучение слоев через маску или шаблон пучком ускоренных частиц, обеспечивающих селективное удаление атомов определенного сорта на облучаемых участках, и сопровождающееся этим преобразование свойств вещества, при этом поверх рабочего слоя наносят вспомогательный слой вещества, химическое сродство которого к селективно удаляемым из рабочего слоя атомам меньше, чем у не удаляемых атомов рабочего слоя. 2 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл. |
2302054 патент выдан: опубликован: 27.06.2007 |
|
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ ИЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР И СПОСОБЫ УНИЧТОЖЕНИЯ ЭТИХ СТРУКТУР Использование: технология микроэлектронных приборов. Технический результат заключается в создании дешевого гибкого крупномасштабного производства электрических соединений в тонкопленочных структурах. Сущность: в матрице, содержащей два или более материалов в пространственно отдельных структурах материалов, каждая структура материала облучается излучением с заданной интенсивностью и/или частотной характеристикой, адаптированным к реакции материала на излучение, причем излучение пространственно модулируется согласно определенному протоколу, который представляет заранее определенную конфигурацию электропроводящих или полупроводниковых структур в конкретной структуре материала, и в ответ на облучение в структуре материала создаются двумерные электропроводящие или полупроводниковые структуры с предварительно определенной конфигурацией, посредством чего формируется матрица, состоящая из структур материалов с электропроводящими или полупроводниковыми трехмерными структурами. Также предложены способы уничтожения электропроводящих или полупроводниковых структур приведенного выше типа. 5 с. и 32 з.п.ф-лы, 14 ил. | 2183882 патент выдан: опубликован: 20.06.2002 |
|
СПОСОБ СНИЖЕНИЯ ВРЕМЕНИ ВЫКЛЮЧЕНИЯ ТИРИСТОРОВ
Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров. Сущность способа заключается в однородном по площади облучении выпрямительных элементов тиристоров потоком быстрых электронов или протонов и создании путем дополнительного локального облучения участка повышенной рекомбинации, расположенного под управляющим электродом и примыкающим к нему краем катодной области шириной 200 - 500 мкм, причем доза дополнительного локального облучения ( ) определяется из соотношений: = (t1/t2-1)/( руэ0 Kp) или = (t1/t2-1)(t1Ktq), где Kp - коэффициент деградации времени жизни неравновесных носителей заряда при облучении; t1, t2 - измеренные до локального облучения времени выключения тиристора, причем их измерения проводят в одинаковом режиме, но при измерении t2 в цепь управления тиристора подают отрицательный импульс тока; руэ0 - время жизни неравновесных носителей заряда в области управляющего электрода до локального облучения; Ktq - коэффициент деградации времени выключения при дополнительном локальном облучении. Технический результат изобретения - возможность работы приборов при высоких частотах с наименьшими потерями. 2 с.п. ф-лы, 3 табл.
|
2152107 патент выдан: опубликован: 27.06.2000 |
|
| СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА Использование: при модификации поверхности твердого тела для формирования скрытого изображения. Сущность изобретения: способ предусматривает гидрофобизацию поверхности твердого тела обработкой ее потоком заряженных частиц. Для получения скрытого изображения маскируют участки поверхности, не подлежащие модификации, а дозу потока заряженных частиц устанавливают из расчета визуальной неразличимости обработанных и маскированных участков в обычных условиях. Считывание скрытого изображения осуществляют в условиях повышенной влажности при температуре на поверхности твердого тела ниже точки росы. Участки поверхности, не подлежащие модификации, целесообразно маскировать штемпельной краской, которую после обработки потоком корпускулярных частиц смывают. Техническим результатом изобретения является упрощение способа и расширение сферы его использования. 1 з.п.ф-лы, 2 табл. | 2151444 патент выдан: опубликован: 20.06.2000 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЯ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ МЕТОДОМ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Использование: в технологии выращивания кристаллических планок полупроводников. Сущность: способ получения структур кремния-на-изоляторе заключается в формировании пленочной структуры с подложкой, слоями диэлектрика и пленкой кремния, которые формируют с одной или с двух сторон подложки, в однородном нагреве с одной стороны пленочной структуры выше 1320oC и ниже точки плавления кремния, нагреве с противоположной стороны пучком излучения, сфокусированным в узкую полосу так, чтобы полуширина распределения энергии поперек узкой полосы на уровне половины амплитуды распределения составляла менее 0,5 мм, формировании в пленке кремния зоны расплава и перемещении зоны. Устройство для осуществления способа содержит перемещающийся корпус, трубчатые лампы, установленные в корпусе, плиту, закрепленную над лампами и имеющую конусообразное отверстие, кварцевую пластину, прикрепленную к плите со стороны ламп, точечные опоры, закрепленные в плите вершинами в конусообразном отверстии, экран с отверстием, расположенный над плитой и выполненный из двух перемещающихся частей, и нагреватель зоны, прикрепленный над экраном. Технический результат изобретения заключается в том, что предлагаемый способ и устройство позволяют получать структуры кремния-на-изоляторе с низким уровнем деформации пленочной структуры при более высокой производительности. 2 с. и 20 з.п. ф-лы, 14 ил. | 2133520 патент выдан: опубликован: 20.07.1999 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Использование: в технологии микроэлектроники, в частности, при изготовлении дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: производят периодическое облучение структур с нерабочей стороны потоком альфа-частиц от радиоизотопного источника излучения с частотой из миллигерцевого диапазона с равными полупериодами облучение-необлучение и производят регистрацию с рабочей стороны до и после облучения одного из физических параметров, чувствительного к наличию в структуре кристаллографических дефектов, при этом циклы облучение- необлучение повторяют до стабилизации фиксируемого параметра, а после облучения структуры выдерживают в нормальных условиях до полного прекращения релаксационных процессов. | 2087049 патент выдан: опубликован: 10.08.1997 |
|
| СПОСОБ ГИДРООПТИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДЕТАЛЕЙ ИЗ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Использование: в технике обработки поверхностей непроводящих и плохо проводящих материалов, например конструкционная керамика, кварц, ситал, полупроводниковые материалы, полупроводящие стекла и т. п. и может найти применение в машиностроении, электронной технике и других отраслях. Сущность: на обрабатываемую деталь направляют поток оптического излучения. Деталь помещена в рабочую прозрачную для оптического излучения жидкость. Пучок излучения собирают линзой в фокус на границе раздела прозрачной жидкости и поверхности обрабатываемой детали, помещенной в сосуд, который может быть соединен через вентили с насосом для прокачки жидкости, которая в свою очередь может быть химически активной в случае полировки или легирования поверхности детали. Пучок излучения нагревает деталь, а от нее и жидкость, доводя ее до кипения и возникновения пузырьков пара в фокусе пучка. Величина пузырька зависит от интенсивности излучения, длительности и интервала облучения. В паузах между импульсами облучения детали пузырьки пара схлопываются, воздействуя на материал. Многократный коллапс создает эрозионную лунку, обработку ведут до получения необходимой геометрии разреза детали, или в случае полировки до получения необходимого качества поверхности. 2 с и 3 з. п.ф-лы, 3 ил. | 2071141 патент выдан: опубликован: 27.12.1996 |
|
| СПОСОБ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ Использование: в электронной технике для прецизионного травления и осаждения материалов. Сущность изобретения: способ включает воздействие на обрабатываемое изделие химически активных нейтральных и заряженных частиц, инерцию которых осуществляют в физически разделенных пространствах. В пространстве генерации химически активных нейтральных частиц возбуждают электронную плазменную волну с частотой в области нижнегибридного резонанса и с продольной по отношению к магнитному полю фазовой скоростью, не превышающей трехкратной тепловой скорости плазменных электронов, при этом амплитуда напряженности электрического поля возбуждаемой волны превосходит пороговое значение модуляционной неустойчивости. 1 ил. | 2053583 патент выдан: опубликован: 27.01.1996 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Использование: в технологии изготовления изделий электронной техники. Сущность изобретения: для повышения стабильности, надежности и улучшения характеристик тонкопленочных резисторов на основе а-Si:H, предназначенных для использования в качестве коммутирующих элементов в жидкокристаллических матричных экранах, проводят облучение ультрафиолетовым излучением с энергией 3 - 5 эВ и дозой 1018-1019 см-2 вблизи поверхности пленки а-Si:H и создают область, в которой уровень Ферми отстоит от зоны проводимости дальше, чем в области канала. 7 ил. | 2035800 патент выдан: опубликован: 20.05.1995 |
|
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ Применение: изобретение относится к точному машиностроению и приборостроению, в частности к способам получения различных поверхностей высокого класса обработки. Сущность: обрабатываемую поверхность облучают импульсным рентгеновским излучением, причем угол скольжения выбирают больше либо порядка критического угла полного внешнего отражения, при этом энергию фотонов выбирают из условия прогрева материала поверхности на глубину, сравнимую с высотой неровностей и неоднородностей поверхности, а интенсивность и длительность облучения выбирают из условия достаточности прогрева для плавления материала поверхности. 3 ил., 2 табл. | 2021642 патент выдан: опубликован: 15.10.1994 |
|
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность: подложки размещают в рабочей камере и сушат их в парах воды, а затем осуществляют их досушивание импульсом СВЧ-излучения. 1 ил. | 2018991 патент выдан: опубликован: 30.08.1994 |
|
СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ МДП-ПРИБОРА ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ И СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ РЕЖИМА ВОССТАНОВЛЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ МДП-ПРИБОРА ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Применение: изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для восстановления пороговых напряжений приборов на основе МДП-структур. Сущность: способ заключается в подаче на полевой электрод прибора в течение определенного времени ( в) положительного относительно полупроводника величины напряжения (Vв) . Величины (в) и (Vв) должны быть предварительно определены по предлагаемому способу. В процессе восстановления порогового напряжения МДП-прибора с p-типом полупроводника последний со стороны диэлектрика освещают светом с теми же спектральным составом и интенсивностью, которые использовались для определения (в) и (Vв) . Определение параметров (в) и (Vв) производится на тестовых приборах. Тестовые приборы разделяют на две группы, одну из них облучают в условиях, обеспечивающих максимальное, а другую - минимальное изменение порогового напряжения. Определяют искомые параметры путем варьирования на различных тестовых приборах времени воздействия напряжения и величины напряжения. 2 п. ф-лы., 1 ил.
|
2018191 патент выдан: опубликован: 15.08.1994 |
|
| УСТРОЙСТВО ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и ИС. Сущность изобретения: устройство содержит реакционный блок, включающий кварцевый реактор с излучателем, корпус с подложкодержателем, перегрузочную камеру, включающую механизм перегрузки и шлюзовую камеру с уплотняющей крышкой, герметичный кожух, охлаждаемый экран, установленный с возможностью перемещения. При этом крышка шлюзовой камеры снабжена захватами для фиксации пластины и состыкована с механизмом перегрузки с возможностью перемещения через разъем в реакционном блоке. 2 з.п.ф-лы, 4 ил. | 2014670 патент выдан: опубликован: 15.06.1994 |
|
СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
Сущность изобретения: при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру T1 прессования определяют из выражения: T1 0.9T2 , где T2 - температура размягчения пленки, кроме того, в качестве пленки используют фторопласт. 4 ил.
|
2007782 патент выдан: опубликован: 15.02.1994 |
|