Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои, последующая обработка этих слоев – H01L 21/3205
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ЗАТВОРНОЙ СТРУКТУРЫ И ЕЕ УСТРОЙСТВО
Изобретение относится к получению многослойной затворной структуры для полевого транзистора. Сущность изобретения: способ получения многослойной затворной структуры для полевых транзисторов включает формирование металлсодержащего слоя непосредственно на первом слое нитрида титана TiN, покрывающем области полупроводниковой подложки, предназначенные для первого и второго типов полевых транзисторов, формирование защитного слоя путем нанесения второго TiN-слоя поверх металлсодержащего слоя, формирование рисунка на втором TiN-слое и металлсодержащем слое для покрытия только первой части первого TiN-слоя, покрывающей область, предназначенную для полевых транзисторов первого типа, вытравливание второй части первого TiN-слоя, оставшейся открытой при формировании рисунка, в то время как первая часть первого TiN-слоя остается защищенной от травления за счет ее закрытия по меньшей мере частью толщины металлсодержащего слоя, на котором сформирован рисунок, и формирование третьего TiN-слоя, покрывающего область полупроводниковой подложки, предназначенную для второго типа полевых транзисторов. Изобретение обеспечивает усовершенствование технологии получения многослойной затворной структуры. 3 н. и 24 з.п. ф-лы, 9 ил. |
2498446 патент выдан: опубликован: 10.11.2013 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗИСТОРОВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС). Предложенный способ изготовления резисторов в интегральных схемах включает формирование на поверхности пластины кремния слоя диэлектрика, осаждение слоя аморфного кремния, формирование в нем резисторов. Перед формированием в слое аморфного кремния резисторов его отжигают при температуре, большей температуры последующего формирования резисторов и областей структуры ИС. В результате повышается воспроизводимость свойств поликремниевых слоев для изготовления резисторов заданного номинала за счет выбора значения температуры дополнительного отжига. Все это обеспечивает получение высокого процента выхода годных ИС. 3 з.п.ф-лы. | 2170474 патент выдан: опубликован: 10.07.2001 |
|
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА ВРАЩЕНИЕМ Применение: изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: устройство содержит центрифугу с приводом вращения, держатель для размещения пластин, резервуар с фоторезистом, установленный на валу центрифуги. Резервуар снабжен шлюзовой камерой, выполненной в виде концентрично установленного на общем основании полого кольца, имеющего на внутренней стенке сквозные каналы. 4 ил. | 2012093 патент выдан: опубликован: 30.04.1994 |
|