Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......с затвором в виде барьера Шотки – H01L 21/338

Использование: в области микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки на истоке/стоке и с управляющим электродом нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, нанесение на поверхность полупроводниковой подложки контактного слоя истока/стока, состоящего из двух слоев - первого (нижнего), более тонкого, чем второй, стойкого к плазмохимическому травлению (ПХТ), в котором создаются заостренные края контактов Шоттки истока/стока и второго (верхнего), травящегося ПХТ, для увеличения общей толщины контактного слоя, обеспечивающего малое сопротивление контактов истока/стока, затем осаждаются слои вспомогательного слоя, состоящего из слоя диэлектрика и слоя металла, в котором методами литографии, самоформирования, плазмохимического травления формируется нанометровая щель, через которую производится плазмохимическое травление материала второго (верхнего) слоя контактного слоя истока/стока, а для дальнейшего уменьшения длины управляющего электрода и изоляции его от контактов истока/стока в сформированную нанометровую щель осаждается диэлектрик с низким значением диэлектрической проницаемости, плазмохимическим травлением на боковых стенках щели формируются диэлектрические спейсеры и изотропным химическим травлением удаляется металл первого (нижнего) слоя контактного слоя на дне щели, с последующим осаждением в эту углубленную щель подзатворного диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости и материала управляющего электрода, и проводится формирование затвора, при этом одновременно с управляющим электродом формируется контактная площадка управляющего электрода, а после удаления вспомогательного слоя с незащищенных участков формируются контактные площадки для истока/стока. Изобретения обеспечивает уменьшение длины управляющего электрода до нескольких нанометров, возможность изготовления элементов полевого нанотранзистора по самосовмещенной технологии, возможность использования металлов и силицидов металлов в качестве контактных слоев. 18 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки включает изготовление на лицевой поверхности полуизолирующей подложки с активным слоем, по меньшей мере, одной пары электродов истока и стока с каналом между ними, канавки в канале под электрод затвора, электрода затвора типа барьер Шотки, асимметрично расположенного в сторону электрода истока. Перед изготовлением канавки под электрод затвора на активный слой полуизолирующей подложки наносят дополнительный диэлектрический слой толщиной 0,1-0,5 мкм, локализуют дополнительный диэлектрический слой в виде ступеньки посредством процессов электронно-либо фотолитографии и последующего плазмохимического травления, а при изготовлении электрода затвора электронно- либо фоторезистивную маску формируют с длиной окна 0,5-0,9 мкм, толщиной 0,7-1,2 мкм и со сдвигом 0,3-0,6 мкм по поверхности дополнительного диэлектрического слоя относительно торца его ступеньки, обеспечивающим зазор между упомянутым торцом и верхним краем маски со стороны электрода стока, а угол при напылении металла или системы металлов, образующих барьер Шотки в области затвора, представляет собой угол между лицевой поверхностью полуизолирующей подложки и вектором потока, напыляемого металла или системы металлов величиной, равной (70-90)°, при этом длину электрода затвора задают из заявленных условий. Изобретение обеспечивает повышение выходной мощности, коэффициента усиления по мощности, коэффициента полезного действия транзистора при сохранении его надежности и расширении функциональных возможностей. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов. Изобретение обеспечивает повышение напряжений пробоя затвор-сток за счет формирования структуры со слаболегированными стоком и истоком, уменьшение привносимой в приповерхностный слой канала дефектности, а также создание возможности для формирования электрода затвора большой высоты за счет получения оптимального профиля диэлектрического макета затвора. Сущность изобретения: в способе изготовления GaAs полевых транзисторов с самосовмещенным затвором субмикронной длины создают канал n-типа проводимости путем ионного легирования полуизолирующих подложек арсенида галлия однозарядными ионами кремния, осаждают четыре слоя оксида кремния различных по составу и с различной скоростью жидкостного травления, при этом слои с большей и меньшей скоростью жидкостного травления чередуются, формируют многослойный диэлектрический макет затвора реактивно-ионным травлением диэлектрических слоев так, что часть толщины первого слоя диэлектрика остается на поверхности, после чего проводят травление столбика с одновременным удалением оставленной части первого слоя, ионное легирование контактных областей истока и стока с помощью двух наклонных имплантаций с использованием макета затвора в качестве элемента самосовмещения, высокотемпературный активационный отжиг, планаризацию поверхности фоторезистом, реактивное ионное травление фоторезиста, замену многослойного диэлектрического макета на металлический затвор и создают омические контакты. 3 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора с Т-образным управляющим электродом включает выделение на подложке арсенида галлия с нанесенным вспомогательным слоем диэлектрика активной области прибора, в пределах которой формируют устройство. На данную подложку наносят слой резиста, подходящего для наноимпринт литографии, и проводят горячее тиснение штампа. Штамп создают на подложке с ориентацией [100] «взрывной фотолитографией», для проведения которой используют комплект фотошаблонов, зеркальный к рабочему. После «взрыва» фоторезиста на подложке остаются полоски металла, которые ориентированы под углом 45±2 градусов по отношению к базовому срезу. Следующей операцией является травление подложки, после которого под полосками металла образуются прямоугольные выступы, образующие рельеф штампа. После копирования данного рельефа в резист проводят плазмохимическое травление, в ходе которого слой диэлектрика дотравливается до подложки в местах, соответствующих выступам рельефа штампа. Далее резист удаляют и наносят слой фоторезиста. Фотолитографией с использованием рабочего комплекта фотошаблонов в нем формируют Т-образные управляющие электроды. Изобретение обеспечивает уменьшение длины каналов транзисторов, упрощение и удешевление изготовления приборов и интегральных схем на их основе.

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки, выполненный на полуизолирующей подложке полупроводникового материала группы А^IIIB^V с активным слоем, включает изготовление по меньшей мере, одной пары электродов истока и стока, канала между ними с канавкой, в которой выполнен электрод затвора типа барьер Шотки, смещенный в сторону истока. При этом металл или систему металлов, образующих барьер Шотки в области затвора, напыляют под углом к лицевой поверхности полуизолирующей подложки в сторону истока, равным 102-112°, при этом в каждой паре электродов исток-сток упомянутый угол в области затвора, примыкающей к электроду истока, превышает на 24-44° аналогичный угол, примыкающий к электроду стока, и одновременно перпендикулярен ширине канала, при этом расстояние между лицевой поверхностью полуизолирующей подложки и источником напыляемого металла равно 400-700 мм. Технический результат изобретения - повышение выходной мощности СВЧ и соответственно коэффициента полезного действия, повышение коэффициента усиления по мощности и снижение коэффициента шума. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки. Сущность изобретения: способ изготовления полевого транзистора с барьером Шоттки содержит формирование активных областей прибора с рабочим n и контактным n ⁺ слоями, формирование омических контактов, нанесение первого диэлектрического слоя, формирование в нем травлением до поверхности арсенида галлия окна под затвор, заращивание окна вторым диэлектрическим слоем, травление второго диэлектрического слоя до его полного удаления с первого диэлектрического слоя и до арсенида галлия в окне, зауженном вторым диэлектрическим слоем, травление канавки в n⁺ слое арсенида галлия через зауженное окно и формирование Т-образного затвора в зауженном окне диэлектрика и канавке в n⁺ слое арсенида галлия. Первый диэлектрический слой создают последовательным нанесением нескольких диэлектрических слоев, имеющих разную скорость травления. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических параметров полевого транзистора с барьером Шоттки. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способу изготовления полевых транзисторов с затвором типа барьера Шоттки, и может быть использовано для улучшения и стабилизации их параметров и отбраковки потенциально ненадежных приборов. Сущность изобретения: способ включает формирование активных областей полевого транзистора, напыление омических контактов, формирование затвора типа барьера Шоттки и электротренировку затвора. Электротренировку проводят прямым током величиной 0,8-0,9 от тока, при котором происходит разрушение затвора, в течение 30-60 секунд, при этом ток протекает через затвор и закороченные по постоянному току исток и сток. Электротренировка затвора в течение указанного времени позволяет упорядочить кристаллическую структуру полупроводника на границе барьера Шоттки, отжечь технологические дефекты на поверхности канала и в канале транзистора и, как следствие, улучшить электрические параметры изготовленных согласно предлагаемому способу полевых транзисторов.