Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии, последующая обработка этих слоев, выбор материалов для этих слоев – H01L 21/31
Патенты в данной категории
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения - в способе изготовления полупроводникового диода для формирования пассивирующего покрытия последовательно наносят пять слоев, включающие слой термического диоксида кремния толщиной 0,54 мкм и несколько слоев, наносимые методом химического парофазного осаждения, а именно: диоксид кремния, фосфорно-силикатное стекло, снова диоксид кремния и полуизолирующий аморфный кремний =Si:O толщиной 0,5 мкм, при этом слой полуизолирующего аморфного кремния наносят при атмосферном давлении и температуре 650°C, в качестве носителя используют азот, а соотношение газовой смеси H2O и SiH4 составляет N 2O/SiH4=0,2. Технический результат изобретения - повышение напряжения пробоя приборов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл. |
2506660 патент выдан: опубликован: 10.02.2014 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии полупроводниковых структур. Сущность изобретения: в способе изготовления диэлектрической пленки для полупроводниковых структур электронной техники, включающем формирование, по меньшей мере, одного слоя заданного диэлектрического материала пленки посредством плазмохимического осаждения с заданным режимом автосмещения, перед плазмохимическим осаждением упомянутого основного слоя заданного диэлектрического материала пленки формируют дополнительный слой из диэлектрического материала - диоксида кремния толщиной, равной 0,01-0,15 мкм, посредством химического осаждения из газовой смеси моносилана и кислорода, при этом химическое и плазмохимическое осаждение диэлектрического материала каждого из слоев пленки - дополнительного и основного осуществляют при температуре 80-180°С. Техническим результатом изобретения является сохранение характеристик полупроводниковых структур путем максимально возможного исключения нарушения полупроводниковой структуры в процессе изготовления диэлектрической пленки, расширение функциональных возможностей и упрощение способа при сохранении характеристик самой диэлектрической пленки. 5 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл. |
2419176 патент выдан: опубликован: 20.05.2011 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УПОРЯДОЧЕННЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ НАНОЧАСТИЦ
Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно к получению нанострукгурированных тонкопленочных материалов с заданными свойствами для микро- и наноустройств: микро- и наносенсоров, чипов, фотонных кристаллов и т.д. Сущность изобретения: в способе получения упорядоченных наноструктурированных пленок на основе наночастиц путем структурирования подложки и последующего нанесения на него слоя сферических наночастиц материала пленки методом центрифугирования наночастиц из дисперсии, структурирование подложки осуществляют путем нанесения на подложку слоя сферических наночастиц большего диаметра, чем наночастицы материала пленки, методом центрифугирования. Изобретение обеспечивает более тонкое структурирование подложки. 3 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 табл. |
2387044 патент выдан: опубликован: 20.04.2010 |
|
СПОСОБ НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНКИ НА ПОДЛОЖКУ Изобретение относится к области создания новых материалов и придания уже используемым материалам новых свойств, а именно к способам получения направленной модификации поверхности. Технический результат изобретения заключается в обеспечении возможности отказаться от использования высоковакуумного оборудования и повышении адгезии нанесенных пленок. Сущность: способ напыления пленок на подложку включает нанесение покрытий на подложку путем распыления напыляемого материала, транспортировки его к подложке и осаждения на ее поверхность с помощью струйного высокочастотного плазмотрона в условиях динамического вакуума, при давлении р, равном 0,1-100 Па, при расходе плазмообразующего газа G, равном 0-0,3 г/с, при частоте генерации высокочастотной плазмы f, равной 1,76-18 МГц, мощности высокочастотного разряда Рр, равной 0,1-4 кВт. 2 ил. | 2185006 патент выдан: опубликован: 10.07.2002 |
|
УСТАНОВКА ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Использование: в технологии микроэлектроники. Сущность изобретения: в предложенной установке рабочую зону ограждают двумя проводящими сетчатыми электродами, расположенными над или между обрабатываемыми образцами, при этом сетки имеют форму и размеры, что и держатели подложек. 2 ил. | 2062526 патент выдан: опубликован: 20.06.1996 |
|
СПОСОБ ФОТОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Использование: в микроэлектронике для производства БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ включает нагрев подложки в реакторе атмосферного давления, подачу смеси реагирующих газов, облучение зоны осаждения вакуумным ультрафиолетовым излучением эксимерных молекул инертного газа газоразрядной плазмы барьерного типа при напряжении 1 - 20 кВ и частоте 1 - 20 кГц, причем спектр излучения выбирают из области спектра поглощения реагирующих газов. Эксимерный реактор вертикального типа для фотохимического осаждения тонких пленок содержит подложкодержатель с нагревателем, источник вакуумного ультрафиолетового излучения, включающий электрод с диэлектрическим покрытием и осевым каналом для рабочего газа и сетчатый электрод, а также узел дополнительного ввода рабочего газа и узел ввода смеси реагирующих газов, выполненные в виде трубчатого кольца с отверстиями, а между источником излучения и подложкодержателем размещен центральный детектор вспомогательного газа. 2 с. п. ф-лы, 1 ил. | 2059322 патент выдан: опубликован: 27.04.1996 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ Использование: способ может быть использован в технологии получения полупроводниковых приборов на основе соединений AIIBVI и AIIIBV и при изготовлении кремниевых ИС. Сущность изобретения: способ включает осаждение слоев из гомогенной газовой смеси моносилана, триметилфосфата и аргона или тетраэтоксисилана и кислорода. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. | 2029412 патент выдан: опубликован: 20.02.1995 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ ФОСФИДА ИНДИЯ Использование: микроэлектроника, получение диэлектрических покрытий на фосфиде индия. Сущность изобретения: для получения диэлектрического слоя на подложку из фосфида индия наносят пленку сульфида свинца толщиной 50 - 300 нм, затем формируют диэлектрическую пленку обработкой в потоке кислорода. Уменьшается плотность поверхностных состояний на границе раздела фосфид индия- диэлектрик. 1 табл. | 2017269 патент выдан: опубликован: 30.07.1994 |
|