Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов – H01L 21/283

Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем. Сущность изобретения: в способе изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС, включающем операции нанесения металлических и диэлектрических слоев, фотолитографию и селективное травление этих слоев, химико-механическую полировку диэлектрических слоев, на пластину кремния, покрытую диэлектриком, с выступающими на ее поверхности вертикальными проводниками нижележащей структуры наносится многослойная проводящая пленка, состоящая из адгезионно-барьерного, затравочного и вспомогательного слоев, во вспомогательном слое формируются канавки до затравочного слоя электрохимическим методом, внутри канавок на открытых участках затравочного слоя выращиваются медные горизонтальные проводники до полного заполнения канавок, на поверхность пластины наносится второй вспомогательный слой, в котором формируются отверстия до поверхности горизонтальных медных проводников, электрохимическим методом на открытых участках горизонтальных проводников выращиваются вертикальные медные проводники до полного заполнения отверстий для вертикальных проводников, далее удаляются вспомогательные слои, удаляются проводящие слои между горизонтальными медными проводниками, на поверхность пластины наносятся диэлектрические слои сглаживающим и заполняющим методами и далее методом химико-механической полировки слои диэлектрика над вертикальными проводниками удаляются. Изобретение обеспечивает улучшение качества медных проводников. 15 з.п. ф-лы, 11 ил, 1 табл.

Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния. Способ включает выполнение в объеме кремниевой пластины канавок и удаление кремния с обратной стороны пластины для вскрытия дна канавок. При этом канавки выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, а затем проводят окисление на всю толщину стенок с образованием системы диэлектрических SiO₂-перемычек. Удаление кремния с обратной стороны пластины может проводиться методом глубокого плазменного травления. Изобретение обеспечивает достижение высокой прочности изолирующего элемента, который может использоваться для изготовления различных МЭМС устройств в объеме стандартной пластины кремния. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю на посадочную поверхность кристалла проводят последовательное напыление двух металлов титан-германий, а пайку кристалла к кристаллодержателю проводят при температуре 280-300°С.Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с кристаллодержателем и стабильности процесса присоединения.

Использование: микро- и наноэлектроника, микро- и наномеханика, где используются изолированные диэлектриком проводники. Сущность изобретения: в способе заполнения в твердом теле углублений проводящим материалом, включающем нанесение на поверхность твердого тела, дно и боковые стенки указанных углублений первого слоя, который является барьерным материалом, предотвращающим диффузию указанного проводящего материала в твердое тело, нанесение поверх первого слоя второго слоя, который является смачивающим для проводящего материала, нанесение методом физического или химического осаждения из газовой фазы поверх второго слоя третьего слоя, который состоит из указанного проводящего материала, нанесение поверх третьего слоя четвертого слоя, который также состоит из проводящего материала, оплавление проводящего материала путем нагрева и планаризацию рельефа, оплавление проводящего материала путем нагрева проводят после нанесения третьего слоя, а нанесение четвертого слоя осуществляют любым из методов физического осаждения из газовой фазы, химического осаждения из газовой фазы, химического осаждения из растворов, электрохимического осаждения, химико-механического осаждения. Техническим результатом изобретения является упрощение технологии заполнения углублений в твердом теле и расширение технологических возможностей реализации процесса заполнения углублений в твердом теле проводящим материалом. 11 з.п. ф-лы, 5 ил.