Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в  ,21/36 – H01L 21/46

Изобретение относится к области очистки сапфировых подложек для гетероэпитаксии нитридов III группы, которые в дальнейшем применяются для изготовления различных оптоэлектронных элементов и устройств. Сущность изобретения: способ очистки поверхности сапфировых подложек, прошедших финишную полировку растворами силиказолей, предусматривает размещение подложек в металлические кассеты, ультразвуковую очистку в две стадии, на первой - в 10% растворе вертолина в деионизованной воде при рН=12÷13 и температуре 68÷72°C в течение не менее 8 минут, на второй стадии - в деионизованной воде при температуре 68÷72°С в течение не менее 1 минуты. Затем перегружают подложки из металлических кассет во фторопластовые кассеты, проводят смывку деионизованной водой, после чего проводят в две стадии очистку в кислотных травителях. На первой стадии в 12÷25% растворе особо чистой плавиковой кислоты в деионизованной воде при температуре 18+22°С в течение не менее 1 минуты проводят смывку раствора кислоты деионизованной водой и промывку в проточной деионизованной воде. Вторую стадию очистки в кислотных травителях проводят во фторопластовой ванне в концентрированной особо чистой ортофосфорной кислоте при температуре 148÷152°С в течение не менее 7 минут, далее проводят смывку кислоты деионизованной водой и промывку в проточной деионизованной воде, после чего подложки подвергают сушке. Способ обеспечивает получение чистой гидрофильной поверхности подложек без загрязнений. 1 з.п. ф-лы.