Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в  ,21/06, ,21/16 и  ,21/18 – H01L 21/34

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Устройство представляет собой тензометрический преобразователь, содержащий металлический корпус в виде цилиндрического стакана с тонкостенным дном в виде мембраны, на ее наружной поверхности сформированы тензорезисторы, коммутационные участки, соединяющие тензорезисторы в измерительный мост и с металлизированными площадками на периферийной области поверхности дна стакана, компенсационные элементы, а также изоляционный слой. Тензорезисторы из моносульфита самария закреплены на диэлектрическом слое из окиси алюминия или окиси кремния, или двуокиси кремния, который закреплен на наружной поверхности дна стакана через адгезионный слой из хрома. В зонах сжатия в кольцевой области перехода мембраны в стенку стакана и в зонах растяжения в области центральной части мембраны размещены дистантно по окружности одиночные тензорезисторы или объединенные в дистантно расположенные по окружности группы тензорезисторов. Металлизированные площадки состоят из по крайней мере двух слоев, нижний из которых имеет минимальное переходное электрическое сопротивление, а верхний предназначен для пайки. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности, стойкости к агрессивным средам и надежности датчика. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Способ может быть использован при резке хрупких неметаллических материалов, в частности полупроводниковых пластин типа (Bi _хSb_1-x)₂(Te_ySe_1-y )₃, обладающих низкой электропроводностью. Два электрических импульса прикладывают к промежутку между электродом и пластинами в жидкой диэлектрической среде. Передние фронты электрических импульсов совпадают во времени. Напряжение первого импульса составляет не менее порогового напряжения пробоя промежутка, напряжение второго составляет ¹/₂ от порогового напряжения пробоя. Длительности импульсов соотносятся как 1:2÷4 соответственно, а величины токов соответственно составляют 0,5÷2 А и 2÷10 А. Способ обеспечивает малую энергоемкость, высокоточною резку пластин в прямоугольной системе координат проволочным электродом при сохранении высокой скорости реза и плоскопараллельности пластин. 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах. В способе создания нанотрубок, заключающемся в том, что на подложку наносят жертвенный слой, на жертвенном слое формируют слой, образующий нанотрубку, формируют окна, жертвенный слой удаляют, сворачивая при этом нанотрубку, жертвенный слой изготавливают из металла, на котором в качестве слоя, образующего нанотрубку, формируют слои из металлов, имеющих различные коэффициенты термического расширения и модули Юнга. В качестве подложки используют пластину из полупроводника, или из полупроводника IV группы, или из кремния. Для слоя, образующего нанотрубку, используют металлы, коэффициенты термического расширения и модули Юнга которых различаются на величину 5,910^-6К^-1 и 30 ГПа соответственно, а именно используют биметаллический слой из титана и золота при суммарной толщине слоем титана и золота от 12 до 100 нм. Сворачивают слой в нанотрубку диаметром от 400 нм до 20 мкм. Результатом является микроминиатюризация микроэлектромеханических устройств на кремнии, что приводит к повышению их надежности, быстродействия, чувствительности и степени интеграции. 11 з.п. ф-лы, 2 ил.