Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......из жидкости, например электролитическим осаждением – H01L 21/445

Использование: в технологии получения микросборок интегральных схем, и в частности, микросборок методом перевернутого кристалла инфракрасных фотоприемных устройств, при помощи индиевых микросфер. Техническим результатом при использовании изобретения является уменьшение трудоемкости изготовления микросфер для сборки ИС. Сущность изобретения: в способе изготовления микросфер для сборки интегральных схем, включающем нанесение на пластину с интегральными микросхемами с контактными площадками адгезионного слоя, формирование барьерно-адгезионного слоя над контактными площадками, электрохимическое осаждение металла и удаление адгезионного слоя вне областей формирования микросфер, перед электрохимическим осаждением проводят окисление адгезионного слоя и активацию барьерно-адгезионного слоя, после чего проводят электрохимическое осаждение индия, а удаление адгезионного слоя проводят вместе со слоем образованного на нем окисла. Электрохимическое осаждение индия проводят в расплаве ацетамида при температуре выше температуры плавления индия, при этом, поскольку осаждаемый индий находится в жидком состоянии, за счет сил поверхностного натяжения образуются оплавленные микросферы. Перед осаждением микросфер целесообразно провести нанесение слоя индия толщиной 1-3 мкм электрохимическим осаждением в расплаве ацетамида при температуре ниже температуры плавления индия. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.