Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление – H01L 21/306

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для химико-динамического утонения германиевых подложек. Технический результат заключается в повышении производительности и упрощении конструкции. В устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, включающем платформу с реакционными сосудами, выполненную с возможностью совершения орбитального движения в горизонтальной плоскости, платформа выполнена в виде короба и снабжена цилиндрическими ванночками, при этом на дно ванночек установлены диски вкладышей, на которых горизонтально расположены пластины подложкой вверх, кроме того, крышки-втулки ванночек выполнены с возможностью ограничения толщины слоя травителя на поверхности пластин, а дно ванночек выполнено с возможностью его охлаждения проточной водой. 3 ил.

Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники. Сущность изобретения заключается в том, что в способе отмывки и сушки подложек каждую подложку устанавливают на носитель, опускают в ванну отмывки с деионизованной водой до полного погружения подложки, затем медленно поднимают из воды в камеру сушки, отмывая ее с помощью мегазвукового излучения, а в момент выхода подложки из воды подают пары органического растворителя на границу раздела ванны и воздушной среды камеры и сушат. Новым в способе является то, что на носителе подложек создают зоны точечных контактов двух торцов подложки с носителем, устанавливают подложку на носитель таким образом, что нижний торец подложки расположен под определенным углом к горизонтали, опускают подложку в ванну отмывки непрерывно, а при подъеме подложки мегазвуковое излучение направляют на всю ширину подложки. Изобретение позволяет повысить качество отмывки и сушки подложек, расширить технологические возможности устройства, упростить аппаратурную реализацию процесса обработки, а также повысить надежность и производительность обработки. 2 н.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин от органических загрязнений и получению пористой поверхности кремния при изготовлении различных структур. Очистку от органических загрязнений и получение пористой поверхности полупроводниковых пластин осуществляют совместно в одну стадию в растворах HBF ₄ или NH₄HF₂, активированных озоном высокой концентрации 17% и выше. Травление полупроводниковых пластин осуществляют в концентрированных, более 10%, растворах HBF₄ или NH₄HF₂. Применение предложенного способа очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин в растворах HBF₄ или NH ₄HF₂, активированных озоном высокой концентрации, позволит упростить технологию, понизить температуру процесса очистки, снизить энергоемкость, сократить число стадий и время обработки пластин, повысить экологическую безопасность очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин кремния от механических и органических загрязнений, и может найти применение в микроэлектронике, радиотехнической, электротехнической и других отраслях промышленности. Сущность изобретения: очистку поверхности полупроводниковых пластин осуществляют в ванне с моющим бифторидным раствором, активированным концентрированным озоном и ультразвуком при комнатной температуре с последующей промывкой в деионизованной воде. Изобретение обеспечивает создание высокоэффективного, ресурсо- и энергосберегающего, экологически чистого и безопасного способа очистки поверхности полупроводниковых пластин от органических и металлических загрязнений и сокращение времени обработки пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии полупроводников, в частности к способам консервации поверхности полупроводниковых подложек. Изобретение позволяет сохранять «epiready» свойства подложек на воздухе без использования инертной среды при комнатной температуре и затем использовать для эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетеро-и наноструктур. В способе консервации поверхности подложек из арсенида галлия, включающем химико-динамическое полирование поверхности полупроводника в полирующем травителе, содержащем концентрированную серную кислоту, перекись водорода и воду в соотношении H₂SO₄ :H₂O₂:H₂O=5:1:1, отмывку в деионизованной воде, стравливание слоя остаточного оксида в водном растворе концентрированной соляной кислоты H₂O:HCl=10:1 до проявления гидрофобных свойств чистой поверхности подложки из арсенида галлия, отмывку в деионизованной воде, сушку в центрифуге, обработку в парах селена, стравливание образовавшегося слоя селенида галлия в водном растворе концентрированной соляной кислоты H ₂O:HCl=10:1, отмывку в деионизованной воде, сушку в центрифуге, после сушки подложку повторно обрабатывают в парах селена в камере квазизамкнутого объема с образованием эпитаксиального слоя селенида галлия (Ga₂Se₃) при температуре подложки - T_n=(310÷350)°С, температуре стенок камеры - Т_с=(280-300)°С, температуре селена - T _Se=(230÷250)°C в течение 3÷10 минут и затем осуществляют упаковку без использования инертной среды. 4 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано, в частности, в технологии изготовления полупроводниковых СВЧ приборов. Техническим результатом изобретения является упрощение способа. Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что в способе формирования методом химического травления в подложке из арсенида галлия, входящей в состав полупроводникового прибора, полости, имеющей сужающуюся по толщине подложки форму, содержащем стадию травления, на которой в качестве травителя используют композицию, включающую водный раствор фосфорной кислоты с концентрацией не менее 80 масс.% и водный раствор перекиси водорода с концентрацией не менее 30 масс.%, согласно изобретению химическое травление осуществляют в одну стадию с использованием в качестве травителя композиции, полученной путем смешения указанного водного раствора фосфорной кислоты и указанного водного раствора перекиси водорода при их объемном соотношении 2:3.

Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей. Способ изготовления чипов наногетероструктуры, выращенных на германиевой подложке, включает нанесение омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности наногетероструктуры, удаление части фронтального контактного слоя наногетероструктуры методом химического травления и нанесение антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность наногетероструктуры, пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком. Разделение структуры на чипы проводят травлением через маску фоторезиста со стороны фронтальной поверхности наногетероструктуры на глубину 10-30 мкм наногетероструктуры и германиевой подложки в едином процессе в травителе, содержащем бромистый водород, перекись водорода и воду при определенном соотношении компонентов. Изобретения обеспечивают достижение ровной, без выступов и раковин, боковой поверхности разделительных канавок в монолитных наногетероструктурах на германиевой подложке, при травлении всей структуры в едином процессе в одном травителе, методом жидкостного химического травления, что обеспечивает качественное нанесение защитных (пассивирующих) покрытий на боковую поверхность разделительных канавок и разделение наногетероструктуры на отдельные элементы - чипы, в результате повышается выход годных изделий и их надежность и увеличивается срок службы отдельных элементов. 2 н.п. ф-лы, 6 ил, 2 пр.

Изобретение относится к изготовлению средств выявления примеси газов в воздушной среде и определения уровня концентрации газов в среде. Техническим результатом изобретения является возможность получения тонкопленочных (1-5 мкм) диэлектрических мембран по всей площади подложки одновременно и повышение выхода годных датчиков в процессе их изготовления в целом. Сущность изобретения: в способе изготовления универсальных датчиков состава газа, включающем нанесение диэлектрической пленки на лицевую сторону кремниевой подложки, формирование на пленке элементов структуры датчика и создание тонкопленочной диэлектрической мембраны методом анизотропного травления кремниевой подложки с обратной стороны, анизотропное травление проводят в два этапа, причем первый до нанесения диэлектрической пленки, а второй после завершения всех операций формирования элементов структуры датчика с предварительной защитой от травителя лицевой стороны подложки. Анизотропным травлением одновременно формируют разделительные полосы между кристаллами глубиной от 30 до 40% от толщины подложки. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время жидкостной обработки. Сущность изобретения: кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин содержит четыре цилиндрические стержня, скрепленных по торцам в кассете и выполненных с пазами, продольные оси стержней параллельны между собой. Верхний из стержней выполняет функцию крышки и расположен с возможностью крепления с противоположных торцов после размещения в кассете полупроводниковых пластин, нижний стержень выполняет функцию дна кассеты, а пазы во всех стержнях совмещены таким образом, что обеспечивают размещение каждой обрабатываемой пластины в вертикальной плоскости, перпендикулярной продольным осям стержней, причем пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму. Стержни выполнены из фторопласта, глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней. Стержни расположены так, что поперечная плоскость сечения стержней перпендикулярна их продольным осям, а поперечное сечение каждого стержня имеет форму круга, диаметр цилиндрических стержней составляет 0,8-1,2 см. Боковые и нижний стержни размещены относительно друг друга и полупроводниковых пластин таким образом, что центры каждого круга в плоскости поперечного сечения стержней расположены в вершинах правильного пятиугольника, вписанного в окружность, диаметр которой равен диаметру полупроводниковых пластин, при этом эти вершины размещены в нижней половине окружности. Изобретение обеспечивает исключение потерь пластин при обработке.

Изобретение относится к травлению материала на основе кремния. Сущность изобретения: в способе травления кремниевой подложки с образованием кремниевых столбиков подложку выдерживают в водном растворе - фтористоводородной кислоты или ее соли, при концентрации от 1,5 до 10 М, соли металла при содержании от 5 до 100 мМ, способной к химическому осаждению металла на поверхность кремния в присутствии ионов фторида и спирта при содержании последнего от 1 до 40 об.%. Представлен также второй вариант способа травления кремниевой подложки и перезаряжаемый литиевый аккумулятор с анодом, который содержит кремниевую подложку, изготовленную с использованием представленных способов травления. Изобретение обеспечивает получение более высоких столбиков с улучшенной однородностью распределения и увеличенной скоростью образования. 3 н. и 9 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам обработки подложек для формирования контактных окон. Техническим результатом изобретения является обеспечение качества рисунка, равномерное травление и уменьшение длительности процесса. Сущность изобретения: обработку подложек проводят в жидкостном травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH₄F) и деионизованной воды (Н₂О) при соотношении компонентов 1:2:5 при комнатной температуре в течение 4±1 минут. Качество обработки оценивают под микроскопом на наличие светящихся точек, их количество составило - 5 штук.

Изобретение относится к получению поликремниевой текстуры для солнечных элементов. Сущность изобретения: коррозионный кислотный раствор для приготовления поликремниевой текстуры содержит смешанные окислитель и раствор фтористоводородной кислоты, где окислителем является нитрат или нитрит и окислитель имеет концентрацию от 0,1 до 10 моль/л, а раствор фтористоводородной кислоты имеет концентрацию от 10 до 25 моль/л. Изобретение обеспечивает более низкую стоимость обработки отходов кислоты, полученных во время процесса получения поликремниевой текстуры, а также избежание загрязнения окружающей среды тяжелыми металлами. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. В способе обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства, включающем обработку кварцевой оснастки после высокотемпературных операций полупроводникового производства в очищающем растворе, для обработки кварцевой оснастки используют очищающий раствор, состоящий из фтористоводородной кислоты, фторида аммония, сульфомалеинового ангидрида и деионизованной воды при следующем весовом соотношении компонентов,

соответственно 0,5:1:1:1, обработку кварцевой оснастки проводят в две стадии, первая из которых при температуре 30°С в течение 20-30 минут, а вторая в свежем растворе при том же весовом соотношении компонентов при комнатной температуре в течение 10-20 минут, после чего кварцевую оснастку обрабатывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30-60 минут. Техническим результатом изобретения является обеспечение полного удаления загрязнений различного происхождения с поверхности кварцевой оснастки технологического оборудования производства, простота выполнения способа, а также снижение токсичности процесса.

Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства, включающем обработку кварцевой оснастки после жидкостных операций полупроводникового производства в очищающем растворе, для обработки кварцевой оснастки используют очищающий раствор, состоящий из фтористоводородной кислоты, фторида аммония, сульфомалеинового ангидрида и деионизованной воды при следующем весовом соотношении компонентов, соответственно 0,5:0,5:1:1, обработку кварцевой оснастки проводят в две стадии, первая из которых при температуре 30°С в течение 20-30 минут, а вторая в свежем растворе при том же весовом соотношении компонентов при комнатной температуре в течение 10-20 минут, после чего кварцевую оснастку обрабатывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30-60 минут. Техническим результатом изобретения является обеспечение полного удаления загрязнений различного происхождения с поверхности кварцевой оснастки технологического оборудования производства, простота выполнения способа, а также снижение токсичности процесса.

Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники, в частности при отмывке и сушке стеклянных подложек для жидкокристаллических экранов, полупроводниковых пластин и фотошаблонов. Сущность изобретения: в способе отмывки и сушки подложек подложки ступенчато опускают в ванну отмывки деионизованной водой и сканируют подложку мегазвуковым излучением, установленным в ванне, по всей ширине подложки и отмывают ее. После чего подложку поднимают медленно в камеру сушки. В процессе выхода подложки из деионизованной воды на обе стороны ее подают пары органического растворителя непосредственно в зону выхода подложки с помощью двух трубок с рядом отверстий. Предложено устройство для реализации заявленного способа. Техническим результатом изобретения является повышение качества отмывки и сушки подложек, повышение производительности, а также расширение технологических возможностей. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов полупроводникового производства. Сущность изобретения: в способе обработки кремниевой оснастки обработку проводят в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов 18:2,5:1, при комнатной температуре в течение 20±10 минут, с последующей промывкой в деионизованной воде 30±10 минут. Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса.

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Техническим результатом изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений. Сущность изобретения: удаление загрязнений с карбид-кремниевой трубы происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фтористоводородная кислота - HF, соляная кислота - НСl и деионизованная вода - Н ₂О в соотношении 1:1:3,5. Длительность обработки составляет 20±5 минут. По окончании обработки трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 30±5 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги.

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния. Сущность изобретения: в способе обработки кристаллов кремния после высокотемпературных операций обработку кристаллов кремния проводят в травителе, состоящем из азотной кислоты

-НМО₃, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -СН₃СООН, в соотношении компонентов 3:2:8, температура раствора -25°С, длительность обработки составляет 8±2 минут, по окончании проводится промывка в деионизованной воде при комнатной температуре и времени 25±5 минут, процент выхода годных кристаллов составляет 98%. Изобретение обеспечивает полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработки.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций. Сущность изобретения: способ предусматривает обработку фторопластовых изделий после технологических операций для удаления различных загрязнений и резистивных слоев. Обработку проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку проводят в растворе серной кислоты (H₂SO₄) и перекиси водорода

(Н₂О₂) в соотношении 1:1 при температуре Т=140±5°С в течение 5 минут, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (Н₂ О) при температуре Т=65-70°С в течение 5 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны, с расходом воды 450±50 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн, контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук. Техническим результатом изобретения является полное удаление загрязнений и резистивных слоев с фторопластовых изделий.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам подготовки поверхности полупроводниковых подложек к операциям фотолитографии. Изобретение обеспечивает полное удаление влаги с поверхности кремниевых подложек перед нанесением фоторезиста при комнатной температуре. Сущность изобретения: при подготовке поверхности полупроводниковых подложек их обрабатывают парами гексаметилдисилоксана (ГМДС) при комнатной температуре в течение 5 секунд при частоте вращения центрифуги 200±50 мин^-1 и расходе паров ГМДС 60 л/ч, угол смачивания подложек водой после обработки равен '=37,2±0,376 , где - угол смачивания подложек водой до обработки.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Сущность изобретения: в способе обработки кварцевой оснастки, включающем обработку кварцевой трубы после высокотемпературных операций в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, обработку кварцевой трубы проводят при комнатной температуре в течение 30±10 минут в растворе при следующем соотношении компонентов HF:H₂O=1:4, после обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут. Техническим результатом изобретения является полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры и качества обработки кварцевых труб.

Изобретение относится к процессам химической обработки полупроводниковых пластин и может быть использовано для создания кремниевых подложек с наноразмерной структурой, применимых в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах и для создания светоизлучающих устройств. Сущность изобретения: в способе получения наноструктурированных кремниевых подложек путем обработки кремнийсодержащих материалов парогазовой смесью, содержащей фтористоводородную кислоту и окислитель, в качестве окислителя используют галоген или его смесь с кислородсодержащим окислительным реагентом, взятым в количестве не менее 1,0%. В качестве галогена может быть использован йод, а в качестве кислородсодержащего окислительного реагента - реагент, выбранный из группы: озон, пероксид водорода, серная кислота, оксиды азота. Изобретение позволяет получить подложки, сохраняющие стабильность физико-химических свойств поверхности при длительном хранении в естественных условиях и обеспечивающие высокую однородность физико-химических свойств поверхности и соответственно более высокую воспроизводимость анализа при использовании таких подложек. 7 з.п. ф-лы, 1 табл., 6 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ травления пленки алюминия включает травление пленки алюминия с поверхности кремниевых пластин путем обработки кремниевых пластин в травителе, состоящем из азотной, фосфорной и уксусной кислот при соотношении компонентов, соответственно равном 1:50:12, при температуре 40±5°С, в течение 15±5 минут, разброс по толщине слоя алюминия при этом составляет 4,5÷5,0%. Техническим результатом изобретения является получение ровного рельефа профиля и уменьшение времени и температуры травления.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида. Сущность изобретения: в способе обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида обработку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида проводят в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, при следующем соотношении компонентов: HF: СН₃СОСН ₃=1:100, время обработки поверхности кремниевых пластин равно не более 30 секунд при комнатной температуре, количество пылинок составляет 3 штуки. Изобретение обеспечивает полное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, хорошее сцепление полиимида к пластине, уменьшение температуры и времени обработки пластин.

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки. Сущность изобретения: в способе обработки поверхности кремниевых пластин пластины загружают в ванну, заполненную изопропиловым спиртом, и при частоте ультразвука 25±5 Гц проводят удаление загрязнений в течение 5±1 минут. Контроль производится под сфокусированным светом, по количеству светящихся точек. Количество светящихся точек не превышает 5 штук. При такой обработке обеспечивается полное удаление загрязнений, кремниевые пластины не повреждаются, не образуются сколы и трещины.

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к снятию фоторезиста в процессе формирования защитной пленки из полиимида структуры мощного транзистора. Сущность изобретения: в способе снятия фоторезиста, включающем травление пленки фоторезиста с кремниевых пластин обработкой в травителе, состоящем из ацетона и диметилформамида, травление пленки фоторезиста проводят при соотношении компонентов: ацетон (СН₃СООСН ₃) и диметилформамид ((CH₃)₂NCOH) соответственно 2:1 при комнатной температуре и времени травления 2±1 мин, при этом контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек составляет не более 5 штук. Техническим результатом изобретения является полное снятие фоторезиста, снижение температуры процесса и уменьшение времени травления.

Предложен безопасный и экономичный способ производства полупроводниковой подложки, обладающей отличной эффективностью фотоэлектрического преобразования, в которой мелкая структура неровностей, пригодная для использования в солнечном элементе, может быть однородно сформирована с требуемым размером на поверхности полупроводниковой подложки, полупроводниковая подложка, предназначенная для применения в солнечных установках, в которой однородная и мелкая структура неровностей в форме пирамиды предусмотрена равномерно в пределах ее поверхности, и травильный раствор для формирования полупроводниковой подложки, имеющей однородную и мелкую структуру неровностей. Полупроводниковую подложку вытравливают с использованием щелочного травильного раствора, содержащего, по меньшей мере, один тип, выбранный из группы, состоящей из карбоновых кислот, имеющих углеродное число 1-12 и имеющих, по меньшей мере, одну карбоксильную группу в молекуле, и их солей, с тем, чтобы таким образом сформировать структуру неровностей на поверхности полупроводниковой подложки. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 16 ил., 10 табл.

Изобретение относится к очистке и сушке подложек для полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: система обработки подложки для полупроводниковых приборов содержит головку для подачи и удаления обрабатывающей текучей среды с рабочей поверхностью, которую во время работы с небольшим зазором подводят к поверхности подложки. Система содержит первый канал, по которому через головку на поверхность подложки подается первая текучая среда, и второй канал, по которому через головку на поверхность подложки подается вторая текучая среда, отличная от первой. Система имеет также третий канал, который предназначен для удаления с поверхности подложки первой и второй текучих сред и который в процессе обработки подложки задействуется по существу одновременно с первым и вторым каналами. Описаны также способ и устройство, а также головка устройства для обработки подложки для полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает быструю и эффективную очистку и сушку полупроводниковых подложек при одновременном снижении количества образующихся на поверхности подложки следов грязи. 4 н. и 23 з.п. ф-лы, 21 ил.

Изобретение относится к области изготовления микромеханических устройств, а именно к способам формирования зондов сканирующих зондовых микроскопов, в частности кантилеверов, состоящих из консоли и иглы. Сущность изобретения: в способе изготовления кантилевера, включающем формирование на верхней поверхности монокристаллической кремниевой подложки КДБ с ориентацией (100) иглы кантилевера методом локального анизотропного травления кремния, формирование на верхней стороне подложки р-n перехода, локальное электрохимическое травление подложки с обратной стороны до р-n перехода с образованием кремниевой мембраны, формирование консоли кантилевера из указанной мембраны путем локального анизотропного травления мембраны с двух сторон пластины с использованием маски, защищающей иглу и верхнюю часть консоли, иглу кантилевера формируют перед формированием р-n перехода, при этом глубина n-слоя составляет удвоенную толщину консоли, а маску для локального анизотропного травления мембраны получают методом "взрывной" литографии с использованием нижнего «жертвенного» слоя и верхнего маскирующего слоя из химически малоактивного металла. Способ позволяет получить кантилевер с воспроизводимыми геометрическими параметрами консоли и повышенной разрешающей способностью иглы. 2 з.п. ф-лы, 15 ил.

Настоящее изобретение касается композиции для обработки поверхности и способа обработки поверхности субстрата, используя эту композицию. Сущность изобретения: очищающий раствор содержит воду, перекись водорода, щелочное соединение и 2,2-бис-(гидроксиэтил)-(иминотрис)-(гидроксиметил)метан в качестве хелатирующей добавки. Предпочтительно щелочное соединение выбрано из группы, состоящей из органического основания, аммиака, гидроксида аммония, гидроксида тетраметиламмония, более предпочтительно из группы, состоящей из аммиака и гидроксида аммония. Хелатирующая добавка содержится в количестве 1000-3000 ppm. Очищающие растворы используют для процессов обработки поверхности, включая очистку, травление, полировку, пленкообразование, для очистки субстратов, таких как полупроводник, металл, стекло, керамика, пластмасса, магнитный материал, сверхпроводники. Способ включает обработку полупроводникового(ых) субстрата(ов) очищающим раствором и высушивание указанного полупроводникового(ых) субстрата(ов) после промывки водой. Технический результат - повышение стабильности раствора при повышенной температуре и повышение степени очистки поверхностей. 3 н.п. ф-лы, 2 табл., 12 ил.