Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......тиристоров – H01L 21/332

МПК Раздел H H01 H01L H01L 21/00 H01L 21/332

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

H01 Основные элементы электрического оборудования

H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей

H01L 21/332 ......тиристоров

Патенты в данной категории

	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Использование: в области силовой электроники. Сущность изобретения: в способе для изготовления полупроводникового элемента с катодом и анодом в полупроводниковую подложку со стороны анода вводят тормозную зону, затем формируют катодную структуру с противоположной стороны, после чего толщину подложки уменьшают на противоположной катоду стороне и в следующем шаге на этой стороне формируют анод. Полупроводниковый элемент полученный данным способом содержит со стороны анода тормозную зону, профиль плотности легирования тормозной зоны соответствует краевому участку профиля легирования. Техническим результатом изобретения является создание тонкого полупроводникового элемента, который может изготавливаться с небольшими затратами. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 ил.	2237949 патент выдан: опубликован: 10.10.2004
	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДВУХОПЕРАЦИОННОГО ДИОДНОГО ТИРИСТОРА С ЗАПОРНЫМ СЛОЕМ СО СТОРОНЫ АНОДА И ПРОЗРАЧНЫМ АНОДНЫМ ЭМИТТЕРОМ Для изготовления высокопрозрачного анодного эмиттера (2) в двухпозиционном тиристоре (1) предложен двухступенчатый способ. На первом этапе вводят примесь методом диффузии в анодный эмиттер (2), толщина которого больше 0,5 и меньше 5 мкм, а концентрация примесей больше 10¹⁷ и меньше 510¹⁸ см^-3. Эффективность анодного эмиттера (2) уменьшают затем на втором этапе до нужного значения посредством облучения его протонами или ядрами гелия перед нанесением анодной металлизации на анодный эмиттер. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.	2204180 патент выдан: опубликован: 10.05.2003
	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТИРИСТОРОВ Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров. Сущность изобретения: способ включает резку кремниевого слитка на пластины и формирование диффузионной структуры с p-n - переходами. Катодный эмиттерный переход для тиристоров с широкой базовой областью n - типа или анодный эмиттерный переход для тиристоров с широкой базовой областью p - типа формируют на стороне, противоположной отрезаемой. 1 табл.	2106038 патент выдан: опубликован: 27.02.1998