Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .......последующая обработка – H01L 21/321

Группа изобретений относится к полировальным суспензиям и способам их применения. Полировальная суспензия содержит жидкую среду и абразив в виде частиц, включающих мягкие абразивные частицы, твердые абразивные частицы и коллоидные частицы двуокиси кремния, при этом мягкие абразивные частицы имеют твердость по Моосу не более 8, твердые абразивные частицы имеют твердость по Моосу не менее 8, мягкие абразивные частицы и твердые абразивные частицы содержатся в весовом отношении не менее 2:1, и суспензия частично флоккулирована и содержит агломераты, содержащие мягкие абразивные частицы, твердые абразивные частицы и коллоидные частицы двуокиси кремния. Представлен также способ полирования керамической детали с использованием указанной суспензии. Достигается высокая скорость и повышенное качество полирования. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил.

Группа изобретений относится к химико-механической планаризации (ХМП) для удаления слоя металла при незатронутой поверхности непроводящего материала при подготовке полупроводниковых изделий. Способ химико-механической планаризации предусматривает полирование подложки, содержащей металл и непроводящий материал, при использовании абразива, который представляет собой порошок оксида алюминия, в котором частицы порошка оксида алюминия имеют покрытие из диоксида кремния, причем порошок имеет ВЕТ площадь поверхности, составляющую по меньшей мере 50 м²/г, при этом содержание оксида алюминия составляет по меньшей мере 90 вес. %, а содержание альфа оксида алюминия составляет по меньшей мере 90 вес. %, причем по меньшей мере 90% частиц оксида алюминия имеют максимальную ширину не более 50 нм, при этом менее 10% частиц имеют максимальный размер, превышающий 100 нм. Также описаны суспензия и абразив для ХМП. Достигается требуемая степень удаления слоя металла без ухудшения характеристик полупроводника. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 2 ил.