Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в  ,21/20 – H01L 21/28

Заявленное изобретение относится к области электротехники, а именно, к способу получения трехмерно-структурированной полупроводниковой подложки для автоэмиссионного катода, и может быть использовано в различных электронных приборах: СВЧ, рентгеновских трубках, источниках света, компенсаторах заряда ионных пучков и т.п. Создание трехмерно-структурированной полупроводниковой подложки, на которую наносят эмитирующую пленку автоэмиссионных катодов в виде микроострийной квазирегулярной ячеисто-пичковой структуры с аспектным отношением не менее 2 (отношение высоты острий к их высоте), позволяет повысить эмиссионную характеристику катодов, что является техническим результатом заявленного изобретения. Полупроводниковую подложку для формирования на ней требуемой микроострийной структуры подвергают фотоэлектрохимическому травлению в водном или безводном электролите, меняя режимы травления и интенсивность подсветки. Предложена также структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода из кристаллического кремния р-типа с проводимостью от 1 до 8 Ом*см и сам автоэмиссионный катод с такой подложкой, обладающий повышенными эмиссионными характеристиками. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при формировании токопроводящих дорожек для коммутации электронных схем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ создания токопроводящих дорожек включает нанесение сплошных слоев металлизации на непроводящую подложку, формирование рисунка металлизации, нанесение на сформированные дорожки защитного барьерного слоя и слоя для пайки и/или сварки элементов деталей на токопроводящие дорожки. Нанесение сплошных слоев металлизации осуществляют последовательным нанесением на непроводящую подложку адгезионного подслоя, токопроводящего слоя и металлического слоя, выполняющего роль маски. Для формирования рисунка металлизации формируют маску методом лазерного испарения на участках металлического слоя, выполняющего роль маски, не занятых токопроводящими дорожками, затем удаляют селективным химическим травлением токопроводящий слой и адгезионный подслой во вскрытых участках, селективным химическим травлением удаляют маску, после чего наносят защитный барьерный слой и слой для пайки и/или сварки. Изобретение позволяет повысить качество рисунка металлизации, сократить количество операций и повысить производительность процесса. 4 з.п. ф-лы, 8 ил., 6 табл.

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых микроконтактов пластину с матрицами БИС или фотодиодными матрицами защищают перфорированной в местах контактов пленкой фоторезиста, напыляют слой индия толщиной, соответствующей высоте микроконтактов, методами фотолитографии наносят маску фоторезиста, затем формируют микроконтакты травлением ионами инертного газа до полного распыления индия в промежутках между контактами, удаляют остатки фоторезистивной маски на вершинах микроконтактов и нижней защитной пленки в органических растворителях или травлением в кислородной плазме. Техническим результатом изобретения является создание технологии формирования микроконтактов высотой 4÷12 мкм с разделяющим промежутком у основания 3÷5 мкм, в том числе на матрицах формата 640*512 и шагом 15 мкм. 6 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования наноразмерных структур на поверхности полупроводников для использования в микроэлектронике включает формирование буферного слоя золота моноатомной толщины с образованием упорядоченного двумерного подслоя Si(111)- 3× 3-Au, последующее осаждение на двумерный подслой Si(111)- 3× 3-Au от 1 до 3 слоев фуллеренов с образованием фуллеритоподобной решетки и осажением на подготовленную подложку от 0,6 до 1 монослоя золота в условиях сверхвысокого вакуума при температуре подложки, равной 20°C. Изобретение обеспечивает возможность контролируемого формирования на поверхности полупроводниковой подложки сверхтонких проводящих нанопленок золота с заданным значением электропроводности. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины приведенного контактного сопротивления. Сущность изобретения: в способе изготовления омического контакта к GaAs на поверхности пластины n-GaAs, имеющей легированный слой, с целью реализации процесса обратной литографии формируют маску, для очистки поверхности в окнах маски пластину n-GaAs обрабатывают в водном растворе H₂SO₄ или НСl с последующей промывкой в деионизованной воде и сушкой. Затем методами электронно-лучевого и/или термического испарения в вакууме при остаточном давлении менее 5×10^-6 Торр производят осаждение Ge и Си общей толщиной 100-500 нм с массовым содержанием германия в двухслойной композиции, равным 20-45%. Далее пластину n-GaAs в едином вакуумном цикле подвергают первой термообработке при температуре T ₁=150-460°C в атмосфере атомарного водорода при плотности потока атомов водорода на поверхность пластины, равной 10 ¹³-10¹⁶ ат.·см^-2·с ^-1. Пластину n-GaAs извлекают из вакуумной камеры и после удаления маски подвергают второй термообработке в атмосфере инертного газа или в вакууме в диапазоне температур Т₂=280-460°С в течение t=0,5-30 мин. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения тонкопленочных металлических соединений. Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени получения тонкопленочного медно-германиевого соединения. Сущность изобретения: способ получения тонкопленочного медно-германиевого соединения включает последовательное осаждение слоев Ge и Cu на поверхность пластины и формирование тонкопленочного медно-германиевого соединения, которое проводят в течение времени t 0,5 минуты в атмосфере атомарного водорода при температуре Т=20-120°С и плотности потока атомов водорода на поверхность пластины, равной 10¹³-10¹⁶ ат.см^-2 с^-1. 6 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к нанесению металлических нанослоев химическим способом, в частности на серебряные электрические контакты кремниевых солнечных элементов. Сущность изобретения: способ нанесения металлических нанослоев химическим способом заключается в применении технологии химического осаждения металлов, в частности меди (Cu), со скоростью 1 мкм/мин при температуре раствора от 50 до 60°С. В качестве исходного медьсодержащего реактива для нанесения металлических нанослоев на серебряные электрические контакты кремниевых солнечных элементов использованы неорганические соли меди. Технический результат изобретения - уплотнение фронтального электрического контакта солнечного элемента осаждением металла, в частности меди, с хорошей электрической проводимостью, чтобы его повышенное электрическое сопротивление было компенсировано или улучшено. Использование изобретения позволяет повысить эффективность работы солнечного элемента при преобразовании излучения высокой плотности и уменьшить себестоимость его изготовления. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений A^IIIB ^V, в частности к созданию омических контактов для областей стока и истока полевых транзисторов с барьером Шоттки, а также гетероструктурных транзисторов с высокой подвижностью электронов. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины приведенного контактного сопротивления. Сущность изобретения: в способе изготовления Cu-Ge омического контакта на поверхности пластины n-GaAs или эпитаксиальной гетероструктуры GaAs с n-слоем создают резистивную маску, осаждают пленки Ge и Cu, проводят первую термообработку в атмосфере атомарного водорода при температуре от 20 до 150°С и плотности потока атомов водорода на поверхность пластины, равной 10¹³-10¹⁶ ат. см^-2 с^-1. Извлекают пластины из вакуумной камеры установки напыления, удаляют резистивную маску до или после первой термообработки и проводят вторую термообработку. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ металлизации элементов изделий электронной техники включает нанесение на одной из поверхностей подложки с предварительно сформированной топологии элементов соответствующего изделия подслоя металлизационного покрытия в виде системы металлов с заданной толщиной, обеспечивающего адгезию основного слоя металлизационного покрытия, формирование топологии - защитной фоторезистивной маски основного слоя металлизационного покрытия, нанесение локально основного слоя металлизационного покрытия, удаление защитной маски, удаление части подслоя, расположенного вне топологии основного слоя металлизационного покрытия. Нанесение подслоя металлизационного покрытия осуществляют общей толщиной 0,1-0,5 мкм, непосредственно на упомянутый подслой дополнительно наносят технологический слой из легкоокисляющегося металла толщиной 0,1-0,5 мкм, а формирование топологии металлизационного покрытия осуществляют на технологическом слое из легкоокисляющегося металла. Перед нанесением локально основного слоя металлизационного покрытия осуществляют удаление части технологического слоя из легкоокисляющегося металла через упомянутую защитную маску, а удаление оставшейся части технологического слоя из легкоокисляющегося металла осуществляют перед удалением части подслоя металлизационного покрытия, расположенного вне топологии основного слоя металлизационного покрытия. Изобретение обеспечивает повышение качества металлизационного покрытия и надежности изделий электронной техники, улучшение электрических характеристик, повышение выхода годных. 5 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способ изготовления наноструктурного омического контакта проводят предварительную очистку поверхности GaSb р-типа проводимости ионно-плазменным травлением на глубину 5-30 нм с последующим последовательным напылением магнетронным распылением адгезионного слоя титана толщиной 5-30 нм и барьерного слоя платины толщиной 20-100 нм, напылением термическим испарением проводящего слоя серебра толщиной 50-5000 нм и контактирующего с окружающей средой слоя золота толщиной 30-200 нм. Изобретение обеспечивает воспроизводимое формирование омического контакта с малым удельным переходным сопротивлением. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в процессах формирования пленочных элементов микроэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе нанесения платиновых слоев на подложку, включающем предварительное формирование на поверхности из оксида и/или нитрида кремния промежуточного адгезионного слоя из смеси нанокристаллов диоксида кремния и платины. Промежуточный адгезионный слой может быть сформирован толщиной 1-30 нанометров одновременным магнетронным распылением из двух магнетронов с мишенями из платины и диоксида кремния, соответственно. Изобретение обеспечивает повышение качества элементов, технологичности процессов, надежности при длительных сроках эксплуатации, адгезии наносимых слоев к подложке. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений A^IIIB^V . Изобретение обеспечивает уменьшение величины приведенного контактного сопротивления изготовленных омических контактов. Сущность изобретения: в способе изготовления омического контакта к GaAs на основе тонких пленок Ge и Cu, включающем создание на поверхности пластины n-GaAs маски для реализации процесса обратной литографии, осаждение тонких пленок Ge и Cu на поверхность пластины n-GaAs, первую термообработку в едином вакуумном цикле с процессом осаждения, извлечение пластины n-GaAs из вакуумной камеры, удаление маски и вторую термообработку, первую термообработку производят в атмосфере атомарного водорода при температуре от 150 до 460°С и плотности потока атомов водорода на поверхность пластины n-GaAs, равной 10¹³-10¹⁶ ат·см²·с ^-1. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Применение: микро- и наноэлектроника, микросистемная техника и наномеханика, где используются изолированные диэлектриком проводники. Сущность изобретения: способ изготовления межсоединений полупроводникового прибора включает формирование в изолирующем слое кремниевой структуры, в которой выполнены полупроводниковые приборы, контактных колодцев и траншей под будущие проводники-межсоединения, последовательное нанесение адгезионно-смачивающего слоя и сплошного каталитического слоя на дно и стенки контактных колодцев и траншей, заполнение углублений контактных колодцев и траншей углеродным материалом путем стимулированного плазмой химического осаждения углеродной структуры из газовой фазы на сплошном каталитическом слое и планаризацию поверхности кремниевой структуры. Техническим результатом изобретения является увеличение термической стойкости и уменьшение термического разогрева межсоединений ИС в условиях уменьшения их площади сечения и повышения плотности тока, а также понижение удельного электрического сопротивления материала разводки по сравнению с углеродными нанотрубками. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и направлено на уменьшение величины приведенного контактного сопротивления многослойных омических контактов Ge/Au/Ni/Ti/Au. Сущность изобретения: в способе изготовления многослойного омического контакта к n-GaAs, включаещем создание на поверхности пластины двухслойной фоторезистивной маски, послойное осаждение пленок на основе Ge и Au с толщинами пленок, соответствующих эвтектическому составу, и общей толщиной 50-300 нм, осаждение пленки на основе Ni толщиной 10-100 нм, пленки диффузионного барьера толщиной 10-200 нм и верхней пленки Аb толщиной 10-1000 нм, удаление двухслойной фоторезистивной маски и термообработку контактов в инертной атмосфере, осаждение пленок Ge, Au, Ni и Au на поверхность GaAs производят с углом влета атомов этих материалов относительно нормали к поверхности пластины, находящемся в диапазоне 0-2°, а осаждение пленки диффузионного барьера на основе Ti, или Та, или W, или Cr, или Pt, или Pd, или TiW, или TiN, или TaN или WN производят с углом влета атомов =n× , где - угол влета атомов Ge, Au, Ni, n=2-10. Термообработку производят в течение 1-30 мин или в установке быстрого термического отжига в течение 30-300 сек. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способу изготовления контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN для оптоэлектронных приборов, таких как светоизлучающие диоды, детекторы излучения, лазеры, а также для устройств спинтроники. Сущность изобретения: в способе изготовления прозрачной омической контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN, предусматривающем ионно-плазменную очистку поверхности эпитаксиального слоя p-GaN с последующим нагреванием поверхности до температуры 350-370°С и нанесением омического контакта, состоящего из слоя ВеО с проводимостью р-типа толщиной от 2.8 до 3.2 нм, слоя золота толщиной от 3.8 до 4.2 нм и второго слоя ВеО толщиной от 3.0 до 4.0 нм, после ионно-плазменной очистки и перед нанесением первого слоя ВеО на поверхность нагретого эпитаксиального слоя p-GaN наносят, а затем удаляют слой оксида алюминия толщиной не менее 30% от толщины эпитаксиального слоя p-GaN. Изобретение обеспечивает минимизацию дефектов ростовой структуры и связанное с ней увеличение термической стабильности прозрачной контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN. 2 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для формирования омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах, на основе нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния или других неупорядоченных полупроводников. Сущность изобретения: в способе создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных нелегированных полупроводниках, заключающемся в осаждении пленки полупроводника на подложку, формировании маскирующего диэлектрического слоя, фотолитографии для вскрытия окон в диэлектрическом слое и напылении металлических электродов с последующей фотолитографией по металлу, непосредственно перед напылением металлических электродов производят операцию ионной бомбардировки пленки полупроводника ионами инертного газа, например аргона, через вскрытые в диэлектрике окна. Способ обеспечивает исключение термического отжига при температуре эффузии водорода, который может оказывать влияние на электрофизические параметры пленки аморфного полупроводника, и использовании создания «нарушенного» слоя на контакте металл-полупроводник, для создания поверхностных омических контактов к пленочным нелегированным аморфным полупроводникам. 4 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости формируют фотолитографией топологию фоточувствительных областей и проводят травление поверхности структуры фотоэлектрического преобразователя. Затем последовательно напыляют на протравленную поверхность слой титана толщиной 5-30 нм, слой германия толщиной 25-90 нм, слой платины толщиной 25-60 нм и слой золота. Отношение толщины слоя германия к толщине слоя платины равно (1,0-1,9):1. После напыления слоев удаляют фоторезист и отжигают контактную структуру. На слой титана может быть нанесен сначала слой платины, а затем слой германия. Техническим результатом изобретения является уменьшение глубины залегания границы раздела контакт - полупроводник, улучшение ее качества путем повышения ее планарности, улучшение морфологии поверхности контакта при сохранении малых значений сопротивления контакта, что обеспечивает повышение воспроизводимости технологии изготовления контактов с высокими характеристиками и, как следствие, улучшение характеристик приборов, в которых используются такие контакты. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к методам создания металлических нанопроволок на поверхности полупроводниковых подложек и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Изобретение обеспечивает создание нанопроволок, обладающих высокой проводимостью, с возможностью управления местоположением формирования этих нанопроволок. Сущность изобретения: в способе создания проводящих нанопроволок на поверхности полупроводниковых подложек, осаждают медь на поверхность кремния Si(111) с формированием буферного слоя силицида меди Cu₂Si при температуре 500°С в условиях сверхвысокого вакуума. Буферный слой силицида меди формируют моноатомной толщины, после чего при температуре 20°С осаждают не менее 10 слоев меди на атомных ступенях поверхности буферного слоя, которые формируют нанопроволоки эпитаксиальной меди, ориентированные вдоль атомных ступеней подложки. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет повысить качество системы металлизации за счет снижения ее дефектности и улучшения ее электрических характеристик. Сущность изобретения: в способе изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов, включающем формирование на кремниевой подложке с активными областями диэлектрической пленки на основе диоксида кремния, формирование в этой пленке контактных окон к активным элементам подложки, нанесение пленки сплава алюминия заданной толщины, формирование рисунка металлизации и последующую термообработку для получения омических контактов, термообработку проводят в атмосфере водорода с добавлением объемных % 0,5-3,0 воды или объемных % 0,25-1,5 кислорода. 1 табл.

Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к полупроводниковым структурам GaN/AlGaN и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектроники, в частности полевых транзисторов СВЧ-диапазона. Сущность изобретения: в способе изготовления омических контактов полупроводниковой гетероструктуры GaN/AlGaN, включающем последовательное напыление Ti, Al, Ni, Au на участок поверхности слоя AlGaN и быстрый термический отжиг полупроводниковой гетероструктуры, быстрый термический отжиг производят контактным способом с использованием графитового резистивного нагревателя, при этом полупроводниковую гетероструктуру располагают на поверхности нагревателя. В результате упрощается процесс изготовления и сокращается время процесса изготовления омических контактов полупроводниковой гетероструктуры GaN/AlGaN, а также повышается качество гетероструктуры и обеспечивается воспроизводимость ее параметров за счет контроля ее температуры в процессе отжига.

Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к полупроводниковым структурам GaN/AlGaN и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектроники, в частности полевых транзисторов СВЧ-диапазона. Сущность изобретения: в способе изготовления омических контактов полупроводниковой гетероструктуры GaN/AlGaN, включающем создание исходного вакуума в вакуумной камере, последовательное электронно-лучевое напыление в вакуумной камере Ti, Al, Ni, Au на участок поверхности слоя AlGaN и высокотемпературный отжиг, в вакуумной камере перед напылением Ti, Al, Ni, Au распыляют Ti до образования 2-3 монослоев Ti на поверхностях элементов, расположенных внутри вакуумной камеры, а напыление Ti, Al, Ni, Au на участок поверхности слоя AlGaN производят при вакууме от 1·10^-7 мм рт.ст. до 1·10 ^-8 мм рт.ст. В результате снижается контактное сопротивление омических контактов полупроводниковой гетероструктуры GaN/AlGaN за счет снижения количества остаточного кислорода и паров воды в вакуумной камере.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов. Сущность изобретения: в способе формирования затворных областей КМОП-транзисторов, включающем формирование в подложке первого типа проводимости областей второго типа проводимости, противоканальных областей, диэлектрической изоляции, подзатворного диоксида кремния, осаждение слоя поликристаллического кремния, его легирование, формирование затворных областей p- и n- канальных тразисторов, термическую очистку в трихлорэтилене с кислородом, осаждение разделительного диоксида кремния, его модификацию, формирование областей стоков и истоков обоих типов проводимости, термическую очистку в трихлорэтилене с кислородом, осаждение пиролизного изолирующего диоксида кремния, модифицикацию его термическим отжигом в трихлорэтилене с кислородом, вскрытие контактных окон и металлизацию, технологические операции: удаление естественного диоксида кремния, формирование подзатворного диоксида кремния, формирование слоя поликристаллического кремния проводят в едином вакуумном цикле одного реактора, после чего легируют слой поликристаллического кремния. Техническим результатом изобретения является улучшение и стабилизация электрофизических свойств подзатворного диоксида кремния, способствующих увеличению воспроизводимости пороговых напряжений, позволяющих увеличить процент выхода годных. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: в производстве струйных принтеров, а именно печатающих головок для струйных принтеров, имеющих небольшие отверстия в головке, через которые по программе выбрасываются чернильные капельки. Сущность изобретения: в способе изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки, включающем осаждение резистивного слоя и слоя проводника на изолированной подложке, формирование рисунков слоев, осажденных на изолированной подложке, образующих резистивный нагревательный элемент, формирование изолирующего барьерного слоя поверх рисунка упомянутого слоя проводника, формирование окна в упомянутом барьерном слое, создание слоя металла, находящегося в электрическом контакте с упомянутым рисунком слоя проводника через упомянутое окно, имеющего геометрию, которая открывает заранее определенный участок упомянутого рисунка слоя проводника, площадки из слоя металла на изолирующем барьерном слое над нагревательным элементом, перед выполнением разводки из слоя металла обрабатывают поверхность изолирующего барьерного слоя в растворе травителя, обеспечивающего очистку и восстановление поверхности изолирующего барьерного слоя, а разводку из слоя металла от упомянутого рисунка слоя проводника через упомянутое окно в изолирующем барьерном слое выполняют не только на прилегающий участок упомянутой изолированной подложки, но одновременно формируют участок разводки из слоя металла в виде площадки на изолирующем барьерном слое над нагревательным элементом, используемый в качестве стабилизирующей поверхности испарения. Техническим результатом изобретения является повышение качества и надежности принтерной головки с тонкопленочным резистором и структурой межсоединений за счет очистки и восстановления свойств изолирующего барьерного слоя, повышения адгезии разводки из слоя металла к изолирующему барьерному слою и, особенно, адгезии площадки из слоя металла к изолирующему барьерному слою над нагревательным элементом. 2 з.п. ф-лы, 11 ил.

Использование: в производстве струйных принтеров, а именно печатающих головок для струйных принтеров, имеющих небольшие отверстия в головке, через которые по программе выбрасываются чернильные капельки. Сущность изобретения: в способе изготовления принтерной головки, включающем осаждение резистивного слоя и слоя проводника на изолированной подложке, формирование рисунков слоев, осажденных на изолированной подложке, образующих резистивный нагревательный элемент, формирование изолирующего барьерного слоя поверх рисунка упомянутого слоя проводника, формирование окна в упомянутом барьерном слое, создание слоя металла, находящегося в электрическом контакте с упомянутым рисунком слоя проводника через упомянутое окно, имеющего геометрию, которая открывает заранее определенный участок упомянутого рисунка слоя проводника, выполнение разводки из слоя металла от упомянутого рисунка слоя проводника через упомянутое окно в изолирующем барьерном слое на прилегающий участок упомянутой изолированной подложки, так что разводка из слоя металла на упомянутом прилегающем участке упомянутой изолирующей подложки образует относительно большую и плоскую область, удаленную от упомянутого рисунка слоя проводника, для создания смещенного пружинного контакта. После осаждения резистивного слоя и слоя проводника на изолированной подложке вначале формируют рисунок слоя проводника, имеющего в себе вскрытие, образующее в последующем резистивный нагревательный элемент, а затем формируют рисунок из резистивного слоя с перекрытием рисунка слоя проводника на величину, превышающую точность совмещения в процессе литографии и уход размеров при травлении резистивного слоя. Техническим результатом изобретения является повышение качества и надежности принтерной головки и процента выхода годных в производстве из-за исключения дефектов изолирующего слоя на ступенях структуры, за счет раздельного травления резистивного и проводящего слоев и повышения воспроизводимости резистора. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к технологии изготовления интегральной схемы на кремнии. Сущность изобретения: способ включает формирование на подложке активных областей приборов, маскирование, вскрытие контактных окон к активным областям, формирование системы металлизации, содержащей аморфный металлид, который обладает отрицательной теплотой смешения, а его компоненты обладают более низким давлением собственных паров или более высокой теплотой сублимации, чем материал подложки и остальные компоненты системы металлизации. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового прибора, выдерживающего высокотемпературные технологические операции при температурах выше примерно 650°С, благодаря использованию стабильной системы металлизации, предотвращающей проникновение различных ее компонентов в активную область и примесей из активной области. 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.