Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой – H01L 21/461

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC сублимацией источника SiC на затравочный монокристалл SiC предусматривает предварительное травление поверхности затравочного монокристалла SiC в процессе подъема температуры в ростовой ячейке. Травление поверхности затравочного кристалла SiC проводят сублимированным AlN, располагая между затравочным кристаллом и источником SiC источник AlN, например, в виде порошка AlN, размещенного в кювете, закрепленной в ростовой ячейке на держателе напротив затравочного кристалла или в виде пластины со слоем AlN, закрепленной на стенке ростовой ячейки напротив затравочного кристалла. Количество размещаемого в ростовой ячейке AlN определяют из расчета М=3 nR (H²+r²), где М - количество размещаемого в ростовой ячейке A1N, г, n=0,5 2,0 - параметр статистического разброса, R - глубина нарушенного слоя затравочного кристалла, см, р=3,2 - плотность монокристалла SiC, г/см³, Н - расстояние "затравочный кристалл - источник AlN", см, r - радиус затравочного кристалла, см. Способ позволяет упростить и удешевить технологию получения монокристаллического SiC, а также увеличить срок службы ростовой ячейки. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл., 1 пр.

Способ химического травления теллурида кадмия, полученного методом нанопорошковой технологии, относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии и может использоваться для анализа микроструктуры материала и изделий из этой керамики. Сущность изобретения: с помощью химического травления при температуре +18 - +25°С в течение 1-2 минут в растворе, содержащем 6-10 об.% брома и 90-94 об.% метилового спирта, выявляют границы зерен в керамике теллурида кадмия, полученной методом нанопорошковой технологии. Выявленная с помощью травления зеренная структура наблюдается в оптический микроскоп. Это позволяет контролировать микроструктуру данного материала, которая влияет на такие важные для практического применения в технике характеристики, как, например, пропускание в области ИК-излучения, электрическое сопротивлений. Техническим результатом изобретения является разработка способа химического травления керамики теллурида кадмия, полученной методом нанопорошковой технологии, позволяющего проводить травление границ зерен, что позволит исследовать микроструктуру. 1 ил, 1 табл.