Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в ,21/20 – H01L 21/30
Патенты в данной категории
| СПОСОБ БЕСПУСТОТНОГО СРАЩИВАНИЯ ПОДЛОЖЕК
Использование: в полупроводниковой технике, в процессе создания элементной базы микро-, микрофото-, опто- и наноэлектроники, силовой электроники, сенсорной микроэлектроники, а также при изготовлении многослойных полупроводниковых структур, в частности структур типа кремний на кремнии и кремний-на-изоляторе (КНИ). Сущность изобретения: в способе беспустотного сращивания подложек одинаковые или отличающиеся друг от друга первые полупроводниковые и вторые полупроводниковые либо стеклянные или кварцевые подложки, каждая из которых имеет, по меньшей мере, одну зеркально полированную поверхность и один ориентированный срез, размещаются партиями в раздельные кассеты с промежутком между подложками, обеспечивающим свободный доступ химических растворов и воды к подложкам так, чтобы зеркально полированные поверхности были обращены в одну сторону для первых и в противоположную сторону для вторых подложек, очищаются в химических растворах, в том числе гидрофилизирующих поверхность, и промываются в деионизованной воде. После чего кассеты с первыми и вторыми подложками стыкуют и первые подложки перегружают в кассету со вторыми подложками в ванне с деионизованной водой без соприкосновения с окружающей атмосферой помещения таким образом, что зеркально полированная поверхность первой подложки обращена к зеркально полированной поверхности второй подложки с зазором между подложками, а ориентированные срезы подложек совпадают. Затем пары из первых и вторых подложек поочередно подают на установку прижима, накладывают подложки друг на друга, а прижим осуществляют с помощью внешнего давления по всей поверхности подложки для плотного беспустотного сращивания. Полученные таким образом пары из первых и вторых подложек помещены в контейнер для хранения или кассету для термообработок. Техническим результатом изобретения является получение плотного беспустотного сращивания подложек на серийном оборудовании в условиях массового производства партиями (групповая обработка) в производственных помещениях пониженного класса чистоты. Это приводит: к снижению затрат при изготовлении многослойных подложек по технологии прямого сращивания в условиях массового производства без ухудшения качества сращивания (без образования дефектов в виде воздушных пузырьков), к повышению выхода годных структур за счет уменьшения их дефектности. 2 с. и 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.
|
2244362 патент выдан: опубликован: 10.01.2005 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУР Способ получения кремниевых наноструктур относится к электронике и может найти применение при изготовлении наноэлектронных структур субмикронных размеров, используемых для передачи, преобразования, хранения и генерации информационных сигналов. Сущность: способ получения кремниевых наноструктур включает воздействие физико-химическим фактором на кремнийсодержащее вещество и последующее осаждение выделяющегося при упомянутом воздействии кремния в нанополостях силикатной матрицы. Новым в способе является нагрев со скоростью 20-500oС/мин самой матрицы в восстановительной среде до 700-950oС и выдержка ее при этой температуре в течение времени, определяемого из предварительно построенной зависимости заданного размера наноструктуры от времени нагрева матрицы. Матрица может иметь открытые нанополости на поверхности. Матрица может быть выполнена из обезвоженного опала. Нагрев матрицы может быть осуществлен при пониженном давлении среды, например при давлении 10-5-10-6 мм рт. ст. Технический результат изобретения заключается в обеспечении возможности формирования наноструктур различной конфигурации как в объеме матрицы, так и на ее поверхности. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил. | 2183364 патент выдан: опубликован: 10.06.2002 |
|
| СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - повышение коэффициента усиления полупроводниковых приборов, обеспечивающего технологическую воспроизводимость, расширение диапазона работы, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность: при формировании полупроводниковых приборов на конечной стадии изготовления их подвергают обработке магнитными полями в объеме пирамиды в течение не менее 5 ч с последующим стабилизирующим отжигом при температуре 150-200°С в течение 10-30 мин. 1 табл. | 2168236 патент выдан: опубликован: 27.05.2001 |
|
| СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ Использование: изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: на подложку наносят первый слой позитивного фоторезиста, проводят его сушку и экспонирование без шаблона, затем наносят второй слой позитивного фоторезиста, проводят его сушку, экспонируют через шаблон и проявляют рисунок в двухслойной пленке, при этом величину экспозиции первого слоя фоторезиста tЭ1 выбирают равной (0,5 - 0,6)tЭ2, где tЭ2 - значение величины экспозиции второго слоя в диапазоне фотографической широты применяемого фоторезиста. 1 табл. | 2096935 патент выдан: опубликован: 20.11.1997 |
|
| СПОСОБ СУХОЙ ЛИТОГРАФИИ Использование: микролитография. Сущность изобретения: способ заключается в том, что наносят слой резиста на подложку, формируют в нем скрытое изображение путем экспонирования. Нанесение слоя резиста на подложку осуществляют сухим методом плазменной полимеризации в две стадии, сначала формируют основной слой резиста непосредственно в плазме, а потом чувствительный слой - в зоне послесвечения плазмы. 7 з.п. ф-лы, 3 ил. | 2082257 патент выдан: опубликован: 20.06.1997 |
|
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР ФОТОЛИТОГРАФИЕЙ Использование: при формировании структур методом обратной литографии. Сущность изобретения: наносят на подложку слой позитивного фоторезиста, облучают его пучком электронов, экспонируют рисунок ультрафиолетовым излучением, проявляют, напыляют дополнительный слой материала и удаляют резист. Новым в способе является то, что облучение пучком электроном проводят после экспонирования рисунка ультрафиолетовым излучением, причем энергия электронов в пучке составляет 3-6 КэВ, а доза облучения достаточна для полной потери чувствительности фоторезиста к ультрафиолетовому излучению на необлученных при экспонировании рисунка участках, после проявления проводят дополнительное экспонирование фоторезиста ультрафиолетовым излучением и удаление резиста в проявителе. Для формирования нависающего профиля края, облегчающего проведение обратной литографии методом взрыва, рельефные структуры в резисте могут быть подвергнуты дополнительному проявлению перед нанесением дополнительного слоя материала. 1 з.п. ф-лы. | 2071142 патент выдан: опубликован: 27.12.1996 |
|
| СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Использование: изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, в частности к способу и устройству для удаления позитивного фоторезиста с поверхности полупроводниковых подложек. Сущность изобретения: целью изобретения является повышение качества удаления фоторезиста за счет полного удаления граничной пленки с рабочей поверхности. Способ заключается в облучении ультрафиолетом и промывке в водном растворе щелочи. Новым в способе является то, что операции обучения ультрафиолетом и промывку в водном растворе щелочи проводят периодически до полного удаления пленки фоторезиста. Устройство содержит реакционную камеру с размещенным в ней источником ультрафиолетового излучения. Новым в устройстве является то, что оно содержит подложкодержатель, выполненный в виде вращающейся платформы 2 с вакуумным захватом 3 для фиксации пластины, источник ультрафиолетового излучения смещен от центра вращения подложкодержателя и закрыт отражателем 6, расположенным над половиной обрабатываемой пластины, нижняя кромка которого образует зазор 7 с поверхностью обрабатываемой пластины, а с наружной стороны отражателя со стороны центра подложкодержателя расположен патрубок 8 для подачи водного раствора щелочи. 2 с. п. ф-лы, 1 ил. 1 табл. | 2047931 патент выдан: опубликован: 10.11.1995 |
|
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Использование: изобретение относится к технологии производства ИС, в частности к способу и устройству для формирования тонких пленок на поверхности полупроводниковых подложек. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования тонких пленок на полупроводниковой подложке, включающем закрепление подложки на вращающемся столике, снабженном вакуумным захватом, поворот подложки на 180° вокруг горизонтальной оси и опускание в резервуар с наносимой жидкостью, вращение подложки, возвращение подложки в исходное положение и вращение подложки с увеличенной скоростью, подложку опускают в резервуар с образованием зазора между подложкой и поверхностью находящейся в резервуаре жидкости, снизу под давлением на поверхность вращающейся подложки подают фильтрованную наносимую жидкость, затем столик с подложкой вращают с увеличенной скоростью перед возвращением в исходное положение, а отработанную жидкость сбрасывают из резервуара в систему рециркуляции и через фильтр направляют на повторный цикл нанесения пленки. Устройство для формирования тонких пленок на полупроводниковой подложке содержит резервуар с наносимой жидкостью, вращающийся столик с вакуумным захватом для фиксации обрабатываемой подложки, снабженный механизмом поворота на 180° вокруг горизонтальной оси и механизмом для вертикального перемещения, резервуар для нанесения жидкости состоит из камеры нанесения и гофрированной емкости с приводом для ее сжатия в вертикальном направлении, которые отделены друг от друга коническим клапаном, седлом которого является наружная поверхность донной части корпуса камеры нанесения, а сам клапан установлен на цилиндрической пружине, закрепленной на донной поверхности емкости. Вверху клапан заканчивается горизонтальной площадкой, диаметр которой не превышает диаметр обрабатываемой подложки, в корпусе клапана закреплен фильтр, вход которого соединен с объемом гофрированной емкости, а выход через канал, выполненный в корпусе конического клапана, соединен с объемом камеры нанесения, камера нанесения снабжена цилиндрической или шаровой крышкой и механизмом ее поворота на 180° относительно камеры нанесения. Внутри крышки выполнена полость, в которой установлен вращающийся столик с вакуумным захватом и приводом для перемещения столика с обрабатываемой подложкой в камеру нанесения, а наружная поверхность крышки сопрягается с верхней поверхностью стенок камеры нанесения. 2 с. п. ф-лы, 2 ил. | 2046450 патент выдан: опубликован: 20.10.1995 |
|