Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров – H01L 21/328
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ИНТЕГРАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА
Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника, самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор может быть использован в производстве интегральных микросхем. Сущность изобретения: у самосовмещенного, высоковольтного транзистора р-n переходы сформированы в объеме полупроводниковой подложки без выхода на поверхность, а контакты к областям транзистора, изолированные в вертикальной части разделительными диэлектриками от областей транзистора, которые контактируют донной частью к последним. Высоковольтный интегральный транзистор изолирован от подложки диэлектрическим слоем. Самосовмещение в структуре достигается использованием экранирующего слоя над контактом к коллекторной области при формировании щелей под контакт к коллекторной и изолирующей областям и экранирующих слоев над контактами к эмиттерной области при формировании щелей под контакты к базовой и эмиттерной областям. Техническим результатом изобретения является повышение пробивных напряжений р-n переходов интегрального транзистора, повышение плотности компоновки транзисторных структур и увеличение их быстродействия. 2 з.п. ф-лы, 10 ил. |
2492546 патент выдан: опубликован: 10.09.2013 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления силовых диодов, динисторов и тиристоров, содержащих, по меньшей мере, один высоковольтный p-n-переход с прямой фаской. Техническим результатом изобретения является повышение напряжения лавинного пробоя p-n переходов с прямой фаской. Сущность изобретения: в способе изготовления высоковольтного силового полупроводникового прибора, включающем изготовление на исходной кремниевой пластине краевого конусообразного скоса под углом |
2449415 патент выдан: опубликован: 27.04.2012 |
|
| НИЗКОВОЛЬТНЫЙ ТЕРМОКОМПЕНСИРОВАННЫЙ СТАБИЛИТРОН И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Изобретение относится к термокомпенсированным стабилитронам - полупроводниковым приборам, предназначенным для жесткой стабилизации рабочего напряжения в радиоэлектронной аппаратуре в условиях изменяющейся температуры окружающей среды. Сущность изобретения: предложен низковольтный термокомпенсированный стабилитрон, содержащий кристалл легированного кремния с образованными в нем основным, компенсирующим и охранным p-n-переходами, защитными диэлектрическими слоями, контактными выступами, контактными металлическими слоями. Согласно изобретению кристалл выполнен из кремния, легированного базовой примесью p-типа проводимости - бором, а основной, компенсирующий и охранный p-n-переходы расположены на границах между базовыми кремнием p-типа проводимости и диффузионными слоями кремния, легированного примесями n-типа проводимости, при этом контактные слои металла расположены непосредственно на поверхностях кремниевого кристалла внутри окон в защитных диэлектрических слоях над областями расположения основного и компенсирующего p-n-переходов, а контактные выступы выполнены из металла и расположены поверх контактных металлических слоев. Способ изготовления низковольтного термокомпенсированного стабилитрона включает изготовление базового кремневого кристалла с основным, компенсирующим и охранным p-n-переходами, защитными диэлектрическими слоями, контактными выступами и контактными металлическими слоями, изготовление двух металлических выводов и герметизацию кристалла и металлических выводов в стеклянном корпусе. Согласно изобретению в качестве базового кристалла используют кремний p-типа проводимости, охранный и компенсирующий p-n-переходы формируют в базовом кремнии диффузией легирующей примеси n-типа проводимости - фосфором, а основной p-n-переход - диффузией примеси n-типа проводимости - мышьяком. Тонкие контактные слои металла наносят непосредственно на поверхности кремниевого кристалла в круговые окна в защитных диэлектрических слоях над областями расположения основного и компенсирующего p-n-переходов, а затем поверх контактных металлических слоев гальваническим методом наносят толстые контактные металлические выступы. Техническим результатом изобретения является создание конструкции и способа изготовления низковольтного термокомпенсированного стабилитрона, для которых исключаются процессы локального эпитаксиального наращивания толстых слоев легированного кремния. 2 с.п. ф-лы, 6 ил. | 2162622 патент выдан: опубликован: 27.01.2001 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛОВЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Использование: в технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, а именно при изготовлении мощных быстродействующих реверсивно включаемых динисторов. Сущность изобретения: в способе изготовления силовой многослойной полупроводниковой структуры, заключающемся в создании диффузией или имплантацией на поверхности пластины заданного распределения легирующей примеси, последующим сращивании полученной структуры с пластиной противоположного типа проводимости и последующей последовательной диффузии легирующей примеси, упомянутым прямым сращиванием создают nn"-структуру с p+-пластиной, полученную nn"p+-структуру утоньшают со стороны n-слоя до заданной толщины, затем упомянутой последовательной диффузией примеси в n-слой создают p+n"npn+ структуру. | 2071143 патент выдан: опубликован: 27.12.1996 |
|
и диффузионного слоя, образующего высоковольтный p-n-переход тарельчатой формы, состоящий из конусообразной периферийной части и плоской центральной части, создание последующих диффузионных слоев и электродов, изготовление путем шлифовки на сферах прямой фаски под углом 
, превышающим угол