Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......с внедрением ионов – H01L 21/425
Патенты в данной категории
| ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ
Изобретение относится к области материалов полупроводниковой электроники и может быть использовано для создания элементов спинтронных устройств, сочетающих источник и приемник поляризованных спинов носителей заряда в тройной гетероструктуре ферромагнитный полупроводник/немагнитный полупроводник/ферромагнитный полупроводник. Техническим результатом изобретения является создание ферромагнитного полупроводникового материала, обладающего высокой намагниченностью при комнатной и выше температурах в отсутствие внешнего магнитного поля. Ферромагнитный полупроводниковый материал представляет собой ферромагнитную пленку полупроводникового диоксида титана, легированного ванадием в количестве от 3 до 5 % ат. по отношению к титану, имеющую кристаллическую структуру анатаза и выращенную на диэлектрической подложке. Пленка легированного диоксида титана дополнительно имплантирована при комнатной температуре ионами кобальта с дозой (1.3-1.6)·1017 см-2 и сохраняет при температурах не менее 300 К в отсутствие внешнего магнитного поля остаточную намагниченность не менее 70% от величины намагниченности насыщения. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 пр. |
2515426 патент выдан: опубликован: 10.05.2014 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА
Изобретение относится к технологии получения ферромагнитных полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: в способе получения ферромагнитного полупроводникового материала, включающем введение в подложку на основе диоксида титана ионов примеси кобальта с применением ионно-лучевой имплантации, имплантацию ионов кобальта осуществляют в монокристаллическую подложку рутила TO2 , ориентированную вдоль кристаллографического направления <001> по отношению к ионному лучу и нагретую до температуры не менее 875 К, задают значения энергии ионов кобальта в луче, плотности ионного тока и дозы облучения, обеспечивающие однородное распределение примеси по объему подложки и необходимые величины магнитных характеристик получаемого материала. Способ обеспечивает получение ферромагнитного полупроводникового материала, однородно- легированного по объему и сочетающего полупроводниковые свойства с высокими значениями магнитных характеристик. 1 табл., 2 ил. |
2361320 патент выдан: опубликован: 10.07.2009 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ N-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ В ОБРАЗЦАХ Cdx Hg1-xTe Р-ТИПА
Испоьзование: в технологии изготовления фотоприборов. Сущность изобретения: способ заключается в обработке поверхности образца из CdxHg1-xTe p-типа в плазме высокочастотного разряда ускоренными ионами с энергией 1 - 10 эВ и плотностью тока 4-8 мкА/см2. Затем проводят послойное травление образца, чередуя его с контролем свободных носителей на поверхности. Травление проводят до слоя с концентрацией электронов n  2 1014 см-3 для x 0,22 . 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.
|
2035804 патент выдан: опубликован: 20.05.1995 |
|
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ НА ОБРАЗЦАХ CdxHg1-xTe P-ТИПА СТРУКТУР С ГЛУБОКОКОМПЕНСИРОВАННЫМ СЛОЕМ Использование: полупроводниковая техника, в частности технология изготовления фотоприборов. Сущность: в нагретый до температуры 70 170°С образец CdxHg1-xTe P-типа проводят имплантацию ионов с энергией 10 150 кэВ и дозой 1012- 1014 см-2. При маскировании образца капсулирующим диэлектрическим покрытием, имплантацию проводят ионами, энергию которых увеличивают на величину энергетических потерь в диэлектрике. После имплантации ионов проводят удаление поверхностного слоя образца толщиной не менее величины пробега ионов в полупроводнике и не более значения, при котором концентрация электронов на поверхности равна 1015- 1017 см-3. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл. | 2023326 патент выдан: опубликован: 15.11.1994 |
|