Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в  ,21/36 – H01L 21/44

Данное изобретение относится к области биохимии и физики. Предложен способ определения ДНК-гидролизующей активности молекул и устройство для его осуществления. Способ предусматривает адсорбирование реакционной смеси, содержащей ДНК и тестируемые вещества, на рабочем электроде, модифицированном углеродными наноматериалами. Затем регистрируют и сравнивают величины сигналов окисления ДНК в составе реакционной смеси до выдерживания реакционной смеси (контроль) и после выдерживания реакционной смеси (опыт). Увеличение сигнала окисления ДНК свидетельствует о наличии ДНК-гидролизующей активности у тестируемой молекулы. Изобретение позволяет упростить и сократить продолжительность определения ДНК-гидролизующей активности молекул, повысить избирательность и чувствительность анализа при уменьшении его стоимости. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 6 ил.

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - повышение адгезии в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем последовательное формирование активных областей полупроводникового прибора, диоксида кремния и нанесения алюминиевой пленки, сформированную полупроводниковую структуру обрабатывают фотонами с энергией 20-35 эВ с интенсивностью потока фотонов 10¹¹-10¹² см^-2 c^-1 с последующим термостабилизирующим отжимом при температуре 300-400°С в течение 30-50 с. 1 табл.

Изобретение относится к области микроэлектронных и микромеханических устройств и может быть использовано в качестве датчиков расхода и изменения уровней жидкостей и газов. Сущность: в кристалле датчика выполнены дополнительные сквозные отверстия. На поверхности отверстий выполнен диэлектрический слой, на который нанесен металлический слой. На обратной стороне кристалла выполнены дополнительные контактные площадки для посадки кристалла эвтектикой, соединенные с основными контактными площадками через металлический слой в отверстиях. При этом металлический слой на основных и металлических контактных площадках и в сквозных отверстиях нанесен на обе поверхности рамки основания в едином цикле под углом 45°-60° к поверхности рамки-основания для исключения разрывов металлизации на границе отверстий. 2 ил.

Использование: в электромонтажной сборке и герметизации полупроводниковых изделий. Сущность изобретения: способ сборки полупроводниковых изделий включает формирование пар контактных столбиков на соответствующих поверхностях кристалла и подложки с межсоединениями. Каждый контактный столбик в каждой паре содержит верхнюю часть, включающую по меньшей мере один компонент из электропроводящего эвтектического сплава. По меньшей мере на одном из контактных столбиков в каждой паре формируют острые вертикальные пики. Кристалл и подложку с силой прижимают друг к другу, а контактные столбики нагревают до тех пор, пока острые пики не проникнут через оксидные пленки, имеющиеся на соответствующих противолежащих контактных столбиках в каждой паре, и не войдут в контакт с верхней поверхностью другого контактного столбика, инициируя, таким образом, плавление контактных столбиков. Затем контактные столбики охлаждают, обеспечивая затвердевание расплавленных частей с формированием электропроводящего соединения между каждой соответствующей парой контактных столбиков и герметизацию корпуса по периферии. Техническим результатом изобретения является обеспечение припаивания полупроводникового кристалла к подложке с использованием сплавов, имеющих относительно низкую температуру плавления, высокую прочность соединения после затвердевания и не являющихся вредными для окружающей среды. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 10 ил., 1 табл.