Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......из газа или пара, например конденсацией – H01L 21/443
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
H01L 21/443 ......из газа или пара, например конденсацией
Патенты в данной категории
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТНОГО СЛОЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО II-VI ГРУПП
Изобретение относится к области технической физики. Сущность: способ изготовления омического контактного слоя на слое p-типа на полупроводнике (пп) II-VI групп в камере молекулярно-лучевой эпитаксии, в качестве источника элемента VI группы выбирают: источник элемента Хm, где m<6; источник элемента Sem, где m<6; термически расщепленный Se. Легирующую примесь p-типа вводят в виде свободных радикалов, например группы V, свободные радикалы из группы, состоящей из N, As, P. При этом указанный слой из пп нагревают до температуры, достаточно высокой для поддержания роста кристаллов, но ниже 250°С, и в качестве варианта ниже 130-200°С. И полупроводниковое устройство II-VI групп, которое может быть использовано в лазерном диоде, включающее слой p-типа из пп II-VI групп, на первой стороне которого расположен омический контактный слой из кристаллического пп p-типа II-VI групп, легированный акцепторами поверхностного уровня энергии, например акцепторами азота, для обеспечения чистой концентрации акцепторов 1 1017см-3, или 11018см-3, или 11019см-3, и электропроводный электродный слой, характеризующийся энергией Ферми. Омический контактный слой имеет достаточно глубокие акцепторные уровни, достаточные для работы устройства при напряжениях на контактном слое менее 2 В. Причем слой p-типа из пп II-VI групп может быть выполнен из ZnSe, а электродный слой может включать слой материала, например металла, имеющего работу выхода по меньшей мере 5 В. Техническим результатом изобретения является создание нового способа изготовления омического контактного слоя на слое p-типа на пп II-VI групп и создание пп устройства II-VI групп с использованием этого способа, например зелено-синего лазерного диода с длиной волны от 590 до 430 нм. 2 с. и 16 з.п.ф-лы, 14 ил.
|
2151457 патент выдан: опубликован: 20.06.2000 |
|