Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки – H01L 21/322
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭФФЕКТИВНОГО ВНУТРЕННЕГО ГЕТТЕРА В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ ПЛАСТИНАХ КРЕМНИЯ
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращенных методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов. Изобретение обеспечивает формирование эффективного внутреннего геттера в бездислокационных пластинах кремния большого диаметра (150-300 мм) за счет применения энергосберегающего режима многоступенчатых термообработок. Способ формирования эффективного внутреннего геттера в монокристаллических бездислокационных пластинах кремния осуществляют путем трехступенчатой термообработки в инертной атмосфере аргона при температуре 1200±25°С и длительности 30±10 с, при температуре 800±10°С в течение 4,0±0,25 ч (вторая стадия) и 1000±25°С в течение 16±0,25 ч (третья стадия). 3 ил. |
2512258 патент выдан: опубликован: 10.04.2014 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение значений токов утечек и подавление паразитного тиристорного эффекта в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковой структуры, включающем процессы ионного легирования и формирования геттера в кремниевой пластине, геттер формируют путем имплантации атомов кислорода в кремниевую пластину с концентрацией (1,6-1,8)·1016 см-3 с последующим отжигом пластин кремния в течение 4-6 часов в сухом кислороде при температуре 1100-1200°С и разгонной примеси в n-область в течение 6-9 часов в атмосфере азота при температуре 600-800°С. 1 табл. |
2418343 патент выдан: опубликован: 10.05.2011 |
|
| СПОСОБ УПРОЧНЕНИЯ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращиваемых методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов. Сущность изобретения: способ повышения механической прочности монокристаллических бездислокационных пластин кремния с содержанием кислорода на уровне 6×1017-9×10 17 см-3 осуществляют путем двухступенчатой термообработки в инертной атмосфере, например аргона, сначала при температуре 1000-1020°С в течение 10-15 мин, а затем при температуре 600-650°С в течение 7,5-8,5 часов с последующим охлаждением на воздухе. Технический результат изобретения заключается в упрочнении монокристаллических бездислокационных пластин кремния большого диаметра (150-300 мм), в частности в повышении в них напряжений начала пластической деформации при приложении механических и термических напряжений, без ухудшения электрофизических свойств монокристалла и его структурного совершенства. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. |
2344210 патент выдан: опубликован: 20.01.2009 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ
Изобретение относится к способу изготовления оптических приборов, в частности полупроводниковых оптоэлектронных приборов, таких как лазерные диоды, оптические модуляторы, оптические усилители, оптические коммутаторы и оптические детекторы. Сущность изобретения: представлен способ изготовления оптического прибора из части кристалла, имеющей структуру квантовой потенциальной ямы, включающий этап обработки части кристалла прибора плазменным травлением, с тем, чтобы создать протяженные дефекты, по меньшей мере, в части покрывающего слоя части кристалла прибора, как этап в технологии смешивания квантовых потенциальных ям, для последующего этапа термического отжига. Техническим результатом изобретения является разработка способа изготовления оптических приборов с усовершенствованным процессом смешивания квантовых ям. 21 з.п. ф-лы, 9 ил., 2 табл. |
2291519 патент выдан: опубликован: 10.01.2007 |
|
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для очистки полупроводниковых структур от ростовых и технологических микродефектов. Технический результат: повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации микродефектов в полупроводниковых структурах. Сущность изобретения: в способе геттерирующей обработки полупроводниковых структур, включающем аморфизацию поверхности структур с нерабочей стороны облучением ионами средних энергий при комнатной температуре, перед облучением структуры в течение 2,5-3,0 часов выдерживают в инертной атмосфере при температуре из интервала (0,4-0,7)Tm, где Tm - температура плавления материала структуры, а затем структуры охлаждают в жидком азоте. 2 табл. |
2281582 патент выдан: опубликован: 10.08.2006 |
|
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Изобретение относится к микроэлектронике. Предложенный способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин включает формирование на нерабочей стороне пластины функционально являющегося наружным геттером, структурно нарушенного слоя путем образования микрорельефа в процессе снятия регламентируемого припуска посредством обработки шлифованием. При этом в качестве режущего инструмента при обработке шлифованием используют алмазный круг на эластичной основе. Указанный круг в процессе снятия регламентируемого припуска деформируют внешним усилием в направлении, ортогональном обрабатываемой поверхности пластины, на заданную величину, достаточную для обеспечения огибания дискретными режущими элементами (алмазными зернами) упомянутого круга всего профиля контура исходных микронеровностей обрабатываемой поверхности полупроводниковой пластины с возможностью образования на этой поверхности вышеупомянутого структурно нарушенного слоя в виде регулярного микрорельефа. При этом величина снимаемого при геттерировании припуска соизмерима с величиной режущих зерен алмазного круга и меньше величины исходных микронеровностей на обрабатываемой поверхности пластины. В результате исключается возможность появления разрушений обрабатываемой поверхности в виде сколов в зоне вершин исходных микронеровностей, повышается эффективность геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточных дефектов в пластине. 2 ил. | 2224330 патент выдан: опубликован: 20.02.2004 |
|
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Использование: в полупроводниковой технике, в способах очистки пластин от фоновых примесей и протяженных структурных дефектов при производстве пластин и структур для изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Технический результат: повышение однородности распределения электрофизических характеристик полупроводниковых пластин за счет снижения концентрации структурных дефектов. Сущность изобретения: в способе геттерирующей обработки полупроводниковых пластин, включающем операции изготовления пластин и обработку ультразвуком в химически неактивной жидкости в течение 2,5-3,0 ч, во время обработки ультразвуком к пластинам прикладывают постоянное напряжение V, величину которого определяют в приведенной в описании формуле. 1 с.п.ф-лы, 3 табл. | 2215344 патент выдан: опубликован: 27.10.2003 |
|
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НА ДИЭЛЕКТРИКЕ" Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на диэлектрике", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов. Технический результат: улучшение структурного совершенства пленок кремния в структурах "кремний на диэлектрике". Сущность изобретения: в способе изготовления "кремний на диэлектрике", включающем формирование пленки кремния на монокристаллической или аморфной диэлектрической подложке, обработку полученной структуры проводят в химически неактивной жидкости ультразвуком с частотой 20-40 кГц в течение 60-90 мин, во время обработки структуру закрепляют между пластинами из материала с твердостью 50-160 МПа, толщиной 1,5-3,0 мм и диаметром не менее диаметра структуры. Кроме того, поверхность пластин со стороны, контактирующей с поверхностью структуры, имеет высоту микронеровностей не более 2,5 мкм, а со стороны, контактирующей с жидкой средой, высота микронеровностей поверхности пластин составляет 5-10 мкм. 1 з.п. ф-лы, 2 табл. | 2193257 патент выдан: опубликован: 20.11.2002 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для создания структур "кремний на изоляторе", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к действию дестабилизирующих факторов. Технический результат: повышение качества приборных слоев структур "кремний на изоляторе" за счет снижения их дефектности. Сущность изобретения: в способе изготовления "кремний на изоляторе", включающем формирование путем циклического отжига в инертной среде внутреннего геттера в рабочей пластине и геттерирование от примесей и дефектов ее приповерхностного слоя на глубину не менее толщины приборного слоя, термокомпрессионное соединение рабочей пластины с окисленной пластиной-носителем и абразивно-химическое уплотнение рабочей пластины до заданной толщины приборного слоя, перед компрессорным соединением рабочую пластину с геттером со стороны, которая будет контактировать с пластиной-носителем, аморфизируют облучением ионами средних энергий и после удаления имплантированного слоя проводят термокомпрессионное соединение пластин. 1 табл. | 2193256 патент выдан: опубликован: 20.11.2002 |
|
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Использование: в технологии изготовления дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Техническим результатом способа является повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточной дефектности. Сущность: в способе геттерирующей обработки, включающем аморфизацию полупроводниковых структур с нерабочей стороны подложки облучением ионами средних энергий, перед аморфизацией нерабочую сторону структур облучают протонами с энергией, равной энергии ионов при последующем облучении и дозой не ниже дозы аморфизации подложки ионным облучением. 1 табл. | 2176422 патент выдан: опубликован: 27.11.2001 |
|
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния, предназначенных для создания дискретных приборов и интегральных микросхем. Техническим результатом заявляемого способа является повышение структурного совершенства кремниевых подложек за счет увеличения эффективности геттерирования и снижения в них концентрации ростовых и технологических микродефектов. В способе обработки кремниевых подложек, включающем электрохимическое формирование слоя пористого кремния, облучение его ионами и последующее удаление этого слоя, перед ионным облучением подложки упруго деформируют изгибом так, чтобы их рабочая сторона была вогнутой, а последующее ионное облучение и удаление пористого кремния осуществляют одновременно путем ионно-плазменного травления. 1 табл. | 2172537 патент выдан: опубликован: 20.08.2001 |
|
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" Использование: в области производства полупроводниковых приборов, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов. Сущность изобретения: способ включает термокомпрессионное соединение окисленных рабочей кремниевой пластины с пластиной-носителем и абразивно-химическое утонение рабочей пластины до заданной толщины приборного слоя. Перед термокомпрессионным соединением в рабочей пластине путем циклического отжига в инертной среде формируют внутренний геттер и геттерируют от примесей и дефектов приповерхностный слой пластины на глубину не менее толщины приборного слоя. Технический результат: повышение качества приборных слоев структур "кремний на изоляторе" за счет снижения их дефектности. 1 табл. | 2139595 патент выдан: опубликован: 10.10.1999 |
|
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Использование: в области изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки исходных пластин-подложек. Технический результат: улучшение структурного совершенства полупроводниковых пластин за счет уменьшения в них концентрации дефектов. Сущность изобретения: облучают нерабочую сторону пластин ионами средних энергий и проводят отжиг пластин, причем перед облучением пластины упруго деформируют изгибом так, чтобы рабочая сторона стала выпуклой, и в деформированном состоянии обрабатывают в химически неактивной жидкости ультразвуком с частотой 20-40 кГц в течение 60-90 мин. 2 табл. | 2137253 патент выдан: опубликован: 10.09.1999 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" Использование: в области производства полупроводниковых приборов. Технический результат: повышение качества приборных слоев структур "кремний на изоляторе" за счет снижения их дефектности. Сущность изобретения: производят термокомпрессионное соединение через слой диэлектрика рабочей пластины и пластины-носителя, производят облучение со стороны рабочей пластины ионами средних энергий дозами выше дозы аморфизации кремния, а затем производят абразивно-химическое утонение рабочей пластины до заданной толщины приборного слоя. 1 табл. | 2137252 патент выдан: опубликован: 10.09.1999 |
|
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК КРЕМНИЯ Использование: в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем. Технический результат: повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточных дефектов в кремниевых подложках. Сущность изобретения: способ включает осаждение на нерабочую сторону подложек кремния слоя поликристаллического кремния и термообработку, перед термообработкой поверхность поликристаллического кремния амортизируют облучением ионами с энергией, при которой глубина проникновения ионов не превышает толщину слоя поликристаллического кремния. 1 табл. | 2134467 патент выдан: опубликован: 10.08.1999 |
|
| СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ Использование: технология производства электронных компонентов, интегральных схем и устройств функциональной электроники. Сущность изобретения: для устранения структурных дефектов в твердом теле, в том числе пленке, возбуждают акустические колебания с длинами волн, соизмеримыми с эффективными размерами дефектов, и с энергией, превышающей энергию активации дефектов. Техническим результатом изобретения является устранение структурных дефектов в твердых телах при комнатной температуре, что обеспечивает исключение побочных нежелательных процессов диффузии и испарения примеси, расползания границ гетероструктур, испарения и диссоциации приповерхностного слоя подложки, возникновения термической неоднородности и термических напряжений; сокращение длительности процесса и энергозатрат, создание возможности устранения дефектов в ходе технологических операций вакуумного напыления и эпитаксиального наращивания пленок. 2 з.п.ф-лы. | 2124784 патент выдан: опубликован: 10.01.1999 |
|
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК Использование: при изготовлении высококачественных пластин-подложек из монокристаллического кремния. Технический результат способа - повышение однородности распределения электрофизических характеристик кремниевых подложек вблизи их рабочей стороны. Сущность изобретения: способ включает электрохимическое формирование на одной из сторон подложек слоя пористого кремния, обработку подложек и удаление пористого кремния. Пористый кремний формируют на рабочей стороне подложек и затем аморфизируют поверхность пористого кремния облучением ионами с энергией, при которой глубина проникновения ионов не превышает толщину слоя пористого кремния. Последующее удаление облученного пористого кремния проводят путем химико-динамического полирования в кислотном травителе. 2 табл. | 2120682 патент выдан: опубликован: 20.10.1998 |
|
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Использование: в области производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для повышения однородности распределения электрофизических характеристик подложек вдоль их рабочей стороны за счет снижения концентраций структурных дефектов и фоновых примесей в приповерхностной области на рабочую сторону пластины монокристаллического кремния наносят моноокись германия в виде пленки толщиной 1,0 - 2,5 мкм, отжигают структуру в течение 3 - 5 ч при температуре 700 - 800 К, а затем пленку удаляют химическим травлением. 1 табл. 3 ил. | 2119693 патент выдан: опубликован: 27.09.1998 |
|
| СПОСОБ ПОДГОТОВКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК Использование: в области микроэлектроники, а именно в технологии изготовления пластин подложек из монокристаллического кремния с геттерирующими слоями. Сущность изобретения: производят механическую и химическую обработки поверхности рабочей и нерабочей сторон подложек, а затем трехстадийный отжиг при высоких и низких температурах для формирования внутреннего геттерирующего слоя, перед второй низкотемпературной стадией отжига подложки с рабочей стороны облучают потоком альфа-частиц от радионуклидного источника, фиксируют изменения периода кристаллической решетки приповерхностных слоев вблизи нерабочей стороны подложек и прекращают облучение после стабилизации периода решетки. 1 табл. | 2110115 патент выдан: опубликован: 27.04.1998 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Изобретение относится к области изготовления интегральных схем. Сущность: предлагается способ изготовления как дискретных приборов, так и интегральных схем, формируемых в полупроводниковой подложке, которая затем утоняется с помощью химического травления. Равномерность травления обеспечивается за счет формирования с обратной стороны пластины геттерирующего слоя и последующего геттерирующего отжига, которые позволяют уменьшить и упорядочить концентрацию микродефектов в объеме пластины. Подготовка к сборочным операциям включает в себя создание планарной поверхности с обратной стороны. 5 з. п.ф-лы, 5 ил. | 2109371 патент выдан: опубликован: 20.04.1998 |
|
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ Использование: в области микроэлектроники для подготовки кремниевых пластин-подложек в производстве дискретных приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: предварительно пластины упруго деформируют изгибом так, чтобы рабочая сторона пластины была вогнутой, затем производят 3-х стадийный отжиг платины в деформированном состоянии в инертной атмосфере вначале при температуре из интервала 1270 - 1470 К, затем снижают температуру со скоростью 1,4 - 1,6 град./мин., выдерживают пластины при температуре из интервала 1070 - 1120 К, поднимают температуру со скоростью 1,4 - 1,6 град./мин., и вновь выдерживают при температуре из интервала 1270 - 1470 К. 1 табл. | 2105381 патент выдан: опубликован: 20.02.1998 |
|
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК Использование: в производстве полупроводниковых приборов, а именно в технологии изготовления кремниевых пластин-подложек с низким содержанием дефектов и фоновых примесей. Сущность изобретения: производят формирование анодной обработкой в растворе фтористоводородной кислоты на нерабочей стороне подложки слоя пористого кремния, при этом во время анодирования подложки упруго деформируют изгибом, затем производят отжиг в инертной атмосфере, при этом также подложку упруго деформируют изгибом, меняя знак деформации на противоположный, производят окисление пористого кремния и удаление окисленного слоя. 2 табл. | 2098887 патент выдан: опубликован: 10.12.1997 |
|
СПОСОБ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕ
Использование: в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность способа заключается в том, что после проведения имплантации ионов в поверхностный слой полупроводниковых пластин их (пластины) подвергают обработке импульсным магнитным полем с последующим термическим отжигом при температуре 200-300oC в течение 30-15 мин. Причем имплантацию ионов осуществляют путем облучения поверхностного слоя пластины  -частицами, которую проводят с лицевой стороны пластины. 2 з.п. ф-лы.
|
2092931 патент выдан: опубликован: 10.10.1997 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ПРИБОРА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении МДП-микросхем. Сущность: способ включает формирование на кремниевой подложке маскирующего слоя, предварительную термообработку, формирование элементов прибора и финишную термообработку. Охлаждение после термообработки проводят по заданной программе. | 2014671 патент выдан: опубликован: 15.06.1994 |
|